公开(公告)号：US5733706A

公开(公告)日：1998-03-31

申请号：US737989

申请日：1996-11-25

申请人： Recai Sezi ,  Rainer Leuschner ,  Horst Borndorfer ,  Eva-Maria Rissel ,  Michael Sebald ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Eberhard Kuhn

发明人： Recai Sezi ,  Rainer Leuschner ,  Horst Borndorfer ,  Eva-Maria Rissel ,  Michael Sebald ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Eberhard Kuhn

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03C1/73

CPC分类号： G03F7/038 ,  Y10S430/115

摘要： A dry-developable, positively acting TSI resist contains the following components: a suitable solvent, a strong acid former as the photoactive component, and a base polymer in the form of a copolymer or terpolymer with maleic acid anhydride as a basic unit and glycidyl methacrylate and/or a styrene derivative as a further basic unit, and possibly an additive.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE95 / 00626 Sec。 371日期：1996年11月25日 102（e）日期1996年11月25日PCT提交1995年5月11日PCT公布。 出版物WO95 / 32455 日期：1995年11月30日干性显影正性作用的TSI抗蚀剂包含以下组分：合适的溶剂，作为光活性组分的强酸形成剂，和与马来酸酐作为共聚物或三元共聚物形式的基础聚合物 碱性单元和甲基丙烯酸缩水甘油酯和/或苯乙烯衍生物作为另外的碱性单元，以及可能的添加剂。

公开(公告)号：US5688631A

公开(公告)日：1997-11-18

申请号：US618488

申请日：1996-03-19

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eva Rissel

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eva Rissel

IPC分类号： G03F7/022 ,  C08G73/22 ,  G03F7/023 ,  G03F7/037 ,  G03F7/039 ,  G03C1/492

CPC分类号： C08G73/22 ,  G03F7/0233

摘要： Methods for producing solutions of polybenzoxazol precursors that are soluble in alkali and resist solutions based on such precursors. A dicarboxylic acid halogenide is reacted with a bis-(o-aminophenol) in an organic solvent and in the presence of a polymer with a tertiary N atom, which is insoluble in the solvent. Excess polymer and hydrohalogenide are separated from the reaction solution. The reaction solution is optionally mixed with a photoactive component.

摘要翻译： 用于生产溶于碱的聚苯并恶唑前体溶液的方法和基于这些前体的抗溶液。 二羧酸卤化物与双 - （邻氨基苯酚）在有机溶剂中和在不溶于溶剂的叔N原子的存在下反应。 从反应溶液中分离出过量的聚合物和氢卤化物。 反应溶液任选地与光活性组分混合。

公开(公告)号：US5250375A

公开(公告)日：1993-10-05

申请号：US812585

申请日：1991-12-20

申请人： Michael Sebald ,  Juergen Beck ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne ,  Eberhard Kuehn

发明人： Michael Sebald ,  Juergen Beck ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne ,  Eberhard Kuehn

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  G03C5/58

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/039 ,  G03F7/405

摘要： A process for producing structures in the submicron range is characterized by the following steps:a photoresist layer comprising a polymer constituent with functional groups, which are capable of reacting with primary or secondary amines, and N-blocked imide groups, a photoinitiator which releases an acid when irradiated and a suitable solvent is deposited on to a substrate;the photoresist layer is dried;the photoresist layer is exposed in an imagewise manner;the exposed photoresist layer is subjected to a temperature treatment;the photoresist layer treated in this manner is developed with an aqueous-alkaline or organic developing agent into a photoresist structure; andthe photoresist structure is treated with a chemical agent containing a primary or secondary amine; a defined dark field loss, is adjusted thereby during development in the range of between 20 and 100 nm.

摘要翻译： 在亚微米范围内制造结构的方法的特征在于以下步骤：包含能与伯胺或仲胺反应的官能团的聚合物组分和N-封端的酰亚胺基的光致抗蚀剂层， 酸，并将合适的溶剂沉积在基材上; 干燥光致抗蚀剂层; 光致抗蚀剂层以成像方式曝光; 曝光的光刻胶层进行温度处理; 以这种方式处理的光致抗蚀剂层用含水碱性或有机显影剂显影成光致抗蚀剂结构; 并且用含有伯胺或仲胺的化学试剂处理光刻胶结构; 在20至100nm的范围内，在显影期间调节限定的暗场损耗。

公开(公告)号：US5194629A

公开(公告)日：1993-03-16

申请号：US812582

申请日：1991-12-20

申请人： Eberhard Kuehn ,  Juergen Beck ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Rainer Leuschner ,  Michael Sebald ,  Recai Sezi ,  Hans-Juergen Bestmann

发明人： Eberhard Kuehn ,  Juergen Beck ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Rainer Leuschner ,  Michael Sebald ,  Recai Sezi ,  Hans-Juergen Bestmann

IPC分类号： C07D207/452 ,  C07D207/44 ,  C07D207/444

CPC分类号： C07D207/452

摘要： To produce N-tertiary butoxycarbonyl-maleinimide, maleinimide is reacted in the presence of a heterocyclic nitrogen compound having at least one tertiary nitrogen atom (as a base) with a more or less equimolar quantity of di-tertiary butyl-dicarbonate in a suitable solvent at temperatures of up to about 80.degree. C.

摘要翻译： 为了制备N-叔丁氧基羰基 - 马来酰亚胺，将马来酰亚胺在具有至少一个叔氮原子（作为碱）的杂环氮化合物的存在下与等摩尔量的二碳酸二叔丁酯在合适的溶剂中反应 在高达约80℃的温度下

公开(公告)号：US08309454B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US11746936

申请日：2007-05-10

申请人： Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Recai Sezi

发明人： Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1617 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A workpiece has at least two semiconductor chips, each semiconductor chip having a first main surface, which is at least partially exposed, and a second main surface. The workpiece also comprises an electrically conducting layer, arranged on the at least two semiconductor chips, the electrically conducting layer being arranged at least on regions of the second main surface, and a molding compound, arranged on the electrically conducting layer.

