公开(公告)号：US07531418B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11296568

申请日：2005-12-08

申请人： Bernd Hintze ,  Stephan Kudelka ,  Jonas Sundqvist

发明人： Bernd Hintze ,  Stephan Kudelka ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76846

摘要： In a method for producing a conductive layer a substrate is provided. On the substrate, a layer includes at least two different metal nitrides. In one embodiment, on a surface of the substrate a first metal nitride layer is deposited, followed by a second metal nitride layer formed thereon. A third metal layer is then deposited on a surface of the second metal nitride layer.

摘要翻译： 在制造导电层的方法中，提供了基板。 在衬底上，层包括至少两种不同的金属氮化物。 在一个实施例中，在衬底的表面上沉积第一金属氮化物层，随后形成第二金属氮化物层。 然后在第二金属氮化物层的表面上沉积第三金属层。

公开(公告)号：US20080182427A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11698337

申请日：2007-01-26

申请人： Lars Oberbeck ,  Uwe Schroeder ,  Johannes Heitmann ,  Stephan Kudelka ,  Tim Boescke ,  Jonas Sundqvist

发明人： Lars Oberbeck ,  Uwe Schroeder ,  Johannes Heitmann ,  Stephan Kudelka ,  Tim Boescke ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention relates to a method for depositing a dielectric material comprising a transition metal oxide. In an initial step, a substrate is provided. In a further step, a first precursor comprising a transition metal containing compound, and a second precursor predominantly comprising at least one of water vapor, ozone, oxygen, or oxygen plasma are sequentially applied for depositing above the substrate a layer of a transition metal containing material. In another step, a third precursor comprising a dopant containing compound, and a fourth precursor predominantly comprising at least one of water vapor, ozone, oxygen, or oxygen plasma are sequentially applied for depositing above the substrate a layer of a dopant containing material. The transition metal comprises at least one of zirconium and hafnium. The dopant comprises at least one of barium, strontium, calcium, niobium, bismuth, magnesium, and cerium.

摘要翻译： 本发明涉及沉积包含过渡金属氧化物的电介质材料的方法。 在初始步骤中，提供衬底。 在另一步骤中，依次施加包含含过渡金属的化合物的第一前体和主要包含水蒸气，臭氧，氧或氧等离子体中的至少一种的第二前体，以在基底上沉积含有过渡金属的层 材料。 在另一步骤中，顺序地施加包含掺杂剂的化合物的第三前体和主要包含水蒸汽，臭氧，氧或氧等离子体中的至少一种的第四前体，以在衬底上沉积含掺杂剂材料的层。 过渡金属包括锆和铪中的至少一种。 掺杂剂包括钡，锶，钙，铌，铋，镁和铈中的至少一种。

公开(公告)号：US07402860B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11179052

申请日：2005-07-11

申请人： Christian Kapteyn ,  Stephan Kudelka ,  Thomas Hecht

发明人： Christian Kapteyn ,  Stephan Kudelka ,  Thomas Hecht

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/40

摘要： The present invention relates to a method of fabricating a capacitor in a semiconductor substrate. The capacitor is fabricated such that the capacitor comprises: a trench inside a substrate, the trench having a lower region and an upper region, wherein the trench's diameters in the lower region is larger than in the upper region; a first electrode; a dielectric layer on top of the first electrode; a conductive layer on top of the electric layer, the conductive layer forming a second electrode of the capacitor; and a plug forming a closed cavity inside the lower region.

