公开(公告)号：US06905940B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10247672

申请日：2002-09-19

申请人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

发明人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/762

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  Y10S438/958

摘要： Embodiments of the present invention provide methods, apparatuses, and devices related to chemical vapor deposition of silicon oxide. In one embodiment, a single-step deposition process is used to efficiently form a silicon oxide layer exhibiting high conformality and favorable gap-filling properties. During a pre-deposition gas flow stabilization phase and an initial deposition stage, a relatively low ratio of silicon-containing gas:oxidant deposition gas is flowed, resulting in formation of highly conformal silicon oxide at relatively slow rates. Over the course of the deposition process step, the ratio of silicon-containing gas:oxidant gas is increased, resulting in formation of less-conformal oxide material at relatively rapid rates during later stages of the deposition process step.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了与氧化硅的化学气相沉积相关的方法，装置和装置。 在一个实施例中，使用单步沉积工艺来有效地形成表现出高共形性和良好间隙填充性能的氧化硅层。 在预沉积气体流动稳定阶段和初始沉积阶段期间，含硅气体：氧化剂沉积气体的比例相对较低，从而以相对较慢的速率形成高度保形的氧化硅。 在沉积工艺步骤的过程中，含硅气体：氧化剂气体的比率增加，导致在沉积工艺步骤的后续阶段以相对较快的速率形成较小保形的氧化物材料。

公开(公告)号：US07459405B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11493211

申请日：2006-07-25

申请人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

发明人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31 ,  H01L21/26

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  Y10S438/958

摘要： Embodiments of the present invention provide methods, apparatuses, and devices related to chemical vapor deposition of silicon oxide. In one embodiment, a single-step deposition process is used to efficiently form a silicon oxide layer exhibiting high conformality and favorable gap-filling properties. During a pre-deposition gas flow stabilization phase and an initial deposition stage, a relatively low ratio of silicon-containing gas:oxidant deposition gas is flowed, resulting in formation of highly conformal silicon oxide at relatively slow rates. Over the course of the deposition process step, the ratio of silicon-containing gas:oxidant gas is increased, resulting in formation of less-conformal oxide material at relatively rapid rates during later stages of the deposition process step.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了与氧化硅的化学气相沉积相关的方法，装置和装置。 在一个实施例中，使用单步沉积工艺来有效地形成表现出高共形性和良好间隙填充性能的氧化硅层。 在预沉积气体流动稳定阶段和初始沉积阶段期间，含硅气体：氧化剂沉积气体的比例相对较低，从而以相对较慢的速率形成高度保形的氧化硅。 在沉积工艺步骤的过程中，含硅气体：氧化剂气体的比率增加，导致在沉积工艺步骤的后续阶段以相对较快的速率形成较小保形的氧化物材料。

公开(公告)号：US07208425B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US11367866

申请日：2006-03-03

申请人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

发明人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  Y10S438/958

摘要： Embodiments of the present invention provide methods, apparatuses, and devices related to chemical vapor deposition of silicon oxide. In one embodiment, a single-step deposition process is used to efficiently form a silicon oxide layer exhibiting high conformality and favorable gap-filling properties. During a pre-deposition gas flow stabilization phase and an initial deposition stage, a relatively low ratio of silicon-containing gas:oxidant deposition gas is flowed, resulting in formation of highly conformal silicon oxide at relatively slow rates. Over the course of the deposition process step, the ratio of silicon-containing gas:oxidant gas is increased, resulting in formation of less-conformal oxide material at relatively rapid rates during later stages of the deposition process step.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了与氧化硅的化学气相沉积相关的方法，装置和装置。 在一个实施例中，使用单步沉积工艺来有效地形成表现出高共形性和良好间隙填充性能的氧化硅层。 在预沉积气体流动稳定阶段和初始沉积阶段期间，含硅气体：氧化剂沉积气体的比例相对较低，从而以相对较慢的速率形成高度保形的氧化硅。 在沉积工艺步骤的过程中，含硅气体：氧化剂气体的比率增加，导致在沉积工艺步骤的后续阶段以相对较快的速率形成较小保形的氧化物材料。

公开(公告)号：US07037859B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10979471

申请日：2004-11-01

申请人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

发明人： Nitin K. Ingle ,  Xinyua Xia ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  Y10S438/958

