公开(公告)号：US08993372B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13407731

申请日：2012-02-28

申请人： Manfred Schneegans ,  Carsten Ahrens ,  Adolf Koller ,  Gerald Lackner ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Manfred Schneegans ,  Carsten Ahrens ,  Adolf Koller ,  Gerald Lackner ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/8611 ,  Y10T428/218

摘要： Exemplary embodiments of a method for producing a semiconductor component having a polycrystalline semiconductor body region are disclosed, wherein the polycrystalline semiconductor body region is produced between the first and second surfaces of the semiconductor body in a semiconductor component section, wherein an electromagnetic radiation having a wavelength of at least 1064 nm is introduced into the semiconductor body in a manner focused onto a position in the semiconductor component section of the semiconductor body and wherein the power density of the radiation at the position is less than 1×108 W/cm2.

摘要翻译： 公开了一种用于制造具有多晶半导体体区域的半导体部件的制造方法的实施例，其中在半导体部件部分中在半导体主体的第一和第二表面之间产生多晶半导体本体区域，其中具有波长 至少1064nm的光束以聚焦到半导体主体的半导体部件部分中的位置的方式被引入半导体本体，并且其中该位置处的辐射的功率密度小于1×108W / cm 2。

公开(公告)号：US08946850B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13312180

申请日：2011-12-06

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L31/058

CPC分类号： H01L23/62 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment of an integrated circuit, the integrated circuit includes a power transistor with a power control terminal, a first power load terminal and a second power load terminal. The integrated circuit further includes an auxiliary transistor with an auxiliary control terminal, a first auxiliary load terminal and a second auxiliary load terminal. The first auxiliary load terminal is electrically coupled to the power control terminal. The integrated circuit further includes a capacitor with a first capacitor electrode, a second capacitor electrode and a capacitor dielectric layer. The capacitor dielectric layer includes at least one of a ferroelectric material and a paraelectric material. The first capacitor electrode is electrically coupled to the auxiliary control terminal.

摘要翻译： 在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子的功率晶体管，第一功率负载端子和第二功率负载端子。 集成电路还包括具有辅助控制端子的辅助晶体管，第一辅助负载端子和第二辅助负载端子。 第一辅助负载端子电耦合到功率控制端子。 集成电路还包括具有第一电容器电极，第二电容器电极和电容器电介质层的电容器。 电容介质层包括铁电材料和顺电材料中的至少一种。 第一电容器电极电耦合到辅助控制端子。

公开(公告)号：US08772126B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13571769

申请日：2012-08-10

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/683 ,  H01L41/338

CPC分类号： H01L29/06 ,  B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/764 ,  H01L21/78 ,  H01L22/26 ,  H01L29/66333

摘要： A cavity is etched from a front surface into a semiconductor substrate. After providing an etch stop structure at the bottom of the cavity, the cavity is closed. From a back surface opposite to the front surface the semiconductor substrate is grinded at least up to an edge of the etch stop structure oriented to the back surface. Providing the etch stop structure at the bottom of an etched cavity allows for precisely adjusting a thickness of a semiconductor body of a semiconductor device.

摘要翻译： 将腔从前表面刻蚀成半导体衬底。 在腔的底部提供蚀刻停止结构之后，空腔被关闭。 从与前表面相对的后表面，半导体衬底至少被研磨到定向到后表面的蚀刻停止结构的边缘。 在蚀刻腔的底部提供蚀刻停止结构允许精确地调节半导体器件的半导体本体的厚度。

公开(公告)号：US08680645B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13205759

申请日：2011-08-09

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

摘要： A semiconductor device having a semiconductor die is provided. The semiconductor die includes a main horizontal surface, an outer edge, an active area, and a peripheral area. The peripheral area includes a dielectric structure surrounding the active area and extending from the main horizontal surface into the semiconductor die. The dielectric structure includes, in a horizontal cross-section, at least one substantially L-shaped portion that is inclined against the outer edge. Further, a method for forming a semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供具有半导体管芯的半导体器件。 半导体管芯包括主水平表面，外边缘，有效区域和周边区域。 周边区域包括围绕有源区域并从主水平表面延伸到半导体管芯中的电介质结构。 电介质结构在水平截面中包括至少一个相对于外边缘倾斜的大致L形的部分。 此外，提供了一种用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20140042593A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13571455

申请日：2012-08-10

申请人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/225 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L23/36 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate. A first trench extends into or through the semiconductor substrate from a first side. A semiconductor layer adjoins the semiconductor substrate at the first side. The semiconductor layer caps the first trench at the first side. The semiconductor device further includes a contact at a second side of the semiconductor substrate opposite to the first side.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底。 第一沟槽从第一侧延伸进入或穿过半导体衬底。 半导体层在第一侧邻接半导体衬底。 半导体层在第一侧覆盖第一沟槽。 半导体器件还包括在与第一侧相对的半导体衬底的第二侧的接触。

公开(公告)号：US20130175529A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13347749

申请日：2012-01-11

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Philipp Seng

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Philipp Seng

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor diode is provided. The semiconductor diode includes a monocrystalline silicon semiconductor body including a first semiconductor region of a first conductivity type extending to a first surface of the semiconductor body and having a first maximum doping concentration, and a second semiconductor region of a second conductivity type forming a pn-junction with the first semiconductor region. The semiconductor diode further includes a polycrystalline silicon semiconductor region of the first conductivity type having a second maximum doping concentration which is higher than the first maximum doping concentration and adjoining the first semiconductor region on the first surface, a first metallization arranged on the polycrystalline silicon semiconductor region and in electric contact with the polycrystalline semiconductor region, and an edge-termination structure arranged next to the first semiconductor region. Further, a method for producing a semiconductor diode is provided.