摘要翻译： 本发明涉及在半导体衬底中制造电容器的方法。 电容器被制造成使得电容器包括：衬底内的沟槽，沟槽具有下部区域和上部区域，其中下部区域中的沟槽直径大于上部区域中的沟槽直径; 第一电极; 位于所述第一电极顶部的电介质层; 在所述电层顶部的导电层，所述导电层形成所述电容器的第二电极; 以及在下部区域内形成闭合腔的塞子。

公开(公告)号：US07312114B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US11115391

申请日：2005-04-27

申请人： Stephan Kudelka ,  Guenther Aichmayr

发明人： Stephan Kudelka ,  Guenther Aichmayr

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10867

摘要： The present invention relates to a manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar which is electrically connected with a substrate on a single side via a buried contact. More specifically, the present invention relates to manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar with a metal conductive fill in the collar region connected to a metal fill in the capacitor region.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有隔离环的沟槽式电容器的制造方法，该隔离环经由埋入式触点与单面侧的基板电连接。 更具体地说，本发明涉及一种具有隔离环的沟槽式电容器的制造方法，所述隔离环与在电容器区域中的金属填充物连接的环形区域中具有金属导电填料。

公开(公告)号：US07157382B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US11053668

申请日：2005-02-09

申请人： Stephan Kudelka

发明人： Stephan Kudelka

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L27/1087

摘要： The present invention provides a method for expanding a trench in a semiconductor structure. A trench is provided in a semiconductor substrate, hydrogen-terminated silicon surfaces are provided in the trench, anisotropic wet etching of the silicon surfaces in the trench with an alkaline etchant occur, and the trench is rinsed with a proton-containing neutralizing agent for the removal of the alkaline etchant. Between the wet etching step and the rinsing step, an anodic passivation of the etched silicon surfaces in the trench is carried out, in the course of which an etching stop layer is formed on the etched silicon surfaces in the trench.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于扩展半导体结构中的沟槽的方法。 在半导体衬底中设置沟槽，在沟槽中设置氢封端的硅表面，发生在碱性蚀刻剂中的沟槽中的硅表面的各向异性湿蚀刻，并且用含质子的中和剂冲洗沟槽 去除碱性蚀刻剂。 在湿蚀刻步骤和漂洗步骤之间，在沟槽中进行蚀刻的硅表面的阳极钝化，在该过程中，在沟槽中蚀刻的硅表面上形成蚀刻停止层。

公开(公告)号：US07157371B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10653599

申请日：2003-09-02

申请人： Thomas Hecht ,  Uwe Schroeder ,  Harald Seidl ,  Martin Gutsche ,  Stefan Jakschik ,  Stephan Kudelka ,  Albert Birner

发明人： Thomas Hecht ,  Uwe Schroeder ,  Harald Seidl ,  Martin Gutsche ,  Stefan Jakschik ,  Stephan Kudelka ,  Albert Birner

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/4941

摘要： A dielectric barrier layer composed of a metal oxide is applied in thin layers with a thickness of less than 20 nanometers in the course of processing semiconductor devices by sequential gas phase deposition or molecular beam epitaxy in molecular individual layers on differently structured base substrates. The method allows, inter alias, effective conductive diffusion barriers to be formed from a dielectric material, an optimization of the layer thickness of the barrier layer, an increase in the temperature budget for subsequent process steps, and a reduction in the effort for removing the temporary barrier layers.

摘要翻译： 由金属氧化物构成的电介质阻挡层通过在不同结构的基底衬底上的分子单层中的顺序气相沉积或分子束外延处理半导体器件的过程中以小于20纳米的厚度施加。 该方法允许间隔地从电介质材料形成有效的导电扩散阻挡层，优化阻挡层的层厚度，随后的工艺步骤的温度预算的增加以及用于去除 临时阻隔层。

公开(公告)号：US06974743B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10770264

申请日：2004-02-02

申请人： Ramac Divakaruni ,  Stephan Kudelka ,  Jack Mandelman

发明人： Ramac Divakaruni ,  Stephan Kudelka ,  Jack Mandelman

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L29/66537 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/10864 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7834

摘要： Semiconductor devices having improved isolation are provided along with methods of fabricating such semiconductor devices. The improved isolation includes an encapsulated spacer formed within a gate region of a device.

