公开(公告)号：US08169062B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US13114063

申请日：2011-05-24

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor integrated circuit package having a leadframe (108) that includes a leadframe pad (103a) disposed under a die (100) and a bonding metal area (101a) that is disposed over at least two adjacent sides of the die. The increase in the bonding metal area (101a) increases the number of interconnections between the metal area (101a) and the die (100) to reduce the electric resistance and inductance. Furthermore, the surface area of the external terminals radiating from the package's plastic body (106) is increased if not maximized so that heat can be dissipated quicker and external terminal resistances reduced. The integrated circuit is applicable for MOSFET devices and the bonding metal area (101a) is used for the source terminal (101). The bonding metal area may have a “L” shape, a “C” shape, a “J” shape, an “I” shape or any combination thereof.

摘要翻译： 一种半导体集成电路封装，具有引线框架（108），该引线框架（108）包括设置在管芯（100）下方的引线框架（103a）和设置在管芯的至少两个相邻侧面上的接合金属区域（101a）。 接合金属区域（101a）的增加增加了金属区域（101a）和模具（100）之间的互连次数，以降低电阻和电感。 此外，从封装的塑料体（106）辐射的外部端子的表面积如果没有最大化则增加，使得能够更快地消散热量并且降低外部端子电阻。 集成电路适用于MOSFET器件，并且用于源极端子（101）的接合金属区域（101a）。 接合金属区域可以具有“L”形，“C”形，“J”形，“I”形或其任何组合。

公开(公告)号：US20090014853A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US12215049

申请日：2008-06-23

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor integrated circuit package having a leadframe (108) that includes a leadframe pad (103a) disposed under a die (100) and a bonding metal area (101a) that is disposed over at least two adjacent sides of the die. The increase in the bonding metal area (101a) increases the number of interconnections between the metal area (101a) and the die (100) to reduce the electric resistance and inductance. Furthermore, the surface area of the external terminals radiating from the package's plastic body (106) is increased if not maximized so that heat can be dissipated quicker and external terminal resistances reduced. The integrated circuit is applicable for MOSFET devices and the bonding metal area (101a) is used for the source terminal (101). The bonding metal area may have a “L” shape, a “C” shape, a “J” shape, an “I” shape or any combination thereof.

摘要翻译： 一种半导体集成电路封装，具有引线框架（108），该引线框架（108）包括设置在管芯（100）下方的引线框架（103a）和设置在管芯的至少两个相邻侧面上的接合金属区域（101a）。 接合金属区域（101a）的增加增加了金属区域（101a）和模具（100）之间的互连次数，以降低电阻和电感。 此外，从封装的塑料体（106）辐射的外部端子的表面积如果没有最大化则增加，使得能够更快地消散热量并且降低外部端子电阻。 集成电路适用于MOSFET器件，并且用于源极端子（101）的接合金属区域（101a）。 接合金属区域可以具有“L”形，“C”形，“J”形，“I”形或其任何组合。

公开(公告)号：US08067822B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US12215049

申请日：2008-06-23

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor integrated circuit package having a leadframe (108) that includes a leadframe pad (103a) disposed under a die (100) and a bonding metal area (101a) that is disposed over at least two adjacent sides of the die. The increase in the bonding metal area (101a) increases the number of interconnections between the metal area (101a) and the die (100) to reduce the electric resistance and inductance. Furthermore, the surface area of the external terminals radiating from the package's plastic body (106) is increased if not maximized so that heat can be dissipated quicker and external terminal resistances reduced. The integrated circuit is applicable for MOSFET devices and the bonding metal area (101a) is used for the source terminal (101). The bonding metal area may have a “L” shape, a “C” shape, a “J” shape, an “I” shape or any combination thereof.

