公开(公告)号：US08367541B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US11189866

申请日：2005-07-27

申请人： Kouichi Nagai ,  Hitoshi Saito ,  Kaoru Sugawara ,  Makoto Takahashi ,  Masahito Kudo ,  Kazuhiro Asai ,  Yukimasa Miyazaki ,  Katsuhiro Sato ,  Kaoru Saigoh

发明人： Kouichi Nagai ,  Hitoshi Saito ,  Kaoru Sugawara ,  Makoto Takahashi ,  Masahito Kudo ,  Kazuhiro Asai ,  Yukimasa Miyazaki ,  Katsuhiro Sato ,  Kaoru Saigoh

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552

摘要： After a ferroelectric capacitor is formed, an Al wiring (conductive pad) connected to the ferroelectric capacitor is formed. Then, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed around the Al wiring. Thereafter, as a penetration inhibiting film which inhibits penetration of moisture into the silicon oxide film, an Al2O3 film is formed.

摘要翻译： 在形成铁电电容器之后，形成连接到铁电电容器的Al布线（导电焊盘）。 然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。 此后，作为抑制水分渗透到氧化硅膜中的渗透抑制膜，形成Al 2 O 3膜。

公开(公告)号：US08241980B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12500262

申请日：2009-07-09

申请人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

发明人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/11509

摘要： Stable contact hole forming is attained even when an aluminum oxide film is present between layers provided with contact holes. The process comprises the steps of forming a first element layer on a semiconductor substrate; forming a first interlayer insulating film on the first element layer; forming a second element layer on the first interlayer insulating film; forming a second interlayer insulating film on the second element layer; forming a hole resist pattern on the second interlayer insulating film; conducting a first etching for forming of holes by etching the second interlayer insulating film; and conducting a second etching for extending of holes to the first element layer by etching the first interlayer insulating film.

摘要翻译： 即使当在设置有接触孔的层之间存在氧化铝膜时，也可以获得稳定的接触孔形成。 该方法包括在半导体衬底上形成第一元件层的步骤; 在所述第一元件层上形成第一层间绝缘膜; 在所述第一层间绝缘膜上形成第二元件层; 在所述第二元件层上形成第二层间绝缘膜; 在所述第二层间绝缘膜上形成孔抗蚀剂图案; 通过蚀刻第二层间绝缘膜进行用于形成空穴的第一蚀刻; 以及通过蚀刻所述第一层间绝缘膜进行第二蚀刻以将孔延伸到所述第一元件层。

公开(公告)号：US08466021B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13557552

申请日：2012-07-25

申请人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

发明人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/11509

摘要： Stable contact hole forming is attained even when an aluminum oxide film is present between layers provided with contact holes. The process comprises the steps of forming a first element layer on a semiconductor substrate; forming a first interlayer insulating film on the first element layer; forming a second element layer on the first interlayer insulating film; forming a second interlayer insulating film on the second element layer; forming a hole resist pattern on the second interlayer insulating film; conducting a first etching for forming of holes by etching the second interlayer insulating film; and conducting a second etching for extending of holes to the first element layer by etching the first interlayer insulating film.

摘要翻译： 即使当在设置有接触孔的层之间存在氧化铝膜时，也可以获得稳定的接触孔形成。 该方法包括在半导体衬底上形成第一元件层的步骤; 在所述第一元件层上形成第一层间绝缘膜; 在所述第一层间绝缘膜上形成第二元件层; 在所述第二元件层上形成第二层间绝缘膜; 在所述第二层间绝缘膜上形成孔抗蚀剂图案; 通过蚀刻第二层间绝缘膜进行用于形成空穴的第一蚀刻; 以及通过蚀刻所述第一层间绝缘膜进行第二蚀刻以将孔延伸到所述第一元件层。

公开(公告)号：US20120288965A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13557552

申请日：2012-07-25

申请人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

发明人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/11509

摘要： Stable contact hole forming is attained even when an aluminum oxide film is present between layers provided with contact holes. The process comprises the steps of forming a first element layer on a semiconductor substrate; forming a first interlayer insulating film on the first element layer; forming a second element layer on the first interlayer insulating film; forming a second interlayer insulating film on the second element layer; forming a hole resist pattern on the second interlayer insulating film; conducting a first etching for forming of holes by etching the second interlayer insulating film; and conducting a second etching for extending of holes to the first element layer by etching the first interlayer insulating film.

摘要翻译： 即使当在设置有接触孔的层之间存在氧化铝膜时，也可以获得稳定的接触孔形成。 该方法包括在半导体衬底上形成第一元件层的步骤; 在所述第一元件层上形成第一层间绝缘膜; 在所述第一层间绝缘膜上形成第二元件层; 在所述第二元件层上形成第二层间绝缘膜; 在所述第二层间绝缘膜上形成孔抗蚀剂图案; 通过蚀刻第二层间绝缘膜进行用于形成空穴的第一蚀刻; 以及通过蚀刻所述第一层间绝缘膜进行第二蚀刻以将孔延伸到所述第一元件层。

公开(公告)号：US07982254B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11969019

申请日：2008-01-03

申请人： Kouichi Nagai ,  Katsuhiro Sato ,  Kaoru Sugawara ,  Makoto Takahashi ,  Masahito Kudou ,  Kazuhiro Asai ,  Yukimasa Miyazaki ,  Kaoru Saigoh

发明人： Kouichi Nagai ,  Katsuhiro Sato ,  Kaoru Sugawara ,  Makoto Takahashi ,  Masahito Kudou ,  Kazuhiro Asai ,  Yukimasa Miyazaki ,  Kaoru Saigoh

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A protective film (56) having a water/hydrogen blocking function is formed so as to cover the periphery of a pad electrode (54a) while being electrically isolated from the pad electrode. A material selected in the embodiment for composing the protective film is a highly moisture-proof material having a water/hydrogen blocking function considerably superior to that of the insulating material, such as palladium (Pd) or palladium-containing material, and iridium (Ir) or iridium oxide (IrOx: typically x=2) or an iridium- or iridium oxide-containing material. An FeRAM capable of reliably preventing water/hydrogen from entering inside, and of maintaining high performance of the ferroelectric capacitor structure (30) may be realized only by a simple configuration.

