公开(公告)号：US20120127629A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13264745

申请日：2010-04-14

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Steven M. Bilodeau ,  Gregory T. Stauf ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Chongying Xu

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Steven M. Bilodeau ,  Gregory T. Stauf ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Chongying Xu

IPC分类号： H01G4/10 ,  B32B19/00 ,  B05D5/12 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01G4/1209 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6325 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3142 ,  H01L28/40 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/1284

摘要： A composite dielectric material including an early transition metal or metal oxide base material and a dopant, co-deposited, alloying or layering secondary material, selected from among Nb, Ge, Ta, La, Y, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sr, Ba, Ca, and Mg, and oxides of such metals, and alumina as a dopant or alloying secondary material. Such composite dielectric material can be formed by vapor deposition processes, e.g., ALD, using suitable precursors, to form microelectronic devices such as ferroelectric high k capacitors, gate structures, DRAMs, and the like.

摘要翻译： 包括早期过渡金属或金属氧化物基材以及选自Nb，Ge，Ta，La，Y，Ce，Pr，Nd，Gd，Dy中的掺杂剂，共沉积，合金化或分层次级材料的复合电介质材料 ，Sr，Ba，Ca和Mg，以及这些金属的氧化物，以及作为掺杂剂或合金化二次材料的氧化铝。 这种复合介电材料可以通过使用合适的前体的气相沉积工艺（例如ALD）形成微电子器件，例如铁电高k电容器，栅极结构，DRAM等。

公开(公告)号：US20100164057A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12665929

申请日：2008-06-27

申请人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

发明人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L29/06 ,  C09D7/00 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02211 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/0649

摘要： A full fill trench structure comprising a microelectronic device substrate having a high aspect ratio trench therein and a full filled mass of silicon dioxide in the trench, wherein the silicon dioxide is of a substantially void-free character and has a substantially uniform density throughout its bulk mass. A corresponding method of manufacturing a semiconductor product is described, involving use of specific silicon precursor compositions for use in full filling a trench of a microelectronic device substrate, in which the silicon dioxide precursor composition is processed to conduct hydrolysis and condensation reactions for forming the substantially void-free and substantially uniform density silicon dioxide material in the trench. The fill process may be carried out with a precursor fill composition including silicon and germanium, to produce a microelectronic device structure including a GeO2/SiO2 trench fill material. A suppressor component, e.g., methanol, may be employed in the precursor fill composition, to eliminate or minimize seam formation in the cured trench fill material.

摘要翻译： 一种全填充沟槽结构，其包括其中具有高纵横比沟槽的微电子器件衬底和沟槽中的完整填充质量的二氧化硅，其中二氧化硅具有基本上无空隙的特性，并且在其整个体积中具有基本均匀的密度 质量 描述了制造半导体产品的相应方法，其涉及使用特定的硅前体组合物，用于完全填充微电子器件衬底的沟槽，其中二氧化硅前体组合物被处理以进行水解和缩合反应，以形成基本上 在沟槽中的无空隙和基本均匀的密度二氧化硅材料。 填充过程可以用包括硅和锗的前体填充组合物进行，以产生包括GeO 2 / SiO 2沟槽填充材料的微电子器件结构。 可以在前体填充组合物中使用抑制剂组分，例如甲醇，以消除或最小化固化沟槽填充材料中的接缝形成。

公开(公告)号：US06511706B1

公开(公告)日：2003-01-28

申请号：US09441694

申请日：1999-11-16

申请人： Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers-Christos ,  Jeffrey F. Roeder ,  Witold Paw

发明人： Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers-Christos ,  Jeffrey F. Roeder ,  Witold Paw

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： G02B6/02 ,  C07F9/94 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4483 ,  C23C16/45561 ,  H01L39/2441

摘要： A precursor composition useful for liquid delivery MOCVD, including SBT precursors dissolved in a solvent system containing tetrahydrofuran. The associated liquid delivery MOCVD process may be carried out with vaporization of the precursor composition on a porous vaporization element having an average pore diameter in the range of from about 50 to about 200 micrometers, with the resultant precursor vapor being admixed with a carrier gas to achieve high efficiency formation of SBT films.

