公开(公告)号：US5399462A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：US274571

申请日：1994-07-13

申请人： Krishna G. Sachdev ,  Premlatha Jagannathan ,  Robert N. Lang ,  Harbans S. Sachdev ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Joel R. Whitaker

发明人： Krishna G. Sachdev ,  Premlatha Jagannathan ,  Robert N. Lang ,  Harbans S. Sachdev ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Joel R. Whitaker

IPC分类号： G03F7/022 ,  C08G77/388 ,  G03F7/027 ,  G03F7/037 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/30 ,  G03F7/023 ,  G03F7/36

CPC分类号： C08G77/388 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

摘要： A method is provided for forming a microlithographic relief image having a width of less than one half micron in a bilayer resist composition. The resist composition comprises a single component, silicon-containing photoimageable layer and a polymeric underlayer having a high optical density and a refractive index similar to the refractive index of the overlaying resist. The method provides for the formation of a relief image in the top layer using an i-line (365 nm) or deep ultra violet (170 to 300 nm) light source, followed by O.sub.2 RIE transfer of the relief image into the polymeric underlayer.

摘要翻译： 提供了一种在双层抗蚀剂组合物中形成具有小于半微米宽度的微光刻浮雕图像的方法。 抗蚀剂组合物包含具有高的光密度和类似于覆盖抗蚀剂的折射率的折射率的单一组分，含硅光可成像层和聚合物底层。 该方法提供了使用i线（365nm）或深紫外（170至300nm）光源在顶层中形成浮雕图像，随后将浮雕图像的O2 RIE转移到聚合物底层中。

公开(公告)号：US5115090A

公开(公告)日：1992-05-19

申请号：US503401

申请日：1990-03-30

申请人： Krishna G. Sachdev ,  John P. Hummel ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Leo L. Linehan ,  Harbans S. Sachdev

发明人： Krishna G. Sachdev ,  John P. Hummel ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Leo L. Linehan ,  Harbans S. Sachdev

IPC分类号： C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  H01L21/312 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L23/532 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C08G73/1014 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/4676

摘要： Viscosity stable, essentially gel-free linear polyamic acids are provided by a process utilizing offset stoichiometry. Polyimides formed from such polyamic acids have low TCE and low dielectric constants.Methods for improved adhesion of polyimides are also disclosed.

公开(公告)号：US5240812A

公开(公告)日：1993-08-31

申请号：US793884

申请日：1991-11-18

申请人： Willard E. Conley ,  Ranee W. Kwong ,  Richard J. Kvitek ,  Robert N. Lang ,  Christopher F. Lyons ,  Steve S. Miura ,  Wayne M. Moreau ,  Harbans S. Sachdev ,  Robert L. Wood

发明人： Willard E. Conley ,  Ranee W. Kwong ,  Richard J. Kvitek ,  Robert N. Lang ,  Christopher F. Lyons ,  Steve S. Miura ,  Wayne M. Moreau ,  Harbans S. Sachdev ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/09

CPC分类号： G03F7/092

摘要： A protective material for use as an overcoating film for acid catalyzed resist compositions comprising a polymeric film forming compound, the films of which are impermeable to vapors of organic and inorganic bases.

摘要翻译： 用作酸催化抗蚀剂组合物的外涂膜的保护材料，其包含聚合物成膜化合物，其膜对有机和无机碱的蒸气是不可渗透的。

公开(公告)号：US06821718B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10657168

申请日：2003-09-09

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  Wu-Song Huang ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Qinghuang Lin ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  Wu-Song Huang ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Qinghuang Lin ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03C500

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： A negative resist composition, comprising: (a) silicon-containing polymer with pendant fused moieties selected from the group consisting of fused aliphatic moieties, homocyclic fused aromatic moieties, and heterocyclic fused aromatic and sites for reaction with a crosslinking agent, (b) an acid-sensitive crosslinking agent, and (c) a radiation-sensitive acid generator is provided. The resist composition is used to form a patterned material layer in a substrate.

摘要翻译： 负性抗蚀剂组合物，其包含：（a）具有选自稠合脂族部分，稠环稠合芳族部分和杂环稠合芳族化合物的侧链稠合部分和与交联剂反应的位点的含硅聚合物，（b） 酸敏感性交联剂，和（c）辐射敏感性酸发生剂。 抗蚀剂组合物用于在基材中形成图案化的材料层。

公开(公告)号：US06586156B2

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：US09907392

申请日：2001-07-17

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Dai Junyan ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Dai Junyan ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106

摘要： A chemically amplified (CA) photoresist system wherein a terpolymer containing ketal/phenolic/silicon based sidechains is provided. Among other things, the terpolymers provide for improved bake technologies. In another aspect a process for lithographic treatment of a substrate by means of ketal/phenolic/silicon based compositions and corresponding processes for the production of an object, particularly an electronic component are provided.

