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    Passivation process for solar cell fabrication
    4.
    发明申请
    Passivation process for solar cell fabrication 失效
    太阳能电池制造的钝化过程

    公开(公告)号：US20100311203A1

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：US12479139

    申请日：2009-06-05

    申请人： Peter Borden ,  Michael P. Stewart ,  Li Xu ,  Hemant P. Mungekar ,  Christopher S. Olsen

    发明人： Peter Borden ,  Michael P. Stewart ,  Li Xu ,  Hemant P. Mungekar ,  Christopher S. Olsen

    IPC分类号： H01L31/0216

    CPC分类号： H01L31/1868 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： Embodiments of the invention contemplate the formation of a high efficiency solar cell using a novel plasma oxidation process to form a passivation film stack on a surface of a solar cell substrate. In one embodiment, the methods include providing a substrate having a first type of doping atom on a back surface of the substrate and a second type of doping atom on a front surface of the substrate, plasma oxidizing the back surface of the substrate to form an oxidation layer thereon, and forming a silicon nitride layer on the oxidation layer.

    摘要翻译： 本发明的实施例考虑使用新颖的等离子体氧化工艺形成高效太阳能电池，以在太阳能电池基板的表面上形成钝化膜堆叠。 在一个实施方案中，所述方法包括提供在衬底的背面上具有第一类型的掺杂原子的衬底和在衬底的前表面上的第二类型的掺杂原子，等离子体氧化衬底的背表面以形成 氧化层，并在氧化层上形成氮化硅层。

    Plasma surface treatment for SI and metal nanocrystal nucleation
    5.
    发明授权
    Plasma surface treatment for SI and metal nanocrystal nucleation 有权
    SI和金属纳米晶体成核的等离子体表面处理

    公开(公告)号：US07846793B2

    公开(公告)日：2010-12-07

    申请号：US11866625

    申请日：2007-10-03

    申请人： Christopher S. Olsen ,  Sean Seutter ,  Ming Li ,  Phillip Allan Kraus

    发明人： Christopher S. Olsen ,  Sean Seutter ,  Ming Li ,  Phillip Allan Kraus

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/4757

    CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/6719

    摘要： A device, such as a nonvolatile memory device, and methods for forming the device in an integrated process tool are provided. The method includes depositing a tunnel oxide layer on a substrate, exposing the tunnel oxide layer to a plasma so that the plasma alters a morphology of a surface and near surface of the tunnel oxide to form a plasma altered near surface. Nanocrystals are then deposited on the altered surface of the tunnel oxide.

    摘要翻译： 提供了诸如非易失性存储器件的装置，以及用于在集成处理工具中形成装置的方法。 该方法包括在衬底上沉积隧道氧化物层，将隧道氧化物层暴露于等离子体，使得等离子体改变隧道氧化物的表面和近表面的形态以形成等离子体改变的近表面。 然后将纳米晶体沉积在隧道氧化物的改变的表面上。

    Post Treatment Methods for Oxide Layers on Semiconductor Devices
    6.
    发明申请
    Post Treatment Methods for Oxide Layers on Semiconductor Devices 有权
    半导体器件氧化层的后处理方法

    公开(公告)号：US20100267248A1

    公开(公告)日：2010-10-21

    申请号：US12762467

    申请日：2010-04-19

    申请人： Kai Ma ,  Christopher S. Olsen ,  Yoshitaka Yokota

    发明人： Kai Ma ,  Christopher S. Olsen ,  Yoshitaka Yokota

    IPC分类号： H01L21/316

    CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31654

    摘要： Methods and apparatus for post treating an oxide layer on a semiconductor substrate are disclosed. In one or more embodiments, the oxide layer is formed by thermal oxidation or plasma oxidation and treated with a plasma comprising helium. The helium-containing plasma may also include hydrogen, neon, argon and combinations thereof. In one or more embodiments, a SiO2 oxide layer is formed on a silicon substrate and treated with a plasma to improve the interface between the silicon substrate and the SiO2 oxide layer.

    摘要翻译： 公开了用于后处理半导体衬底上的氧化物层的方法和装置。 在一个或多个实施方案中，通过热氧化或等离子体氧化形成氧化物层，并用包含氦的等离子体处理。 含氦的等离子体还可以包括氢，氖，氩及其组合。 在一个或多个实施例中，在硅衬底上形成SiO 2氧化物层并用等离子体处理以改善硅衬底和SiO 2氧化物层之间的界面。

    METHOD AND APPARATUS FOR METAL SILICIDE FORMATION
    7.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR METAL SILICIDE FORMATION 审中-公开
    金属硅化物形成的方法和装置

    公开(公告)号：US20100075499A1

    公开(公告)日：2010-03-25

    申请号：US12233858

    申请日：2008-09-19

    申请人： CHRISTOPHER S. OLSEN

    发明人： CHRISTOPHER S. OLSEN

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/2855 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/78

    摘要： Embodiments described herein include methods of forming metal silicide layers using a diffusionless annealing process. In one embodiment a method for forming a metal silicide material on a substrate is provided. The method comprises depositing a metal material over a silicon containing surface of a substrate, depositing a metal nitride material over the metal material, depositing a metallic contact material over the metal nitride material, and exposing the substrate to a diffusionless annealing process to form a metal silicide material. The short time-frame of the diffusionless annealing process reduces the time for the diffusion of nitrogen to the silicon containing interface to form silicon nitride thus minimizing the interfacial resistance.

