公开(公告)号：US5330577A

公开(公告)日：1994-07-19

申请号：US934759

申请日：1992-10-27

申请人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Mitsuo Hirose

发明人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Mitsuo Hirose

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C23C16/4407 ,  Y10S148/017

摘要： A semiconductor fabrication apparatus for forming a film on a wafer by a CVD method provides for easy removal of the dust generated in a film-forming chamber without reducing the uptime/downtime ratio of the equipment. The apparatus includes one or more gas dispersing devices having gas releasing surfaces for releasing a reaction gas to form a film on a wafer; one or more wafer holders having wafer mounting surfaces opposed to the plane defined by the gas releasing surface; and one or more cleaners, each having a suction port and a brush connected to the suction port, provided opposing the gas releasing surface. Either the cleaner or the gas dispersing device is moved so that the brush contacts and traverses the gas releasing surface.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00136 Sec。 371日期：1992年10月27日 102（e）日期1992年10月27日PCT提交1992年2月12日PCT公布。 出版物WO92 / 日期：1992年9月3日。通过CVD方法在晶片上形成膜的半导体制造装置提供了容易地去除成膜室中产生的灰尘，而不会降低设备的正常运行时间/停机时间。 该装置包括一个或多个具有用于释放反应气体以在晶片上形成膜的气体释放表面的气体分散装置; 一个或多个晶片保持器具有与由气体释放表面限定的平面相对的晶片安装表面; 以及一个或多个清洁器，每个清洁器具有与气体释放表面相对设置的吸入口和连接到吸入口的刷子。 清洁器或气体分散装置移动，使得刷接触并横穿气体释放表面。

公开(公告)号：US5302209A

公开(公告)日：1994-04-12

申请号：US930709

申请日：1992-10-27

申请人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Mitsuo Hirose

发明人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Mitsuo Hirose

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/68764 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/68771

摘要： A continuous type automated apparatus for manufacturing a semiconductor device by forming a film on a wafer by a CVD method. The apparatus moves the wafer while maintaining the wafer at a predetermined temperature, and controls production of individual wafers and formation of multi-layer films of different types. The apparatus includes a wafer holder, a rotary shaft for supporting the wafer holder so that wafer loading surfaces of the wafer holder rotate in a circle within a single plane. A gas dispersion unit is provided separate from the wafer holder and facing the wafer loading surface of the wafer holder. A first pair of contacts are electrically connected to a heater and are mounted on the rotary shaft and a second pair of contacts are connected to a power source are in sliding contact with the first pair of contacts so that the rotation of the rotary shaft is not obstructed. This apparatus is useful as a continuous type automated CVD apparatus.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00135 Sec。 371日期：1992年10月27日 102（e）日期1992年10月27日PCT提交1992年2月12日PCT公布。 公开号WO92 / 15114 日期：1992年9月3日。一种用于通过CVD方法在晶片上形成薄膜制造半导体器件的连续型自动化装置。 该装置在将晶片保持在预定温度的同时移动晶片，并且控制单个晶片的生产和形成不同类型的多层膜。 该装置包括晶片保持器，用于支撑晶片保持器的旋转轴，使得晶片保持器的晶片加载表面在单个平面内以圆形旋转。 气体分散单元与晶片保持器分离设置并面向晶片保持器的晶片装载表面。 第一对触点电连接到加热器并且安装在旋转轴上，并且连接到电源的第二对触点与第一对触点滑动接触，使得旋转轴的旋转不是 阻碍了 该装置可用作连续型自动化CVD装置。

公开(公告)号：US5281295A

公开(公告)日：1994-01-25

申请号：US937879

申请日：1992-10-20

申请人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Mitsuo Hirose

发明人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Mitsuo Hirose

IPC分类号： B01J12/00 ,  B01J4/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207