摘要翻译： 提供半导体二极管。 半导体二极管包括单晶硅半导体本体，其包括延伸到半导体本体的第一表面并具有第一最大掺杂浓度的第一导电类型的第一半导体区域和形成第二导电类型的第二导电类型的第二半导体区域， 与第一半导体区域的连接。 半导体二极管还包括第一导电类型的多晶硅半导体区域，其具有高于第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度并与第一表面上的第一半导体区相邻，布置在多晶硅半导体上的第一金属化层 区域并与多晶半导体区域电接触，以及边缘端接结构，其布置在第一半导体区域的旁边。 此外，提供了一种用于制造半导体二极管的方法。

公开(公告)号：US08466046B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13407728

申请日：2012-02-28

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/8611 ,  Y10T428/218

摘要： A method may include producing at least one trench in a semiconductor body, starting from a surface of the semiconductor body, then producing at least one porous semiconductor body region in the semiconductor body starting from the at least one trench at least along a portion of the side walls of the trench, and then filling the trench with a semiconductor material of the semiconductor body.

摘要翻译： 一种方法可以包括从半导体本体的表面开始产生半导体本体中的至少一个沟槽，然后至少沿着半导体本体的一部分从至少一个沟槽起始在半导体本体中产生至少一个多孔半导体本体区域 沟槽的侧壁，然后用半导体本体的半导体材料填充沟槽。

公开(公告)号：US20130065379A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13229861

申请日：2011-09-12

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Anton Mauder ,  Johannes Baumgartl ,  Carsten Ahrens

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Anton Mauder ,  Johannes Baumgartl ,  Carsten Ahrens

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3223 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/1608

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a porous area of a semiconductor body. The semiconductor body includes a porous structure in the porous area. A semiconductor layer is formed on the porous area. Semiconductor regions are formed in the semiconductor layer. Then, the semiconductor layer is separated from the semiconductor body along the porous area, including introducing hydrogen into the porous area by a thermal treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成半导体本体的多孔区域。 半导体本体在多孔区域中包括多孔结构。 在多孔区域上形成半导体层。 在半导体层中形成半导体区域。 然后，半导体层沿着多孔区域与半导体本体分离，包括通过热处理将氢引入多孔区域。

公开(公告)号：US08269270B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US11016963

申请日：2004-12-20

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861

摘要： A vertical semiconductor component having a semiconductor body, which has an inner region and an edge region that is arranged between the inner region and an edge of the semiconductor body. At least one semiconductor junction between a first semiconductor zone of a first conduction type, said first semiconductor zone being arranged in the region of a first side of the semiconductor body in the inner region, and a second semiconductor zone of the second conduction type, said second semiconductor zone adjoining the first semiconductor zone in the vertical direction. A contiguous third semiconductor zone of the second conduction type, said third semiconductor zone being arranged at a distance from the first semiconductor zone in the second semiconductor zone in the vertical direction of the semiconductor body and extending as far as the edge region in the lateral direction of the semiconductor body, and the doping of the third semiconductor zone being selected in such a manner that it is completely depleted of charge carriers when a reverse voltage is applied to the pn junction.

摘要翻译： 一种具有半导体本体的垂直半导体部件，其具有布置在半导体本体的内部区域和边缘之间的内部区域和边缘区域。 在第一导电类型的第一半导体区域之间的至少一个半导体结，所述第一半导体区域布置在所述内部区域中的所述半导体本体的第一侧的区域中，以及所述第二导电类型的第二半导体区域， 第二半导体区在垂直方向上邻接第一半导体区。 第二导电类型的连续的第三半导体区域，所述第三半导体区域在半导体本体的垂直方向上与所述第二半导体区域中的所述第一半导体区域一定距离设置，并且在横向方向上延伸至所述边缘区域 并且以这样的方式选择第三半导体区域的掺杂，使得当向pn结施加反向电压时，其完全耗尽电荷载流子。

公开(公告)号：US20120217580A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13463243

申请日：2012-05-03

申请人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66719 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.

摘要翻译： 半导体器件包括源极，漏极和被配置为选择性地使电流在源极和漏极之间通过的栅极。 半导体器件包括源极和漏极之间的漂移区和邻近漂移区的第一场板。 半导体器件包括将第一场板与漂移区电隔离的电介质层，并且电介质层内的电荷接近靠近漂移区的电介质层的界面。