公开(公告)号：US08231728B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US10563105

申请日：2004-04-28

申请人： Misao Takakusaki ,  Susumu Kanai

发明人： Misao Takakusaki ,  Susumu Kanai

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02631

摘要： An epitaxial growth method forming a semiconductor thin film including a heterojunction of a group III-V compound semiconductor by means of molecular beam epitaxy. The method is configured to include: a first step of irradiating a molecular beam of at least one of group III elements and a molecular beam of a first group V element to form a first compound semiconductor layer; a second step of stopping the irradiation of the molecular beam of the group III element and the molecular beam of the first group V element to halt growth until an amount of the first group V element supplied is reduced to 1/10 or less of a supply of the first group V element in the first step; and a third step of irradiating a molecular beam of at least one of the group III elements and a molecular beam of a second group V element to form a second compound semiconductor layer, which is different from the first compound semiconductor, on the first compound semiconductor layer.

摘要翻译： 通过分子束外延形成包含III-V族化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法。 该方法被配置为包括：照射III族元素中的至少一种的分子束和第一族V元素的分子束以形成第一化合物半导体层的第一步骤; 停止III族元素的分子束和第一族V族元素的分子束的照射的第二步骤，以停止生长，直到第一组V元素的供给量减少到供给量的1/10以下 的第一组V元素在第一步; 以及第三步骤，在第一化合物半导体上照射III族元素中的至少一种的分子束和第二族V元素的分子束以形成与第一化合物半导体不同的第二化合物半导体层 层。

公开(公告)号：US20120181547A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13428039

申请日：2012-03-23

申请人： Jeffrey S. Flynn ,  George R. Brandes ,  Robert P. Vaudo

发明人： Jeffrey S. Flynn ,  George R. Brandes ,  Robert P. Vaudo

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： The present invention relates to various switching device structures including Schottky diode, P-N diode, and P-I-N diode, which are characterized by low defect density, low crack density, low pit density and sufficient thickness (>2.5 um) GaN layers of low dopant concentration ( 2 KV).

摘要翻译： 本发明涉及包括肖特基二极管，PN二极管和PIN二极管的各种开关器件结构，其特征在于低缺陷密度，低裂纹密度，低凹坑密度和足够厚度（>2.5μm）低掺杂剂浓度的GaN层（ 在导电GaN层上生长的<1E16cm-3）。 这些器件在异质外延衬底（<2KV）上实现了更高的击穿电压，并且在同质外延衬底（> 2KV）上实现了极高的击穿电压。

公开(公告)号：US20120167820A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13268102

申请日：2011-10-07

申请人： Chong Ming Lee ,  Andrew Eng Jia Lee

发明人： Chong Ming Lee ,  Andrew Eng Jia Lee

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  C30B29/48

摘要： A method for making a flat substrate from incremental-width nanorods includes the steps of: providing a base layer, performing a lateral crystal growth process for a plurality of times, and forming a substrate. The base layer has a plurality of nanorods. Each time the lateral crystal growth process is performed, an additive reagent is added at a different concentration to enable lateral crystal growth and thereby increase the width of each nanorod incrementally. The incremental-width nanorods eventually bond with each other to form a substrate. The substrate may go through an annealing process so as to become a flat substrate.

摘要翻译： 用于从增量宽度纳米棒制造平坦基底的方法包括以下步骤：提供基底层，进行多次的横向晶体生长过程，以及形成基底。 基层具有多个纳米棒。 每次进行横向晶体生长处理时，以不同的浓度添加添加剂试剂以使横向晶体生长，从而逐渐增加每个纳米棒的宽度。 增量宽度的纳米棒最终彼此结合形成底物。 基板可以经过退火工艺以便成为平坦的基板。

公开(公告)号：US20120113417A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13384214

申请日：2010-07-19

申请人： Edmund Linfield ,  John Cunningham ,  Alexander Giles Davies ,  Christopher Wood ,  Paul John Cannard ,  David Graham Moodie ,  Xin Chen ,  Michael James Robertson

发明人： Edmund Linfield ,  John Cunningham ,  Alexander Giles Davies ,  Christopher Wood ,  Paul John Cannard ,  David Graham Moodie ,  Xin Chen ,  Michael James Robertson

IPC分类号： G01J3/00 ,  H01L33/58 ,  H01L33/02 ,  G01J1/42

CPC分类号： G02F2/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/3586 ,  G01S17/88 ,  G02F2202/10 ,  G02F2203/13 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02581 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/09 ,  Y02E10/544