摘要翻译： 形成具有水/氢阻断功能的保护膜（56），以便在与焊盘电极电隔离的同时覆盖焊盘电极（54a）的外围。 用于构成保护膜的实施方案中选择的材料是具有显着优于绝缘材料（例如钯（Pd）或含钯材料）和铱（Ir）的防氢/阻氢功能的高度防潮材料 ）或氧化铱（IrOx：通常为x = 2）或含铱或氧化铱的材料。 可以通过简单的结构实现能够可靠地防止水/氢进入内部并且保持铁电电容器结构（30）的高性能的FeRAM。

公开(公告)号：US20080099855A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11969019

申请日：2008-01-03

申请人： Kouichi NAGAI ,  Katsuhiro SATO ,  Kaoru SUGAWARA ,  Makoto TAKAHASHI ,  Masahito KUDOU ,  Kazuhiro ASAI ,  Yukimasa MIYAZAKI ,  Kaoru SAIGOH

发明人： Kouichi NAGAI ,  Katsuhiro SATO ,  Kaoru SUGAWARA ,  Makoto TAKAHASHI ,  Masahito KUDOU ,  Kazuhiro ASAI ,  Yukimasa MIYAZAKI ,  Kaoru SAIGOH

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A protective film (56) having a water/hydrogen blocking function is formed so as to cover the periphery of a pad electrode (54a) while being electrically isolated from the pad electrode. A material selected in the embodiment for composing the protective film is a highly moisture-proof material having a water/hydrogen blocking function considerably superior to that of the insulating material, such as palladium (Pd) or palladium-containing material, and iridium (Ir) or iridium oxide (IrOx: typically x=2) or an iridium- or iridium oxide-containing material. An FeRAM capable of reliably preventing water/hydrogen from entering inside, and of maintaining high performance of the ferroelectric capacitor structure (30) may be realized only by a simple configuration.

摘要翻译： 形成具有水/氢阻断功能的保护膜（56），以便在与焊盘电极电隔离的同时覆盖焊盘电极（54a）的外围。 用于构成保护膜的实施方案中选择的材料是具有显着优于绝缘材料（例如钯（Pd）或含钯材料）和铱（Ir）的防氢/阻氢功能的高度防潮材料 ）或氧化铱（IrO x x：通常为x = 2）或含铱或氧化铱的材料。 可以通过简单的结构来实现能够可靠地防止水/氢进入内部并且保持铁电电容器结构（30）的高性能的FeRAM。

公开(公告)号：US20060220081A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11189866

申请日：2005-07-27

申请人： Kouichi Nagai ,  Hitoshi Saito ,  Kaoru Sugawara ,  Makoto Takahashi ,  Masahito Kudo ,  Kazuhiro Asai ,  Yukimasa Miyazaki ,  Katsuhiro Sato ,  Kaoru Saigoh

发明人： Kouichi Nagai ,  Hitoshi Saito ,  Kaoru Sugawara ,  Makoto Takahashi ,  Masahito Kudo ,  Kazuhiro Asai ,  Yukimasa Miyazaki ,  Katsuhiro Sato ,  Kaoru Saigoh

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552

摘要： After a ferroelectric capacitor is formed, an Al wiring (conductive pad) connected to the ferroelectric capacitor is formed. Then, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed around the Al wiring. Thereafter, as a penetration inhibiting film which inhibits penetration of moisture into the silicon oxide film, an Al2O3 film is formed.

摘要翻译： 在形成铁电电容器之后，形成连接到铁电电容器的Al布线（导电焊盘）。 然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。 此后，作为抑制水分渗透到氧化硅膜中的渗透抑制膜，形成Al 2 O 3 3膜。

公开(公告)号：US20100001372A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12500262

申请日：2009-07-09

申请人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

发明人： Yukimasa Miyazaki ,  Kouichi Nagai ,  Hideaki Kikuchi

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/11509

摘要： Stable contact hole forming is attained even when an aluminum oxide film is present between layers provided with contact holes. The process comprises the steps of forming a first element layer on a semiconductor substrate; forming a first interlayer insulating film on the first element layer; forming a second element layer on the first interlayer insulating film; forming a second interlayer insulating film on the second element layer; forming a hole resist pattern on the second interlayer insulating film; conducting a first etching for forming of holes by etching the second interlayer insulating film; and conducting a second etching for extending of holes to the first element layer by etching the first interlayer insulating film.

摘要翻译： 即使当在设置有接触孔的层之间存在氧化铝膜时，也可以获得稳定的接触孔形成。 该方法包括在半导体衬底上形成第一元件层的步骤; 在所述第一元件层上形成第一层间绝缘膜; 在所述第一层间绝缘膜上形成第二元件层; 在所述第二元件层上形成第二层间绝缘膜; 在所述第二层间绝缘膜上形成孔抗蚀剂图案; 通过蚀刻第二层间绝缘膜进行用于形成空穴的第一蚀刻; 以及通过蚀刻所述第一层间绝缘膜进行第二蚀刻以将孔延伸到所述第一元件层。