摘要翻译： 用于液体输送MOCVD的前体组合物，包括溶解在含有四氢呋喃的溶剂体系中的SBT前体。 相关的液体输送MOCVD方法可以通过前体组合物在平均孔径在约50至约200微米范围内的多孔蒸发元件上蒸发来进行，所得前体蒸气与载气混合， 实现SBT膜的高效率形成。

公开(公告)号：US06500489B1

公开(公告)日：2002-12-31

申请号：US09208541

申请日：1998-12-09

申请人： Frank S. Hintermaier ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

发明人： Frank S. Hintermaier ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/409 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31691

摘要： Chemical vapor deposition is used to form a film of Bi oxide, Sr oxide, and Ta oxide on a heated substrate by decomposing the precursors of these oxides at the surface of the substrate. The precursor of Bi oxide is a Bi complex which includes at least one alkoxide group and is decomposed and deposited at a temperature lower than 450° C. The film of Bi, Sr, and Ta oxides obtained by low-temperature CVD is predominantly non-ferroelectric, but can be converted into a ferroelectric film by a subsequent heating process.

摘要翻译： 化学气相沉积用于通过在衬底的表面分解这些氧化物的前体，在加热的衬底上形成Bi氧化物，Sr氧化物和Ta氧化物的膜。 Bi氧化物的前体是包含至少一个烷氧基的Bi络合物，并在低于450℃的温度下分解和沉积。通过低温CVD获得的Bi，Sr和Ta氧化物的膜主要是非 - 铁电体，但可以通过随后的加热工艺转化成铁电体膜。

公开(公告)号：US06180420B2

公开(公告)日：2001-01-30

申请号：US09208543

申请日：1998-12-09

申请人： Frank S. Hintermaier ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

发明人： Frank S. Hintermaier ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L28/55

摘要： Chemical vapor deposition is used to form a film of Bi oxide, Sr oxide, and Ta oxide on a heated substrate by decomposing the precursors of these oxides at the surface of the substrate. The precursor of Bi oxide is a Bi complex which includes at least one carboxylate group and is decomposed and deposited at a temperature lower than 450° C. The film of Bi, Sr, and Ta oxides obtained by low-temperature CVD is predominantly non-ferroelectric, but can be converted into a ferroelectric film by a subsequent heating process.

摘要翻译： 化学气相沉积用于通过在衬底的表面分解这些氧化物的前体，在加热的衬底上形成Bi氧化物，Sr氧化物和Ta氧化物的膜。 Bi氧化物的前体是包含至少一个羧酸酯基的Bi络合物，并且在低于450℃的温度下分解和沉积。通过低温CVD获得的Bi，Sr和Ta氧化物的膜主要是非 - 铁电体，但可以通过随后的加热工艺转化成铁电体膜。

公开(公告)号：US06177135B1

公开(公告)日：2001-01-23

申请号：US09208542

申请日：1998-12-09

申请人： Frank S. Hintermaier ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

发明人： Frank S. Hintermaier ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/40 ,  C07F9/94 ,  C23C16/407 ,  G02F1/0027 ,  G02F1/0541 ,  G02F2203/12 ,  H01L21/31691

摘要： Chemical vapor deposition is used to form a film of Bi oxide, Sr oxide, and Ta oxide on a heated substrate by decomposing the precursors of these oxides at the surface of the substrate. The precursor of Bi oxide is a Bi complex which includes at least one amide group and is decomposed and deposited at a temperature lower than 450° C. The film of Bi, Sr, and Ta oxides obtained by low-temperature CVD is predominantly non-ferroelectric, but can be converted into a ferroelectric film by a subsequent heating process.

