公开(公告)号：US20130221385A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13820081

申请日：2011-06-22

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L33/64 ,  H01L33/58 ,  H01L33/08 ,  H01L33/42

CPC分类号： H01L33/64 ,  G02F1/133603 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/052 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0547 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting element includes a first conductivity type semiconductor base, a plurality of first conductivity type protrusion-shaped semiconductors formed on the semiconductor base, and a second conductivity type semiconductor layer that covers the protrusion-shaped semiconductors.

摘要翻译： 发光元件包括第一导电型半导体基底，形成在半导体基底上的多个第一导电型突起状半导体，以及覆盖突起状半导体的第二导电型半导体层。

公开(公告)号：US09190590B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US13820081

申请日：2011-06-22

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/64 ,  H01L33/58 ,  H01L33/08 ,  H01L31/052 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26 ,  H01L25/075 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/054 ,  H01L33/42 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/64 ,  G02F1/133603 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/052 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0547 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting element includes a first conductivity type semiconductor base, a plurality of first conductivity type protrusion-shaped semiconductors formed on the semiconductor base, and a second conductivity type semiconductor layer that covers the protrusion-shaped semiconductors.

摘要翻译： 发光元件包括第一导电型半导体基底，形成在半导体基底上的多个第一导电型突起状半导体，以及覆盖突起状半导体的第二导电型半导体层。

公开(公告)号：US09181630B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13809433

申请日：2011-06-14

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  C25D13/00 ,  H01L21/479 ,  H01L25/075 ,  H01L23/00 ,  H01L33/24 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

CPC分类号： C25D13/00 ,  H01L21/479 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/75655 ,  H01L2224/75723 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： This method for disposing fine objects, in a substrate preparing step, prepares a substrate having specified positions where fine objects (120) are to be disposed in an area where a first electrode (111) and a second electrode (112) face each other, and in a fluid introducing step, a fluid (121) is introduced on the substrate (110). The fluid (121) contains a plurality of the fine objects (120). The fine objects (120) are diode elements, each of which has, as an alignment structure, a front side layer (130) composed of a dielectric material, and a rear side layer (131) composed of a semiconductor. In the fine object disposing step, by applying an AC voltage to between the first electrode (111) and the second electrode (112), the fine objects (120) are disposed by dielectrophoresis with the front side layer (130) facing up at the predetermined positions in the area (A) where the first electrode (111) and the second electrode (112) face each other.

摘要翻译： 用于配置细小物体的方法在基板准备步骤中，准备在第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对的区域中具有细微物体（120）的特定位置的基板， 并且在流体引入步骤中，将流体（121）引入到所述基板（110）上。 流体（121）包含多个精细物体（120）。 精细物体（120）是二极管元件，每个二极管元件具有作为对准结构的由电介质材料构成的前侧层（130）和由半导体构成的后侧层（131）。 在微细物体设置步骤中，通过在第一电极（111）和第二电极（112）之间施加AC电压，通过介电电泳设置微细物体（120），其中前侧层（130）面向上 在第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对的区域（A）中的预定位置。

公开(公告)号：US20130168708A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13809433

申请日：2011-06-14

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Yoshifumi Yaoi ,  Takeshi Shiomi ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： C25D13/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/479

CPC分类号： C25D13/00 ,  H01L21/479 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/75655 ,  H01L2224/75723 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： This method for disposing fine objects, in a substrate preparing step, prepares a substrate having specified positions where fine objects (120) are to be disposed in an area where a first electrode (111) and a second electrode (112) face each other, and in a fluid introducing step, a fluid (121) is introduced on the substrate (110). The fluid (121) contains a plurality of the fine objects (120). The fine objects (120) are diode elements, each of which has, as an alignment structure, a front side layer (130) composed of a dielectric material, and a rear side layer (131) composed of a semiconductor. In the fine object disposing step, by applying an AC voltage to between the first electrode (111) and the second electrode (112), the fine objects (120) are disposed by dielectrophoresis with the front side layer (130) facing up at the predetermined positions in the area (A) where the first electrode (111) and the second electrode (112) face each other.