摘要翻译： 工件具有至少两个半导体芯片，每个半导体芯片具有至少部分暴露的第一主表面和第二主表面。 所述工件还包括布置在所述至少两个半导体芯片上的导电层，所述导电层至少布置在所述第二主表面的区域上，所述模制化合物布置在所述导电层上。

公开(公告)号：US08076784B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12904561

申请日：2010-10-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Recai Sezi ,  Thorsten Meyer ,  Gottfried Beer

发明人： Markus Brunnbauer ,  Recai Sezi ,  Thorsten Meyer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

摘要： Stacked semiconductor chips are disclosed. One embodiment provides a method including a first substrate having a first surface and an opposing second surface. The first substrate includes an array of first connection elements on the first surface of the first substrate. A second substrate has a first surface and an opposing second surface. The second substrate includes an array of second connection elements on the first surface of the second substrate. The first connection elements is attached to the second connection elements; and is thinning at least one of the first substrate and the second substrate after the attachment of the first connection elements to the second connection elements.

摘要翻译： 公开了堆叠的半导体芯片。 一个实施例提供了包括具有第一表面和相对的第二表面的第一基底的方法。 第一衬底包括在第一衬底的第一表面上的第一连接元件的阵列。 第二基板具有第一表面和相对的第二表面。 第二衬底包括在第二衬底的第一表面上的第二连接元件的阵列。 第一连接元件附接到第二连接元件; 并且在将第一连接元件附接到第二连接元件之后使第一基板和第二基板中的至少一个变薄。

公开(公告)号：US07687895B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11939938

申请日：2007-11-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Thorsten Meyer ,  Recai Sezi ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Thorsten Meyer ,  Recai Sezi ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/60 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A workpiece has at least two semiconductor chips, each semiconductor chip having a first main surface, which is at least partially exposed, and a second main surface. The workpiece also includes an electrically conducting layer, arranged on the at least two semiconductor chips, the electrically conducting layer being arranged at least on regions of the second main surface, and a molding compound, arranged on the electrically conducting layer. In the molding compound a contact via is arranged.

摘要翻译： 工件具有至少两个半导体芯片，每个半导体芯片具有至少部分暴露的第一主表面和第二主表面。 工件还包括布置在至少两个半导体芯片上的导电层，导电层至少布置在第二主表面的区域上，以及配置在导电层上的模塑料。 在模塑料中配置有接触孔。

公开(公告)号：US20090294961A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12131541

申请日：2008-06-02

申请人： Thorsten Meyer ,  Recai Sezi ,  Markus Brunnbauer

发明人： Thorsten Meyer ,  Recai Sezi ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip and a metal layer electrically coupled to the semiconductor chip. The semiconductor device includes an array of solder balls coupled to the metal layer and a front side protect material directly contacting the metal layer and laterally surrounding a portion of at least a plurality of solder balls. The front side protect material is configured to become fluid during solder reflow.

摘要翻译： 半导体器件包括电连接到半导体芯片的半导体芯片和金属层。 半导体器件包括耦合到金属层的焊料球阵列和直接接触金属层并横向围绕至少多个焊球的一部分的前侧保护材料。 正面保护材料配置成在回流焊时成为流体。

公开(公告)号：US20090079089A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11859329

申请日：2007-09-21

申请人： Markus Brunnbauer ,  Recai Sezi ,  Thorsten Meyer ,  Gottfried Beer

发明人： Markus Brunnbauer ,  Recai Sezi ,  Thorsten Meyer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

摘要： Stacked semiconductor chips are disclosed. One embodiment provides a method including a first substrate having a first surface and an opposing second surface. The first substrate includes an array of first connection elements on the first surface of the first substrate. A second substrate has a first surface and an opposing second surface. The second substrate includes an array of second connection elements on the first surface of the second substrate. The first connection elements is attached to the second connection elements; and is thinning at least one of the first substrate and the second substrate after the attachment of the first connection elements to the second connection elements.

摘要翻译： 公开了堆叠的半导体芯片。 一个实施例提供了包括具有第一表面和相对的第二表面的第一基底的方法。 第一衬底包括在第一衬底的第一表面上的第一连接元件的阵列。 第二基板具有第一表面和相对的第二表面。 第二衬底包括在第二衬底的第一表面上的第二连接元件的阵列。 第一连接元件附接到第二连接元件; 并且在将第一连接元件附接到第二连接元件之后使第一基板和第二基板中的至少一个变薄。

公开(公告)号：US06861479B2

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：US10180438

申请日：2002-06-26

申请人： Recai Sezi

发明人： Recai Sezi

IPC分类号： C08J9/26 ,  C09D5/25 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C08L59/00 ,  C08L67/00 ,  C08L69/00 ,  C08L71/00 ,  C08L77/06

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2379/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695

摘要： Production of a porous layer includes using a composition which includes a first polymer component and a second polymer component, the first polymer component being polyhydroxyamide and/or polybenzoxazole and stable at a temperature at which the second polymer component decomposes and volatilizes. If the composition is heated to the decomposition temperature of the second polymer component, the second component volatilizes and a porous layer that contains the first component remains.

摘要翻译： 多孔层的制造包括使用包含第一聚合物组分和第二聚合物组分的组合物，第一聚合物组分是聚羟基酰胺和/或聚苯并恶唑，并且在第二聚合物组分分解和挥发的温度下是稳定的。 如果将组合物加热至第二聚合物组分的分解温度，则第二组分挥发，并且残留含有第一组分的多孔层。