摘要： Embodiments of the present invention provide methods, apparatuses, and devices related to chemical vapor deposition of silicon oxide. In one embodiment, a single-step deposition process is used to efficiently form a silicon oxide layer exhibiting high conformality and favorable gap-filling properties. During a pre-deposition gas flow stabilization phase and an initial deposition stage, a relatively low ratio of silicon-containing gas:oxidant deposition gas is flowed, resulting in formation of highly conformal silicon oxide at relatively slow rates. Over the course of the deposition process step, the ratio of silicon-containing gas:oxidant gas is increased, resulting in formation of less-conformal oxide material at relatively rapid rates during later stages of the deposition process step.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了与氧化硅的化学气相沉积相关的方法，装置和装置。 在一个实施例中，使用单步沉积工艺来有效地形成表现出高共形性和良好间隙填充性能的氧化硅层。 在预沉积气体流动稳定阶段和初始沉积阶段期间，含硅气体：氧化剂沉积气体的比例相对较低，从而以相对较慢的速率形成高度保形的氧化硅。 在沉积工艺步骤的过程中，含硅气体：氧化剂气体的比率增加，导致在沉积工艺步骤的后续阶段以相对较快的速率形成较小保形的氧化物材料。

公开(公告)号：US07939422B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US11947674

申请日：2007-11-29

申请人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

发明人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76232

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a plurality of features across a surface of a substrate, with at least one space being between two adjacent features. A first dielectric layer is formed on the features and within the at least one space. A portion of the first dielectric layer interacts with a reactant derived from a first precursor and a second precursor to form a first solid product. The first solid product is decomposed to substantially remove the portion of the first dielectric layer. A second dielectric layer is formed to substantially fill the at least one space.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括跨越衬底的表面形成多个特征，其中至少一个空间位于两个相邻特征之间。 第一电介质层形成在特征上并且在至少一个空间内。 第一介电层的一部分与衍生自第一前体和第二前体的反应物相互作用以形成第一固体产物。 第一固体产物被分解以基本上除去第一介电层的部分。 形成第二电介质层以基本上填充至少一个空间。

公开(公告)号：US20090031955A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11830589

申请日：2007-07-30

申请人： Siqing Lu ,  Balaji Chandrasekaran ,  Paul Edward Gee ,  Nitin K. Ingle ,  Dmitry Lubomirsky ,  Zheng Yuan ,  Ellie Y. Yieh

发明人： Siqing Lu ,  Balaji Chandrasekaran ,  Paul Edward Gee ,  Nitin K. Ingle ,  Dmitry Lubomirsky ,  Zheng Yuan ,  Ellie Y. Yieh

IPC分类号： C23C16/00 ,  B23B31/30

CPC分类号： C23C16/4586 ,  C23C16/4584 ,  Y10T279/11

摘要： Embodiments of a vacuum chuck having an axisymmetrical and/or more uniform thermal profile are provided herein. In some embodiments, a vacuum chuck includes a body having a support surface for supporting a substrate thereupon; a plurality of axisymmetrically arranged grooves formed in the support surface, at least some of the grooves intersecting; and a plurality of chucking holes formed through the body and within the grooves, the chucking holes for fluidly coupling the grooves to a vacuum source during operation, wherein the chucking holes are disposed in non-intersecting portions of the grooves.

摘要翻译： 具有轴对称和/或更均匀的热分布的真空吸盘的实施例在此提供。 在一些实施例中，真空卡盘包括具有用于支撑基板的支撑表面的主体; 形成在支撑表面中的多个轴对称布置的槽，至少一些槽相交; 以及在所述槽内形成的多个夹持孔，所述夹持孔用于在操作期间将所述槽流体耦合到真空源，其中所述夹紧孔设置在所述槽的非交叉部分中。

公开(公告)号：US07825038B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US11754440

申请日：2007-05-29

申请人： Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan ,  Paul Gee ,  Kedar Sapre

发明人： Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan ,  Paul Gee ,  Kedar Sapre

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612

摘要： Methods of depositing a silicon oxide layer on a substrate are described. The methods may include the steps of providing a substrate to a deposition chamber, generating an atomic oxygen precursor outside the deposition chamber, and introducing the atomic oxygen precursor into the chamber. The methods may also include introducing a silicon precursor to the deposition chamber, where the silicon precursor and the atomic oxygen precursor are first mixed in the chamber. The silicon precursor and the atomic oxygen precursor react to form the silicon oxide layer on the substrate, and the deposited silicon oxide layer may be annealed. Systems to deposit a silicon oxide layer on a substrate are also described.