摘要翻译： 用于配置细小物体的方法在基板准备步骤中，准备在第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对的区域中具有细微物体（120）的特定位置的基板， 并且在流体引入步骤中，将流体（121）引入到所述基板（110）上。 流体（121）包含多个精细物体（120）。 精细物体（120）是二极管元件，每个二极管元件具有作为对准结构的由电介质材料构成的前侧层（130）和由半导体构成的后侧层（131）。 在微细物体设置步骤中，通过在第一电极（111）和第二电极（112）之间施加AC电压，通过介电电泳设置微细物体（120），其中前侧层（130）面向上 在第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对的区域（A）中的预定位置。

公开(公告)号：US20110089850A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12904788

申请日：2010-10-14

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Satoshi Morishita ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi ,  Yoshifumi Yaoi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Satoshi Morishita ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi ,  Yoshifumi Yaoi

IPC分类号： H05B37/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/36

CPC分类号： H05B33/0806 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0821

摘要： In a light emitting device, a P-type first region (506) and a P-type third region (508) are placed on both sides of an N-type second region (507) of a rod-like light emitting element (505). Therefore, even if connection of the first, third regions (506, 508) of the rod-like light emitting element (505) relative to the first, third electrodes (1, 3) is reversed, a diode polarity relative to the first, third electrodes (501, 503) is not reversed, making it possible to effectuate normal light emission. Thus, a connection of the first, third regions (506, 508) relative to the first, third electrodes (501, 503) may be reversed during a manufacturing process, making it unnecessary to provide marks or configurations for discrimination of orientation of the rod-like light emitting element (505), so that the manufacturing process can be simplified and manufacturing cost can be cut down.

摘要翻译： 在发光装置中，在杆状发光元件（505）的N型第二区域（507）的两侧配置P型第一区域（506）和P型第三区域（508） ）。 因此，即使棒状发光元件（505）的第一，第三区域（506,508）相对于第一，第三电极（1,3）的连接相反，二极管极性相对于第一， 第三电极（501,503）不反转，可以实现正常的发光。 因此，在制造过程中第一，第三区域（506,508）相对于第一，第三电极（501,503）的连接可以反转，使得不需要提供用于区分杆的取向的标记或构造 样的发光元件（505），从而能够简化制造工序，能够削减制造成本。

公开(公告)号：US20130027623A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13634030

申请日：2011-02-22

申请人： Tetsu Negishi ,  Akihide Shibata ,  Kenji Komiya ,  Fumiyoshi Yoshioka ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Tetsu Negishi ,  Akihide Shibata ,  Kenji Komiya ,  Fumiyoshi Yoshioka ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L33/08 ,  G02F1/136 ,  G02F1/13357 ,  H01L33/50 ,  H05B37/00

CPC分类号： G02F1/133603 ,  F21K9/00 ,  G02F1/133605 ,  G02F2001/133612 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/133628 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： A metal line 731 is formed in a linear area S of an insulative substrate 720, and moreover a metal line 732 is formed generally parallel to the metal line 731 with a specified distance thereto. The metal line 731 is connected to an n-type semiconductor core 701 of bar-like structure light-emitting elements 710A to 710D, and the metal line 732 is connected to a p-type semiconductor layer 702. By dividing the insulative substrate 720 into a plurality of divisional substrates, a plurality of light-emitting devices in each of which a plurality of bar-like structure light-emitting elements 710 are placed on the divisional substrates are formed.