摘要： A semiconductor fabrication apparatus includes a plurality of processing stations for film formation or etching, concurrently or continuously. The semiconductor fabrication apparatus is capable of supplying a process gas for film formation or etching from a single gas header to each processing station and provides uniform wafer processing at each processing station. The apparatus includes a process gas supply source; a plurality of branch pipes branched from the common header which, in turn, is connected to a process gas supply source; a plurality of outlet pipes connecting the branch pipes with the processing stations through first flow rate controllers; exhaust pipes also connected to the branch pipes; plural switching valves for switching the flow of process gas between the outlet pipes and the exhaust pipes; and plural second flow rate controllers in the exhaust pipes.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00137 Sec。 371日期：1992年10月20日 102（e）日期1992年10月20日PCT提交1992年2月12日PCT公布。 公开号WO92 / 15116 PCT 日期：1992年9月3日。半导体制造装置同时或连续地包括用于成膜或蚀刻的多个处理站。 半导体制造装置能够从单个气体集管向每个处理站提供用于成膜或蚀刻的处理气体，并且在每个处理站处提供均匀的晶片处理。 该装置包括工艺气体供应源; 多个分支管，从公共集管分支，其又连接到处理气体供应源; 通过第一流量控制器将分支管与处理站连接的多个出口管; 排气管也连接到分支管道; 用于切换出口管和排气管之间的处理气体流的多个切换阀; 和排气管中的多个第二流量控制器。

公开(公告)号：US06479409B2

公开(公告)日：2002-11-12

申请号：US09790568

申请日：2001-02-23

申请人： Yoshimi Shioya ,  Kouichi Ohira ,  Kazuo Maeda ,  Tomomi Suzuki ,  Hiroshi Ikakura ,  Youichi Yamamoto ,  Yuichiro Kotake ,  Shoji Ohgawara ,  Makoto Kurotobi

发明人： Yoshimi Shioya ,  Kouichi Ohira ,  Kazuo Maeda ,  Tomomi Suzuki ,  Hiroshi Ikakura ,  Youichi Yamamoto ,  Yuichiro Kotake ,  Shoji Ohgawara ,  Makoto Kurotobi

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C16/30 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method of fabricating a semiconductor device, in which an interlayer insulating film having a low dielectric constant is formed by coating a wiring, and either a via hole or a contact hole is formed in the interlayer insulating film. The method of fabricating a semiconductor device having the interlayer insulating film 25 formed on the film-formed substrate 21 with the exposed wiring 23, comprises the step of converting a silicon compound containing only the Si, O, C and H into a plasma gas as a film-forming gas to react the plasma gas, thus forming the block insulating film 24 containing silicon (Si), oxygen (O), carbon (C) and hydrogen (H) between the wiring 23 and the interlayer insulating film 25.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，其中通过涂覆布线形成具有低介电常数的层间绝缘膜，并且在层间绝缘膜中形成通孔或接触孔。 制造具有形成在膜形成基板21上的层间绝缘膜25与暴露布线23的半导体器件的方法包括将仅含有Si，O，C和H的硅化合物转化成等离子体气体的步骤， 使等离子体气体反应的成膜气体，从而在布线23和层间绝缘膜25之间形成含有硅（Si），氧（O），碳（C）和氢（H）的嵌段绝缘膜24。

公开(公告)号：US5679165A

公开(公告)日：1997-10-21

申请号：US531908

申请日：1995-09-18

申请人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Hiroshi Chino

发明人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Hiroshi Chino

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  C23C16/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/67167 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： An apparatus, for forming a film according to an automated continuous CVD (Chemical Vapor Deposition) method includes a wafer holder having a plurality of separate, detachable susceptors, a rotary shaft for rotating the wafer holder to rotate wafer mounting surfaces of the susceptors in one plane, a gas distributor spaced from the wafer holder and facing the moving surface of the wafer mounting surface to discharge a reaction gas onto the wafer mounting surfaces, and a heating instrument spaced from the wafer holder and facing the moving surface of the opposite side of the wafer mounting surfaces, in order to keep the wafer at a stable temperature during forming a film and to allow maintenance and repair to be easily and efficiently performed.