摘要翻译： 提供具有改进的隔离的半导体器件与制造这种半导体器件的方法一起提供。 改进的隔离包括形成在器件的栅极区域内的封装间隔物。

公开(公告)号：US06953722B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10425461

申请日：2003-04-29

申请人： Harald Seidl ,  Martin Gutsche ,  Thomas Hecht ,  Stefan Jakschik ,  Stephan Kudelka ,  Uwe Schröder ,  Matthias Schmeide

发明人： Harald Seidl ,  Martin Gutsche ,  Thomas Hecht ,  Stefan Jakschik ,  Stephan Kudelka ,  Uwe Schröder ,  Matthias Schmeide

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10867 ,  H01L21/31133

摘要： In a method for forming patterned ceramic layers, a ceramic material is deposited on a substrate and is subsequently densified by heat treatment, for example. In this case, the initially amorphous material is converted into a crystalline or polycrystalline form. In order that the now crystalline material can be removed again from the substrate, imperfections are produced in the ceramic material, for example by ion implantation. As a result, the etching medium can more easily attack the ceramic material, so that the latter can be removed with a higher etching rate. Through inclined implantation, the method can be performed in a self-aligning manner and the ceramic material can be removed on one side, by way of example, in trenches or deep trench capacitors.

摘要翻译： 在用于形成图案化陶瓷层的方法中，陶瓷材料沉积在基底上，并随后通过热处理致密化。 在这种情况下，最初的无定形材料被转化为结晶或多晶形式。 为了现在的结晶材料可以再次从衬底去除，例如通过离子注入在陶瓷材料中产生缺陷。 结果，蚀刻介质可以更容易地侵蚀陶瓷材料，使得后者可以以更高的蚀刻速率被去除。 通过倾斜注入，该方法可以以自对准的方式进行，并且陶瓷材料可以通过例如在沟槽或深沟槽电容器中被一侧除去。

公开(公告)号：US06927172B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10248841

申请日：2003-02-24

申请人： Wolfgang Bergner ,  Linda A. Chen ,  Stephan Kudelka ,  Franz X. Zach

发明人： Wolfgang Bergner ,  Linda A. Chen ,  Stephan Kudelka ,  Franz X. Zach

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/308 ,  H01L21/302

CPC分类号： G03F7/162 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083

摘要： Damage to the rim of a semiconductor wafer caused by etching processes is reduced by forming a rim of photoresist or other material around the outer edge of the wafer that has a thickness such that images projected on the rim are sufficiently out of focus that they do not develop, so that etching takes place only in the interior.

摘要翻译： 通过在晶片的外边缘周围形成光致抗蚀剂或其它材料的边缘来减少由蚀刻工艺引起的对半导体晶片的边缘的损伤，其厚度使得投影在边缘上的图像充分失焦， 发展，因此蚀刻只在内部进行。

公开(公告)号：US06919255B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10630373

申请日：2003-07-30

申请人： Albert Birner ,  Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht ,  Lars Heineck ,  Stephan Kudelka ,  Jörn Lützen ,  Dirk Manger ,  Andreas Orth

发明人： Albert Birner ,  Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht ,  Lars Heineck ,  Stephan Kudelka ,  Jörn Lützen ,  Dirk Manger ,  Andreas Orth

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： A method for fabricating a semiconductor trench structure includes forming a trench in a semiconductor substrate and filling it with a filler. A first thermal process having a first maximum temperature cures the filler. Removing the filler from an upper region of the trench as far as a boundary surface defines a collar region. In a second thermal process having a second maximum temperature that is not significantly higher than the first maximum temperature, a liner is deposited on the collar region and the boundary surface. The liner is removed from the boundary surface, thereby exposing the filler. The filler is then removed from a lower region of the trench.

摘要翻译： 一种制造半导体沟槽结构的方法包括在半导体衬底中形成沟槽并用填充物填充沟槽。 具有第一最高温度的第一热处理固化填料。 从沟槽的上部区域移除填料至达边界表面限定了一个环形区域。 在具有不显着高于第一最高温度的第二最高温度的第二热处理中，衬套沉积在套环区域和边界表面上。 将衬垫从边界表面移除，从而暴露填料。 然后从沟槽的下部区域去除填料。