摘要翻译： 金属线731形成在绝缘基板720的线性区域S中，此外，金属线732与金属线731大致平行地形成有规定的距离。 金属线731连接到棒状结构发光元件710A至710D的n型半导体芯701，并且金属线732连接到p型半导体层702.通过将绝缘衬底720分成 形成多个分割基板，在分割基板上形成多个棒状结构发光元件710的多个发光元件。

公开(公告)号：US09287242B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13582951

申请日：2011-01-25

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： In a light emitting device, one hundred or more bar-like structured light emitting elements (210) each having a light emitting area of 2,500π μm2 or less are placed on a mounting surface of one insulating substrate (200), so that the light emitting device fulfills little variation in luminance, long life, and high efficiency by dispersion of light emission with suppression of increase in temperatures in light emitting operations.

摘要翻译： 在发光器件中，每个发光面积为2500μm的100个以上的棒状结构化发光元件（210） μm2以下放置在一个绝缘基板（200）的安装面上，使得发光装置通过抑制发光操作中的温度上升而发出的发光分散，几乎不影响亮度，长寿命和高效率 。

公开(公告)号：US08872214B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US12904773

申请日：2010-10-14

申请人： Tetsu Negishi ,  Akihide Shibata ,  Satoshi Morishita ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Tetsu Negishi ,  Akihide Shibata ,  Satoshi Morishita ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： To facilitate electrode connections and achieve a high light emitting efficiency, a rod-like light-emitting device includes a semiconductor core of a first conductivity type having a rod shape, and a semiconductor layer of a second conductivity type formed to cover the semiconductor core. The outer peripheral surface of part of the semiconductor core is exposed.

摘要翻译： 为了促进电极连接并实现高发光效率，棒状发光器件包括具有棒状的第一导电类型的半导体芯和形成为覆盖半导体芯的第二导电类型的半导体层。 露出半导体芯的一部分的外周面。

公开(公告)号：US20120326181A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13582951

申请日：2011-01-25

申请人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Akihide Shibata ,  Tetsu Negishi ,  Kenji Komiya ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： In a light emitting device, one hundred or more bar-like structured light emitting elements (210) each having a light emitting area of 2,500π μm2 or less are placed on a mounting surface of one insulating substrate (200), so that the light emitting device fulfills little variation in luminance, long life, and high efficiency by dispersion of light emission with suppression of increase in temperatures in light emitting operations.

摘要翻译： 在发光器件中，每个发光面积为2500μm的100个以上的棒状结构化发光元件（210） μm2以下放置在一个绝缘基板（200）的安装面上，使得发光装置通过抑制发光操作中的温度上升而发出的发光分散，几乎不影响亮度，长寿命和高效率 。

公开(公告)号：US09329433B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US13634030

申请日：2011-02-22

申请人： Tetsu Negishi ,  Akihide Shibata ,  Kenji Komiya ,  Fumiyoshi Yoshioka ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

发明人： Tetsu Negishi ,  Akihide Shibata ,  Kenji Komiya ,  Fumiyoshi Yoshioka ,  Hiroshi Iwata ,  Akira Takahashi

IPC分类号： H01J9/24 ,  G02F1/1335 ,  H01L25/075 ,  H01L23/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC分类号： G02F1/133603 ,  F21K9/00 ,  G02F1/133605 ,  G02F2001/133612 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/133628 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： A metal line 731 is formed in a linear area S of an insulative substrate 720, and moreover a metal line 732 is formed generally parallel to the metal line 731 with a specified distance thereto. The metal line 731 is connected to an n-type semiconductor core 701 of bar-like structure light-emitting elements 710A to 710D, and the metal line 732 is connected to a p-type semiconductor layer 702. By dividing the insulative substrate 720 into a plurality of divisional substrates, a plurality of light-emitting devices in each of which a plurality of bar-like structure light-emitting elements 710 are placed on the divisional substrates are formed.

摘要翻译： 金属线731形成在绝缘基板720的线性区域S中，此外，金属线732与金属线731大致平行地形成有规定的距离。 金属线731连接到棒状结构发光元件710A至710D的n型半导体芯701，并且金属线732连接到p型半导体层702.通过将绝缘衬底720分成 形成多个分割基板，在分割基板上形成多个棒状结构发光元件710的多个发光元件。