摘要翻译： 一种半导体集成电路封装，具有引线框架（108），该引线框架（108）包括设置在管芯（100）下方的引线框架（103a）和设置在管芯的至少两个相邻侧面上的接合金属区域（101a）。 接合金属区域（101a）的增加增加了金属区域（101a）和模具（100）之间的互连次数，以降低电阻和电感。 此外，从封装的塑料体（106）辐射的外部端子的表面积如果没有最大化则增加，使得能够更快地消散热量并且降低外部端子电阻。 集成电路适用于MOSFET器件，并且用于源极端子（101）的接合金属区域（101a）。 接合金属区域可以具有“L”形，“C”形，“J”形，“I”形或其任何组合。

公开(公告)号：US06841852B2

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：US10189333

申请日：2002-07-02

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor integrated circuit package having a leadframe (108) that includes a leadframe pad (103a) disposed under a die (100) and a bonding metal area (101a) that is disposed over at least two adjacent sides of the die. The increase in the bonding metal area (101a) increases the number of interconnections between the metal area (101a) and the die (100) to reduce the electric resistance and inductance. Furthermore, the surface area of the external terminals radiating from the package's plastic body (106) is increased if not maximized so that heat can be dissipated quicker and external terminal resistances reduced. The integrated circuit is applicable for MOSFET devices and the bonding metal area (101a) is used for the source terminal (101). The bonding metal area may have a “L” shape, a “C” shape, a “J” shape, an “I” shape or any combination thereof.

摘要翻译： 一种半导体集成电路封装，具有引线框架（108），该引线框架（108）包括设置在管芯（100）下方的引线框架（103a）和设置在管芯的至少两个相邻侧面上的接合金属区域（101a）。 接合金属区域（101a）的增加增加了金属区域（101a）和模具（100）之间的互连次数，以降低电阻和电感。 此外，从封装的塑料体（106）辐射的外部端子的表面积如果没有最大化则增加，使得能够更快地消散热量并且降低外部端子电阻。 集成电路适用于MOSFET器件，并且用于源极端子（101）的接合金属区域（101a）。 接合金属区域可以具有“L”形，“C”形，“J”形，“I”形或其任何组合。

公开(公告)号：US07391100B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10972746

申请日：2004-10-25

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L23/485 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor integrated circuit package having a leadframe (108) that includes a leadframe pad (103a) disposed under a die (100) and a bonding metal area (101a) that is disposed over at least two adjacent sides of the die. The increase in the bonding metal area (101a) increases the number of interconnections between the metal area (101a) and the die (100) to reduce the electric resistance and inductance. Furthermore, the surface area of the external terminals radiating from the package's plastic body (106) is increased if not maximized so that heat can be dissipated quicker and external terminal resistances reduced. The integrated circuit is applicable for MOSFET devices and the bonding metal area (101a) is used for the source terminal (101). The bonding metal area may have a “L” shape, a “C” shape, a “J” shape, an “I” shape or any combination thereof.

摘要翻译： 一种具有引线框架（108）的半导体集成电路封装，该引线框架（108）包括设置在管芯（100）下方的引线框焊盘（103a）和设置在管芯的至少两个相邻侧面上的接合金属区域（101a）。 接合金属区域（101a）的增加增加了金属区域（101a）和管芯（100）之间的互连次数，以降低电阻和电感。 此外，从封装的塑料体（106）辐射的外部端子的表面积如果没有最大化则增加，使得能够更快地消散热量并且降低外部端子电阻。 该集成电路适用于MOSFET器件，并且焊接金属区域（101a）用于源极端子（101）。 接合金属区域可以具有“L”形，“C”形，“J”形，“I”形或其任何组合。

公开(公告)号：US20110221005A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13114063

申请日：2011-05-24

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Yueh-Se Ho ,  Sik K. Lui ,  Mike Chang

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor integrated circuit package having a leadframe (108) that includes a leadframe pad (103a) disposed under a die (100) and a bonding metal area (101a) that is disposed over at least two adjacent sides of the die. The increase in the s bonding metal area (101a) increases the number of interconnections between the metal area (101a) and the die (100) to reduce the electric resistance and inductance. Furthermore, the surface area of the external terminals radiating from the package's plastic body (106) is increased if not maximized so that heat can be dissipated quicker and external terminal, resistances reduced. The integrated circuit is applicable for MOSFET devices and the bonding metal area (101a) is used for the source terminal (101). The bonding metal area may have a “L” shape, a “C” shape, a “J” shape, an “I” shape or any combination thereof.