摘要翻译： 用于根据自动连续CVD（化学气相沉积）方法形成膜的装置包括具有多个分离的可拆卸基座的晶片保持器，用于旋转晶片保持器以使基座的晶片安装表面旋转的旋转轴 平面，与晶片保持器间隔开并面向晶片安装表面的移动表面的气体分配器，以将反应气体排放到晶片安装表面上;以及加热仪器，与晶片保持器间隔开并面对与晶片安装表面相对的移动表面 晶片安装表面，以便在形成膜期间将晶片保持在稳定的温度，并且允许容易且有效地进行维护和修理。

公开(公告)号：US5620523A

公开(公告)日：1997-04-15

申请号：US389791

申请日：1995-02-16

申请人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Yuhko Nishimoto

发明人： Kazuo Maeda ,  Kouichi Ohira ,  Yuhko Nishimoto

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244

摘要： This invention relates to film-forming apparatus for forming an insulating film, for example, by the CVD method using an activated reaction gas. It is aimed at simplifying the apparatus, ensuring high film quality, enhancing the efficiency of formation of a plasma, and improving the uniformity of thickness of the produced film. The film-forming apparatus includes a plasma generator and a first gas discharger for discharging a first reaction gas into the plasma generator and a second gas discharger for discharging a second reaction gas onto a substrate. The second gas discharger includes a plurality of gas discharge pipes, in each of which a plurality of gas discharge holes are formed, whereby the second reaction gas is discharged from the gas discharge holes into contact with the activated first reaction gas and is itself activated so that a film is formed on the substrate through reaction of first and second reaction gases.

摘要翻译： 本发明涉及用于形成绝缘膜的成膜装置，例如通过使用活性反应气体的CVD法。 旨在简化设备，确保高质量的膜，提高等离子体的形成效率，并提高所制膜的厚度均匀性。 成膜装置包括等离子体发生器和用于将第一反应气体排放到等离子体发生器中的第一气体放出器和用于将第二反应气体排放到基板上的第二气体放出器。 第二气体排出器包括多个气体排出管，其中形成有多个气体排出孔，由此第二反应气体从气体排出孔排出到与活化的第一反应气体接触，并且自身被激活 通过第一和第二反应气体的反应在基板上形成膜。

公开(公告)号：US06911405B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US09988685

申请日：2001-11-20

申请人： Yoshimi Shioya ,  Kouichi Ohira ,  Kazuo Maeda ,  Tomomi Suzuki ,  Youichi Yamamoto ,  Yuichiro Kotake ,  Hiroshi Ikakura ,  Shoji Ohgawara

发明人： Yoshimi Shioya ,  Kouichi Ohira ,  Kazuo Maeda ,  Tomomi Suzuki ,  Youichi Yamamoto ,  Yuichiro Kotake ,  Hiroshi Ikakura ,  Shoji Ohgawara

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L21/76 ,  H01L21/26 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76886

摘要： A process gas consisting of one of N2, N2O or a mixture thereof is converted to a plasma and then a surface of a copper wiring layer is exposed to the plasma of the process gas, whereby a surface portion of the copper wiring layer is reformed and made into a copper diffusion preventing barrier. According to this method, a noble semiconductor device can be provided having increased operational speed and less copper diffusion.