摘要翻译： 化学气相沉积用于通过在衬底的表面分解这些氧化物的前体，在加热的衬底上形成Bi氧化物，Sr氧化物和Ta氧化物的膜。 Bi氧化物的前体是包含至少一个酰胺基团并在低于450℃的温度下分解和沉积的Bi络合物。通过低温CVD获得的Bi，Sr和Ta氧化物的膜主要是非 - 铁电体，但可以通过随后的加热工艺转化成铁电体膜。

公开(公告)号：US06204158B1

公开(公告)日：2001-03-20

申请号：US09216371

申请日：1998-12-18

申请人： Bryan C. Hendrix ,  Frank S. Hintermaier ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

发明人： Bryan C. Hendrix ,  Frank S. Hintermaier ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

IPC分类号： H01L2138

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/56

摘要： A scavenger layer is provided to prevent the diffusion of an excess mobile specie from a metal oxide ceramic into unwanted parts of a device. The scavenger layer is provided above the metal oxide ceramic. As the excess mobile specie diffuses out of the metal oxide ceramic, it migrates toward the scavenger layer and reacts with it. The reaction consumes the excess mobile specie.

摘要翻译： 提供清除层以防止多余的移动物质从金属氧化物陶瓷扩散到装置的不需要的部分。 在金属氧化物陶瓷上方设置有清除层。 当多余的流动物质从金属氧化物陶瓷中扩散时，它迁移到清除剂层并与其反应。 反应消耗了多余的流动物质。

公开(公告)号：US06660331B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10010262

申请日：2001-12-07

申请人： Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra Desrochers Christos ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra Desrochers Christos ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/409 ,  C07F9/94 ,  Y10S427/101

摘要： A solvent composition useful for liquid delivery MOCVD, comprising toluene and a Lewis base, wherein toluene is present at a concentration of from about 75% to about 98% by volume, based on the total volume of toluene and the Lewis base. Such solvent composition is usefully employed to dissolve or suspend precursors therein for liquid delivery MOCVD, e.g., MOCVD of ferroelectric material films such as SBT.

公开(公告)号：US6133051A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US107861

申请日：1998-06-30

申请人： Frank S. Hintermaier ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Debra A. Desrochers ,  Thomas H. Baum

发明人： Frank S. Hintermaier ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Debra A. Desrochers ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC分类号： C04B35/18 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/584 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/64 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/76

摘要： A metal oxide ceramic layer is formed from an amorphous film. The metal oxide ceramic layer comprises, for example, a Bi-based oxide ceramic, The amorphous Bi-based metal oxide layer is annealed to transformed it into a ferroelectric layer. A lower thermal budget is needed to transform the amorphous Bi-based metal oxide ceramic into the ferroelectric phase.

摘要翻译： 金属氧化物陶瓷层由非晶膜形成。 金属氧化物陶瓷层包括例如Bi基氧化物陶瓷。将非晶Bi基金属氧化物层退火以将其转变成铁电层。 需要较低的热预算来将无定形的Bi基金属氧化物陶瓷转变成铁电相。

公开(公告)号：US07005303B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10836550

申请日：2004-04-30

申请人： Frank S. Hintermaier ,  Christine Dehm ,  Wolfgang Hoenlein ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

发明人： Frank S. Hintermaier ,  Christine Dehm ,  Wolfgang Hoenlein ,  Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas H. Baum ,  Debra A. Desrochers

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691

摘要： A low temperature CVD process for deposition of bismuth-containing ceramic thin films suitable for integration to fabricate ferroelectric memory devices. The bismuth-containing film can be formed using a tris(β-diketonate) bismuth precursor. Films of amorphous SBT can be formed by CVD and then ferroannealed to produce films with Aurivillius phase composition having superior ferroelectric properties suitable for manufacturing high density FRAMs.

摘要翻译： 用于沉积适合于集成以制造铁电存储器件的含铋陶瓷薄膜的低温CVD工艺。 含铋膜可以使用三（β-二酮）铋前体形成。 可以通过CVD形成非晶态SBT膜，然后用铁退镀以制备具有优异的铁电性能的Aurivillius相组成的膜，适用于制造高密度FRAM。