摘要： A method of generating radiation comprises: manufacturing a structure comprising a substrate supporting a layer of InGaAs, InGaAsP, or InGaAlAs material doped with a dopant, said manufacturing comprising growing said layer such that said dopant is incorporated in said layer during growth of the layer; illuminating a portion of a surface of the structure with radiation having photon energies greater than or equal to a band gap of the doped InGaAs, InGaAsP, or InGaAlAs material so as to create electron-hole pairs in the layer of doped material; and accelerating the electrons and holes of said pairs with an electric field so as to generate radiation. In certain embodiments the dopant is Fe. Corresponding radiation detecting apparatus, spectroscopy systems, and antennas are described.

摘要翻译： 产生辐射的方法包括：制造包括支撑掺杂有掺杂剂的InGaAs，InGaAsP或InGaAlAs材料的衬底的衬底的结构，所述制造包括使所述层生长，使得所述掺杂剂在所述层的生长期间并入所述层中; 用大于或等于掺杂InGaAs，InGaAsP或InGaAlAs材料的带隙的光子能量的辐射照射结构的表面的一部分，以便在掺杂材料层中产生电子 - 空穴对; 并用电场加速所述对的电子和空穴，以产生辐射。 在某些实施方案中，掺杂剂是Fe。 描述了相应的辐射检测装置，光谱系统和天线。

公开(公告)号：US08173551B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US11852078

申请日：2007-09-07

申请人： Jie Bai ,  Ji-Soo Park ,  Anthony J. Lochtefeld

发明人： Jie Bai ,  Ji-Soo Park ,  Anthony J. Lochtefeld

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32

摘要： Lattice-mismatched epitaxial films formed proximate non-crystalline sidewalls. Embodiments of the invention include formation of facets that direct dislocations in the films to the sidewalls.

摘要翻译： 在非晶体侧壁附近形成晶格不匹配的外延膜。 本发明的实施例包括形成将薄膜中的位错引导到侧壁的小平面。

公开(公告)号：US20120104325A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13266079

申请日：2010-04-23

申请人： Dmitri V. Talapin ,  Maksym V. Kovalenko ,  Jong-Soo Lee ,  Chengyang Jiang

发明人： Dmitri V. Talapin ,  Maksym V. Kovalenko ,  Jong-Soo Lee ,  Chengyang Jiang

IPC分类号： H01B1/00 ,  C01G19/00 ,  C01G28/00 ,  C01B21/092 ,  C01G55/00 ,  C09K11/88 ,  H01B1/20 ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/62 ,  C09K11/78 ,  C09K11/67 ,  C01B19/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00

CPC分类号： H01L35/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C09D1/00 ,  C09D5/22 ,  C09D5/24 ,  C09K11/025 ,  C09K11/562 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  C30B7/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  H01B1/06 ,  H01B1/10

摘要： Disclosed herein is an isolable colloidal particle comprising a nanoparticle and an inorganic capping agent bound to the surface of the nanoparticle, a solution of the same, a method for making the same from a biphasic solvent mixture, and the formation of structures and solids from the isolable colloidal particle. The process can yield photovoltaic cells, piezoelectric crystals, thermoelectric layers, optoelectronic layers, light emitting diodes, ferroelectric layers, thin film transistors, floating gate memory devices, imaging devices, phase change layers, and sensor devices.

摘要翻译： 本文公开了一种可分离的胶体颗粒，其包含与纳米颗粒的表面结合的纳米颗粒和无机封端剂，其溶液，从双相溶剂混合物制备该纳米颗粒的方法，以及从 可分离胶体颗粒。 该方法可以产生光伏电池，压电晶体，热电层，光电子层，发光二极管，铁电层，薄膜晶体管，浮动栅极存储器件，成像器件，相变层和传感器器件。

公开(公告)号：US20120103250A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13344104

申请日：2012-01-05

申请人： Hiromitsu KATO ,  Satoshi Yamasaki ,  Hideyo Ookushi ,  Shinichi Shikata

发明人： Hiromitsu KATO ,  Satoshi Yamasaki ,  Hideyo Ookushi ,  Shinichi Shikata

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： C30B25/105 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/30

摘要： There is provided an n type (100) oriented single crystal diamond semiconductor film into which phosphorous atoms have been doped and a method of producing the same. The n type (100) oriented single crystal diamond semiconductor film, characterized in that (100) oriented diamond is epitaxially grown on a substrate under such conditions that; the diamond substrate is (100) oriented diamond, a means for chemical vapor deposition provides hydrogen, hydrocarbon and a phosphorous compound in the plasma vapor phase, the ratio of phosphorous atoms to carbon atoms in the plasma vapor phase is no less than 0.1%, and the ratio of carbon atoms to hydrogen atoms is no less than 0.05%, and the method of producing the same.