摘要翻译： 由N 2 N 2 N 2 O 2或其混合物之一组成的工艺气体被转化为等离子体，然后将铜布线层的表面暴露于等离子体 的处理气体，由此将铜布线层的表面部分重整并制成铜扩散防止屏障。 根据该方法，可以提供具有增加的操作速度和较少的铜扩散的贵金属半导体器件。

公开(公告)号：US06472334B2

公开(公告)日：2002-10-29

申请号：US09824106

申请日：2001-04-03

申请人： Hiroshi Ikakura ,  Tomomi Suzuki ,  Kazuo Maeda ,  Yoshimi Shioya ,  Kouichi Ohira

发明人： Hiroshi Ikakura ,  Tomomi Suzuki ,  Kazuo Maeda ,  Yoshimi Shioya ,  Kouichi Ohira

IPC分类号： H01L21469

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612

摘要： There is provided a method of forming a silicon-containing insulating film on a substrate by reacting a compound having siloxane bonds and Si—R bonds (R is alkyl group) with a plasmanized reaction gas containing an oxidizing gas and H2.

摘要翻译： 提供了通过使具有硅氧烷键的化合物和Si-R键（R为烷基）与含有氧化气体和H 2的质子化反应气体反应而在基板上形成含硅绝缘膜的方法。

公开(公告)号：US06435196B1

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09451706

申请日：1999-12-01

申请人： Noritada Satoh ,  Kouichi Ohira ,  Bunya Matsui ,  Kazuo Maeda

发明人： Noritada Satoh ,  Kouichi Ohira ,  Bunya Matsui ,  Kazuo Maeda

IPC分类号： B08B600

CPC分类号： H01L21/67028

摘要： The present invention relates to an impurity processing apparatus in which impurities such as phosphorus, boron, or the like are doped in a semiconductor substrate, etc., or a PSG (PhosphoSilicateGlass) film, a BSG (BoroSilicateGlass) film, or a BPSG (BoroPhosphoSilicateGlass) film, or a carbon film, etc. This apparatus includes a chamber having an introduction port for an impurity-containing ion gas which is connected to an impurity-containing gas supply section, a substrate holder supporting a substrate which is to be ion-injected, or doped, or on which a film is formed using the impurity-containing gas, an introduction port of a water-containing gas which is provided upstream of the substrate holder in accordance with a flow direction of the impurity-containing gas, and is connected to a water-containing gas supply section, and first plasma generating means in a space extending from the introduction port for water-containing gas to the substrate holder for converting water-containing gas to a plasma.

摘要翻译： 本发明涉及在半导体衬底等中掺杂诸如磷，硼等杂质的杂质处理装置，或PSG（磷酸硅酸盐玻璃）膜，BSG（硼硅酸盐玻璃）膜或BPSG（ BoroPhospho硅酸盐玻璃）膜或碳膜等。该装置包括具有与含杂质气体供给部连接的含杂质离子气体导入口的室，支撑待离子化的基板的基板保持架 注入或掺杂，或者使用含杂质的气体形成膜，根据含杂质气体的流动方向设置在衬底保持器的上游的含水气体的引入口， 并且连接到含水气体供给部，并且在从含水气体的导入口延伸到用于转换含水气体的基板保持器的空间中的第一等离子体产生装置 g气体到等离子体。

公开(公告)号：US06642157B2

公开(公告)日：2003-11-04

申请号：US09742242

申请日：2000-12-22

申请人： Yoshimi Shioya ,  Yuichiro Kotake ,  Youichi Yamamoto ,  Tomomi Suzuki ,  Hiroshi Ikakura ,  Shoji Ohgawara ,  Kouichi Ohira ,  Kazuo Maeda

发明人： Yoshimi Shioya ,  Yuichiro Kotake ,  Youichi Yamamoto ,  Tomomi Suzuki ,  Hiroshi Ikakura ,  Shoji Ohgawara ,  Kouichi Ohira ,  Kazuo Maeda

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/308 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76802

摘要： There is provided the film forming method of forming the insulating film 204 containing silicon on the substrate 103 by plasmanizing the compound having the siloxane bonds and the oxidizing gas to react with each other.

摘要翻译： 提供了通过使具有硅氧烷键的化合物和氧化气体通过等离子体反应而在衬底103上形成含有硅的绝缘膜204的成膜方法。