摘要翻译： 一种化学放大（CA）光刻胶体系，其中提供含有缩酮/酚/硅基侧链的三元共聚物。 除其他外，三元共聚物可提供改进的烘烤技术。 在另一方面，提供了通过缩酮/酚/硅基组合物对基材进行光刻处理的方法和用于制备物体，特别是电子部件的相应方法。

公开(公告)号：US06420084B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09602136

申请日：2000-06-23

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0757

摘要： The invention provides improved resist compositions and lithographic methods using the resist compositions of the invention. The resist compositions of the invention are acid-catalyzed resists which are characterized by the presence of an SiO-containing polymer. The invention also encompasses methods of forming patterned material layers (especially conductive, semiconductive, or magnetic material structures) using the combination of the SiO-containing resist and a halogen compound-containing pattern transfer etchant where the halogen is Cl, Br or I.

摘要翻译： 本发明提供使用本发明的抗蚀剂组合物的改进的抗蚀剂组合物和平版印刷方法。 本发明的抗蚀剂组合物是酸催化的抗蚀剂，其特征在于存在含SiO的聚合物。 本发明还包括使用含SiO的抗蚀剂和含卤素化合物的图案转移蚀刻剂的组合形成图案化材料层（特别是导电，半导体或磁性材料结构）的方法，其中卤素是Cl，Br或I.

公开(公告)号：US06682860B2

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US10122876

申请日：2002-04-12

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  S. Jay Chey ,  Michael Straight Hibbs ,  Robert N. Lang ,  Arpan Pravin Mahorowala ,  Kenneth Christopher Racette

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  S. Jay Chey ,  Michael Straight Hibbs ,  Robert N. Lang ,  Arpan Pravin Mahorowala ,  Kenneth Christopher Racette

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/32 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/08

摘要： An attenuating embedded phase shift photomask blank that produces a phase shift of the transmitted light is formed with an optically translucent film made of metal, silicon, nitrogen and oxygen. An etch stop layer is added to improve the etch selectivity of the phase shifting layer. A wide range of optical transmission (0.001% up to 15% at 157 nm) is obtained by this process.

公开(公告)号：US06653045B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09785609

申请日：2001-02-16

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  Wu-Song Huang ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Qinghuang Lin ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  Wu-Song Huang ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Qinghuang Lin ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： A negative resist composition, comprising: (a) silicon-containing polymer with pendant fused moieties selected from the group consisting of fused aliphatic moieties, homocyclic fused aromatic moieties, and heterocyclic fused aromatic and sites for reaction with a crosslinking agent, (b) an acid-sensitive crosslinking agent, and (c) a radiation-sensitive acid generator is provided. The resist composition is used to form a patterned material layer in a substrate.

摘要翻译： 负性抗蚀剂组合物，其包含：（a）具有选自稠合脂族部分，稠环稠合芳族部分和杂环稠合芳族化合物的侧链稠合部分和与交联剂反应的位点的含硅聚合物，（b） 酸敏感性交联剂，和（c）辐射敏感性酸发生剂。 抗蚀剂组合物用于在基材中形成图案化的材料层。

公开(公告)号：US07314700B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US10537259

申请日：2002-12-05

申请人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo ,  Robert N. Lang ,  Marie Angelopoulos

发明人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo ,  Robert N. Lang ,  Marie Angelopoulos

IPC分类号： G03C1/492 ,  G03C1/494 ,  G03C1/76 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： The resist compositions having an acid sensitive imaging polymer and a radiation sensitive acid generator component comprising: (i) a first radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of dissolution-inhibiting acid generators, and (ii) a second radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of unprotected acidic group-functionalized acid generators and acid labile group-protected acidic group-functionalized radiation sensitive acid generators; enables formation of high sensitivity resists suitable for use in EPL, EUV, soft x-ray, and other low energy intensity lithographic imaging applications. The resist compositions may be useful in other lithographic processes as well.

摘要翻译： 具有酸敏感成像聚合物和辐射敏感性酸产生剂组分的抗蚀剂组合物包含：（i）选自溶解抑制酸产生剂的第一辐射敏感性酸产生剂，和（ii）选择的第二辐射敏感酸产生剂 由不受保护的酸性官能化酸产生剂和酸不稳定基团保护的酸性官能化辐射敏感酸发生剂组成的组; 能够形成适用于EPL，EUV，软X射线和其他低能量光刻成像应用的高灵敏度抗蚀剂。 抗蚀剂组合物也可用于其它平版印刷工艺。

公开(公告)号：US06979518B2

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10727925

申请日：2003-12-04

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  S. Jay Chey ,  Michael Straight Hibbs ,  Robert N. Lang ,  Arpan Pravin Mahorowala ,  Kenneth Christopher Racette

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  S. Jay Chey ,  Michael Straight Hibbs ,  Robert N. Lang ,  Arpan Pravin Mahorowala ,  Kenneth Christopher Racette

IPC分类号： G03F1/32 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/08

摘要： An attenuating embedded phase shift photomask blank that produces a phase shift of the transmitted light is formed with an optically translucent film made of metal, silicon, nitrogen and oxygen. An etch stop layer is added to improve the etch selectivity of the phase shifting layer. A wide range of optical transmission (0.001% up to 15% at 157 nm) is obtained by this process.

摘要翻译： 通过由金属，硅，氮和氧制成的光学半透明的膜形成产生透射光的相移的衰减的嵌入式相移光掩模坯料。 加入蚀刻停止层以改善相移层的蚀刻选择性。 通过该方法获得宽范围的光学透射（0.001nm至15％，157nm）。