摘要翻译： 一种半导体集成电路封装，具有引线框架（108），该引线框架（108）包括设置在管芯（100）下方的引线框架（103a）和设置在管芯的至少两个相邻侧面上的接合金属区域（101a）。 焊接金属区域（101a）的增加增加了金属区域（101a）和管芯（100）之间的互连次数，以降低电阻和电感。 此外，从封装的塑料体（106）辐射的外部端子的表面积如果不最大化则增加，从而可以更快地消散热量并且减少外部端子的电阻。 集成电路适用于MOSFET器件，并且用于源极端子（101）的接合金属区域（101a）。 接合金属区域可以具有“L”形，“C”形，“J”形，“I”形或其任何组合。

公开(公告)号：US07633140B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US10732181

申请日：2003-12-09

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Sik K. Lui ,  Yueh-Se Ho ,  Mike F. Chang ,  Xiao Tiang Zhang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Sik K. Lui ,  Yueh-Se Ho ,  Mike F. Chang ,  Xiao Tiang Zhang

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor package includes a lead frame having a plurality of leads and a lead frame pad, the lead frame pad including a die coupled thereto, at least one of the plurality of leads having an external portion sloped upwards relative to a bottom surface of the package, metal connectors connecting the die to the plurality of leads, and a resin body encapsulating the die, metal connectors and at least a portion of the lead frame.

摘要翻译： 半导体封装包括具有多个引线和引线框架焊盘的引线框架，所述引线框架焊盘包括耦合到其上的管芯，所述多个引线中的至少一个引线具有相对于所述封装的底表面向上倾斜的外部部分 将模具连接到多个引线的金属连接器以及封装模具，金属连接器和引线框架的至少一部分的树脂体。

公开(公告)号：US07208818B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US10896375

申请日：2004-07-20

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Sik K. Lui ,  Yueh-Se Ho ,  Mike F. Chang ,  Xiao Tian Zhang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Sik K. Lui ,  Yueh-Se Ho ,  Mike F. Chang ,  Xiao Tian Zhang

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

摘要： A semiconductor package including a relatively thick lead frame having a plurality of leads and a first lead frame pad, the first lead frame pad including a die coupled thereto, bonding wires connecting the die to the plurality of leads, the bonding wires being aluminum, and a resin body encapsulating the die, bonding wires and at least a portion of the lead frame.

摘要翻译： 一种半导体封装，包括具有多个引线的相对厚的引线框架和第一引线框架焊盘，所述第一引线框焊盘包括与其连接的管芯，将所述管芯连接到所述多个引线的接合线，所述接合线为铝，以及 封装模具的树脂体，接合线和引线框架的至少一部分。

公开(公告)号：US07183616B2

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：US10208275

申请日：2002-07-30

申请人： Anup Bhalla ,  Sik K Lui ,  Leeshawn Luo ,  Yueh-Se Ho

发明人： Anup Bhalla ,  Sik K Lui ,  Leeshawn Luo ,  Yueh-Se Ho

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/119 ,  H01L31/113 ,  H01L23/34 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： This invention discloses a method for configuring a power MOSFET package by packaging several paralleled and separated MOSFET chips in the assembly. The method further includes a step of connecting the gate pad on each of these MOSFET chips with a low-resistance gate bus. The package resistance and inductance are significantly reduced and switching speed and heat dissipation are substantially improved.

摘要翻译： 本发明公开了一种通过在组件中封装几个并联和分离的MOSFET芯片来配置功率MOSFET封装的方法。 该方法还包括将这些MOSFET芯片中的每一个上的栅极焊盘与低电阻栅极总线连接的步骤。 封装电阻和电感显着降低，开关速度和散热明显提高。

公开(公告)号：US20060017141A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10896375

申请日：2004-07-20

申请人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Sik Lui ,  Yueh-Se Ho ,  Mike Chang ,  Xiao Zhang

发明人： Leeshawn Luo ,  Anup Bhalla ,  Sik Lui ,  Yueh-Se Ho ,  Mike Chang ,  Xiao Zhang

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

摘要： A semiconductor package including a relatively thick lead frame having a plurality of leads and a first lead frame pad, the first lead frame pad including a die coupled thereto, bonding wires connecting the die to the plurality of leads, the bonding wires being aluminum, and a resin body encapsulating the die, bonding wires and at least a portion of the lead frame.

摘要翻译： 一种半导体封装，包括具有多个引线的相对厚的引线框架和第一引线框架焊盘，所述第一引线框焊盘包括与其连接的管芯，将所述管芯连接到所述多个引线的接合线，所述接合线为铝，以及 封装模具的树脂体，接合线和引线框架的至少一部分。