摘要翻译： 提供了掺杂有磷原子的n型（100）取向的单晶金刚石半导体膜及其制造方法。 n型（100）取向单晶金刚石半导体膜，其特征在于（100）定向金刚石在这样的条件下外延生长在基板上; 金刚石基体是（100）取向的金刚石，用于化学气相沉积的方法在等离子气相中提供氢，烃和磷化合物，等离子体气相中的磷原子与碳原子的比例不小于0.1％ 碳原子数相对于氢原子的比例为0.05％以上，制造该氢原子的方法。

公开(公告)号：US20120090533A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13142182

申请日：2010-01-15

申请人： Michael H. Bartl ,  Jacqueline T. Siy

发明人： Michael H. Bartl ,  Jacqueline T. Siy

IPC分类号： C30B7/14

CPC分类号： C30B7/14 ,  C09K11/881 ,  C09K11/883 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B29/605

摘要： Low-temperature organometallic nucleation and crystallization-based synthesis methods for the fabrication of semiconductor and metal colloidal nanocrystals with narrow size distributions and tunable, size- and shape-dependent electronic and optical properties. Methods include (1) forming a reaction mixture in a reaction vessel under an inert atmosphere that includes at least one solvent, a cationic precursor, an anionic precursor, and at least a first surface stabilizing ligand while stirring at a temperature in a range from about 50° C. to about 130° C. and (2) growing nanocrystals in the reaction mixture for a period of time while maintaining the temperature, the stirring, and the inert-gas atmosphere.

摘要翻译： 低温有机金属成核和基于结晶的合成方法，用于制造具有窄尺寸分布和可调谐，尺寸和形状依赖的电子和光学性质的半导体和金属胶体纳米晶体。 方法包括（1）在包括至少一种溶剂，阳离子前体，阴离子前体和至少第一表面稳定配体的惰性气氛下在反应容器中形成反应混合物，同时在约 50℃至约130℃，和（2）在保持温度，搅拌和惰性气体气氛的同时在反应混合物中生长纳米晶体一段时间。

公开(公告)号：US08148244B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US11486224

申请日：2006-07-13

申请人： Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265

摘要： A lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films. The process steps include selecting a semipolar nitride plane and composition, selecting a suitable substrate for growth of the semipolar nitride plane and composition, and applying a selective growth process in which the semipolar nitride nucleates on some areas of the substrate at the exclusion of other areas of the substrate, wherein the selective growth process includes lateral growth of nitride material by a lateral epitaxial overgrowth (LEO), sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO), cantilever epitaxy or nanomasking.

摘要翻译： 一种用于半极性氮化物薄膜缺陷还原的横向生长方法。 工艺步骤包括选择半极性氮化物平面和组成，选择用于生长半极性氮化物平面和组成的合适衬底，以及施加选择性生长工艺，其中半极性氮化物在其它区域的排除下在衬底的某些区域成核 其中选择性生长工艺包括通过横向外延过度生长（LEO），侧壁横向外延过度生长（SLEO），悬臂外延或纳米掩模的氮化物材料的侧向生长。

公开(公告)号：US20120074524A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13309365

申请日：2011-12-01

申请人： Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265

摘要： A lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films. The process steps include selecting a semipolar nitride plane and composition, selecting a suitable substrate for growth of the semipolar nitride plane and composition, and applying a selective growth process in which the semipolar nitride nucleates on some areas of the substrate at the exclusion of other areas of the substrate, wherein the selective growth process includes lateral growth of nitride material by a lateral epitaxial overgrowth (LEO), sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO), cantilever epitaxy or nanomasking.

摘要翻译： 一种用于半极性氮化物薄膜缺陷还原的横向生长方法。 工艺步骤包括选择半极性氮化物平面和组成，选择用于生长半极性氮化物平面和组成的合适衬底，以及施加选择性生长工艺，其中半极性氮化物在其它区域的排除下在衬底的某些区域成核 其中选择性生长工艺包括通过横向外延过度生长（LEO），侧壁横向外延过度生长（SLEO），悬臂外延或纳米掩模的氮化物材料的横向生长。