摘要翻译： 描述了在衬底上沉积氧化硅层的方法。 所述方法可以包括以下步骤：向沉积室提供衬底，在沉积室外产生原子氧前体，以及将原子氧前体引入室中。 所述方法还可以包括将硅前体引入沉积室，其中硅前体和原子氧前体首先在室中混合。 硅前体和原子氧前体反应以在衬底上形成氧化硅层，并且沉积的氧化硅层可以退火。 还描述了在衬底上沉积氧化硅层的系统。

公开(公告)号：US20080311754A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12137372

申请日：2008-06-11

申请人： BALAJI CHANDRASEKARAN ,  Douglas E. Manning ,  Nitin K. Ingle ,  Rong Pan ,  Zheng Yuan ,  Sidharth Bhatia

发明人： BALAJI CHANDRASEKARAN ,  Douglas E. Manning ,  Nitin K. Ingle ,  Rong Pan ,  Zheng Yuan ,  Sidharth Bhatia

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/042 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/31604

摘要： A method of improving pattern loading in a deposition of a silicon oxide film is described. The method may include providing a deposition substrate to a deposition chamber, and adjusting a temperature of the deposition substrate to about 250° C. to about 325° C. An ozone containing gas may be introduced to the deposition chamber at a first flow rate of about 1.5 slm to about 3 slm, where the ozone concentration in the gas is about 6% to about 12%, by wt. TEOS may also be introduced to the deposition chamber at a second flow rate of about 2500 mgm to about 4500 mgm. The deposition rate of the silicon oxide film is controlled by a reaction rate of a reaction of the ozone and TEOS at a deposition surface of the substrate.

摘要翻译： 描述了在氧化硅膜沉积中改进图案加载的方法。 该方法可以包括向沉积室提供沉积衬底，以及将沉积衬底的温度调节到约250℃至约325℃。含臭氧气体可以以第一流速 约1.5slm至约3slm，其中气体中的臭氧浓度为约6重量％至约12重量％。 TEOS还可以以约2500mgm至约4500mgm的第二流速引入沉积室。 氧化硅膜的沉积速率由基板的沉积表面处的臭氧与TEOS的反应的反应速率控制。

公开(公告)号：US20080311753A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12136931

申请日：2008-06-11

申请人： Yi Zheng ,  Sasha J. Kweskin ,  Kedar Sapre ,  Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan

发明人： Yi Zheng ,  Sasha J. Kweskin ,  Kedar Sapre ,  Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31604

摘要： A method of forming and removing a sacrificial oxide layer is described. The method includes forming a step on a substrate, where the step has a top and sidewalls. The method may also include forming the sacrificial oxide layer around the step by chemical vapor deposition of molecular oxygen and TEOS, where the oxide layer is formed on the top and sidewalls of the step. The method may also include removing a top portion of the oxide layer and the step; removing a portion of the substrate exposed by the removal of the step to form a etched substrate; and removing the entire sacrificial oxide layer from the etched substrate.

摘要翻译： 描述了形成和去除牺牲氧化物层的方法。 该方法包括在衬底上形成台阶，其中台阶具有顶部和侧壁。 该方法还可以包括通过分子氧和TEOS的化学气相沉积在步骤周围形成牺牲氧化物层，其中氧化物层形成在台阶的顶部和侧壁上。 该方法还可以包括去除氧化物层的顶部和步骤; 通过去除步骤去除暴露的基板的一部分以形成蚀刻的基板; 并从蚀刻的衬底去除整个牺牲氧化物层。

公开(公告)号：US20090031953A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12249816

申请日：2008-10-10

申请人： Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan ,  Paul Gee ,  Kedar Sapre

发明人： Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan ,  Paul Gee ,  Kedar Sapre

IPC分类号： C23C16/513

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612

摘要： Methods of depositing a silicon oxide layer on a substrate are described. The methods may include the steps of providing a substrate to a deposition chamber, generating an atomic oxygen precursor outside the deposition chamber, and introducing the atomic oxygen precursor into the chamber. The methods may also include introducing a silicon precursor to the deposition chamber, where the silicon precursor and the atomic oxygen precursor are first mixed in the chamber. The silicon precursor and the atomic oxygen precursor react to form the silicon oxide layer on the substrate, and the deposited silicon oxide layer may be annealed. Systems to deposit a silicon oxide layer on a substrate are also described.

摘要翻译： 描述了在衬底上沉积氧化硅层的方法。 所述方法可以包括以下步骤：向沉积室提供衬底，在沉积室外产生原子氧前体，以及将原子氧前体引入室中。 所述方法还可以包括将硅前体引入沉积室，其中硅前体和原子氧前体首先在室中混合。 硅前体和原子氧前体反应以在衬底上形成氧化硅层，并且沉积的氧化硅层可以退火。 还描述了在衬底上沉积氧化硅层的系统。