    摘要翻译： 本文描述的实施例包括使用无扩散退火工艺形成金属硅化物层的方法。 在一个实施例中，提供了一种在衬底上形成金属硅化物材料的方法。 该方法包括在衬底的含硅表面上沉积金属材料，在金属材料上沉积金属氮化物材料，在金属氮化物材料上沉积金属接触材料，并将衬底暴露于无扩散退火工艺以形成金属 硅化物材料 无扩散退火工艺的短时间框架减少了氮扩散到含硅界面的时间，以形成氮化硅，从而使界面电阻最小化。

    POST OXIDATION ANNEALING OF LOW TEMPERATURE THERMAL OR PLASMA BASED OXIDATION
    8.
    发明申请
    POST OXIDATION ANNEALING OF LOW TEMPERATURE THERMAL OR PLASMA BASED OXIDATION 审中-公开
    低温热或基于等离子体氧化的氧化后退火

    公开(公告)号：US20090311877A1

    公开(公告)日：2009-12-17

    申请号：US12143626

    申请日：2008-06-20

    申请人： CHRISTOPHER S. OLSEN ,  Yoshitaka Yokota ,  Rajesh Mani ,  Johanes Swenberg

    发明人： CHRISTOPHER S. OLSEN ,  Yoshitaka Yokota ,  Rajesh Mani ,  Johanes Swenberg

    IPC分类号： H01L21/316

    CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/517

    摘要： Embodiments of the present invention provide methods of forming oxide layers on semiconductor substrates. In some embodiments, a method of forming an oxide layer on a semiconductor substrate includes forming an oxide layer on a substrate using an oxidation process having a first process gas at a first temperature less than about 800 degrees Celsius; and annealing the oxide layer formed on the substrate in the presence of a second process gas and at a second temperature. The oxidation process may be a plasma or thermal oxidation process performed at a temperature of about 800 degrees Celsius or below. In some embodiments, the post oxidation annealing process may be a spike or soak rapid thermal process, a laser anneal, or a flash anneal performed at a temperature of at least about 700 degrees Celsius, at least about 800 degrees Celsius, or at least about 950 degrees Celsius.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了在半导体衬底上形成氧化物层的方法。 在一些实施例中，在半导体衬底上形成氧化物层的方法包括：在第一温度低于约800摄氏度的氧化工艺中，使用具有第一工艺气体的氧化工艺在衬底上形成氧化物层; 以及在第二工艺气体的存在下和在第二温度下对形成在衬底上的氧化物层进行退火。 氧化过程可以是在约800摄氏度或更低的温度下进行的等离子体或热氧化过程。 在一些实施例中，后氧化退火工艺可以是在至少约700摄氏度，至少约800摄氏度或至少约800摄氏度的温度下执行的尖峰或浸泡快速热处理，激光退火或闪光退火 950摄氏度。

    Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps
    9.
    发明授权
    Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps 有权
    使用多个退火步骤的氮氧化硅栅介质形成

    公开(公告)号：US07429540B2

    公开(公告)日：2008-09-30

    申请号：US11397010

    申请日：2006-04-03

    申请人： Christopher S. Olsen

    发明人： Christopher S. Olsen

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/518

    摘要： A method for processing a semiconductor substrate in a chamber includes forming a silicon oxynitride film using a two-step anneal process. The first anneal step includes annealing the silicon oxynitride film in the presence of an oxidizing gas that has a partial pressure of about 1 to about 100 mTorr, and the second anneal step includes annealing the silicon oxynitride film with oxygen gas that has a flow rate of about 1 slm. The first anneal step is performed at a higher chamber temperature and higher chamber pressure than the second anneal step.

    摘要翻译： 在室中处理半导体衬底的方法包括使用两步退火工艺形成氧氮化硅膜。 第一退火步骤包括在分压为约1至约100mTorr的氧化气体存在下退火氧氮化硅膜，第二退火步骤包括用氧气对氧氮化硅膜进行退火，该氧气气体的流速为 约1 slm。 第一退火步骤在比第二退火步骤更高的室温度和更高的室压力下进行。

    Method for determining nitrogen concentration in a film of nitrided oxide material
    10.
    发明授权
    Method for determining nitrogen concentration in a film of nitrided oxide material 有权
    确定氮化物材料膜中氮浓度的方法

    公开(公告)号：US06313466B1

    公开(公告)日：2001-11-06

    申请号：US09310470

    申请日：1999-05-12

    申请人： Christopher S. Olsen ,  Subhas Bothra

    发明人： Christopher S. Olsen ,  Subhas Bothra

    IPC分类号： H01L213205

    CPC分类号： H01L21/3144

    摘要： In a method for determining the nitrogen concentration in a film of nitrided oxide material formed over a semiconductor wafer during fabrication of a semiconductor device an optical property of the film of nitrided oxide material is determined. The determined optical property is used to determine the nitrogen concentration in the film of nitrided oxide material. In one embodiment the optical property, e.g., extinction coefficient, k, is correlated to the nitrogen concentration measured by secondary ion mass spectroscopy. In a method of making a semiconductor device a film of nitrided oxide material is formed over a plurality of semiconductor wafers in a fab. The nitrogen concentration in the film of nitrided oxide material is monitored by periodically subjecting one of the wafers to an in-line test in the fab.

    摘要翻译： 在半导体装置的制造中，确定在半导体晶片上形成的氮化氧化物材料的膜中的氮浓度的方法中，确定氮化氧化物材料的膜的光学特性。 确定的光学性质用于确定氮化氧化物材料的膜中的氮浓度。 在一个实施方案中，光学性质，例如消光系数k与通过二次离子质谱法测量的氮浓度相关。 在制造半导体器件的方法中，在晶圆厂中的多个半导体晶片上形成氮化氧化物材料的膜。 氮化氧化物材料膜中的氮浓度通过周期性地使一个晶片在晶圆厂中进行在线测试来监测。