公开(公告)号：US20090011145A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12064807

申请日：2006-08-23

申请人： Sun-Jin Yun ,  Jung Wook Lim ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Kwang Yong Kang

发明人： Sun-Jin Yun ,  Jung Wook Lim ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Kwang Yong Kang

IPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/50

摘要： Provided is a method of manufacturing a large-sized vanadium oxide thin film having a uniform surface, uniform film thickness and stable composition. According to the method, a vanadium-organometallic compound gas is injected into a chamber to form adsorption layer where molecules of the vanadium-organometallic compound are adsorbed on the surface of a substrate. After that, an oxygen precursor is injected into the chamber and thus allowed to accomplish surface-saturation reaction with the adsorbed materials to fabricate a vanadium oxide thin film.

摘要翻译： 提供一种具有均匀的表面，均匀的膜厚度和稳定的组成的大型氧化钒薄膜的制造方法。 根据该方法，将钒有机金属化合物气体注入室内以形成其中有机金属化合物分子被吸附在基材表面上的吸附层。 之后，向室内注入氧前体，由此与吸附材料进行表面饱和反应，制作氧化钒薄膜。

公开(公告)号：US20090091003A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US12089778

申请日：2006-10-16

申请人： Jung Wook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Kwang-Yong Kang

发明人： Jung Wook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Kwang-Yong Kang

IPC分类号： H01L29/51 ,  B05D5/12 ,  C23C14/34 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01B3/12 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L49/003

摘要： Provided are an insulator that has an energy band gap of 2 eV or more and undergoes an abrupt MIT without undergoing a structural change, a method of manufacturing the insulator, and a device using the insulator. The insulator is abruptly transitioned from an insulator phase into a metal phase by an energy change between electrons without undergoing a structural change.

摘要翻译： 提供具有2eV以上的能带隙并且经历突发MIT而不经历结构变化的绝缘体，制造绝缘体的方法以及使用该绝缘体的器件。 通过电子之间的能量变化，绝缘体从绝缘体相突然转变为金属相，而不发生结构变化。

公开(公告)号：US07489492B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US12021764

申请日：2008-01-29

申请人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Bong Jun Kim ,  Yong Wook Lee ,  Sun Jin Yun ,  Byung Gyu Chae ,  Gyung Ock Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Bong Jun Kim ,  Yong Wook Lee ,  Sun Jin Yun ,  Byung Gyu Chae ,  Gyung Ock Kim

IPC分类号： H02H3/22 ,  H02H9/04

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are an abrupt metal-insulator transition (MIT) device for bypassing super-high voltage noise to protect an electric and/or electronic system, such as, a high-voltage switch, from a super-high voltage, a high-voltage noise removing circuit for bypassing the super-high voltage noise using the abrupt MIT device, and an electric and/or electronic system including the high-voltage noise removing circuit. The abrupt MIT device includes a substrate, a first abrupt MIT structure, and a second abrupt MIT structure. The first and second abrupt MIT structures are formed on an upper surface and a lower surface, respectively, of the substrate. The high-voltage noise removing circuit includes an abrupt MIT device chain connected in parallel to the electric and/or electronic system to be protected. The abrupt MIT device chain includes at least two abrupt MIT devices serially connected to each other.

摘要翻译： 提供了用于绕过超高压噪声以保护诸如高压开关的电和/或电子系统的突发金属 - 绝缘体转变（MIT）装置，从超高电压，高压噪声 使用突发MIT装置绕过超高压噪声的除电路，以及包括高压噪声去除电路的电气和/或电子系统。 突变MIT装置包括基板，第一突发MIT结构和第二突发MIT结构。 第一和第二突变MIT结构分别形成在基板的上表面和下表面上。 高电压噪声去除电路包括与要保护的电和/或电子系统并联连接的突变MIT装置链。 突发MIT设备链包括彼此串行连接的至少两个突发MIT设备。

公开(公告)号：US20080277763A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11997050

申请日：2006-07-04

申请人： Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Sun Jin Yun

发明人： Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Sun Jin Yun

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L29/12 ,  H05B3/68

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68728

摘要： Provided are a wafer with the characteristics of abrupt metal-insulator transition (MIT), and a heat treatment apparatus and method that make it possible to mass-produce a large-diameter wafer without directly attaching the wafer to a heater or a substrate holder. The heat treatment apparatus includes a heater applying heat to a wafer having the characteristics of abrupt MIT and one surface covered with a thermally opaque film, and a plurality of fixing units formed along an edge portion of a top surface of the heater to fix the wafer to the heater.

摘要翻译： 提供具有突变金属 - 绝缘体转变特性（MIT）的晶片，以及使得可以批量生产大直径晶片而不将晶片直接附接到加热器或基板保持器的热处理设备和方法。 热处理装置包括对具有突然MIT特性的突起的晶片加热的加热器和覆盖有不透热膜的一个表面，以及沿着加热器顶面的边缘部分形成的多个固定单元，以固定晶片 到加热器。

公开(公告)号：US07728327B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11011878

申请日：2004-12-13

申请人： Hyun Tak Kim ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Sik Lim ,  Gyungock Kim ,  Sunglyul Maeng ,  Seong Hyun Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Sik Lim ,  Gyungock Kim ,  Sunglyul Maeng ,  Seong Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a 2-terminal semiconductor device that uses an abrupt MIT semiconductor material layer. The 2-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer. An abrupt MIT is generated in the abrupt MIT semiconductor material layer by a field applied between the first electrode layer and the second electrode layer.

摘要翻译： 提供了使用突变MIT半导体材料层的2端子半导体器件。 2端子半导体器件包括第一电极层，具有小于2eV的能隙的突变MIT半导体有机或无机材料层和设置在第一电极层上的空穴层中的孔，以及设置在突发上的第二电极层 MIT半导体有机或无机材料层。 通过施加在第一电极层和第二电极层之间的场，在突变MIT半导体材料层中产生突变MIT。

公开(公告)号：US06987290B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10866274

申请日：2004-06-10

申请人： Hyun Tak Kim ,  Doo Hyeb Youn ,  Kwang Yong Kang ,  Byung Gyu Chae ,  Yong Sik Lim ,  Seong Hyun Kim ,  Sungyul Maeng ,  Gyungock Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Doo Hyeb Youn ,  Kwang Yong Kang ,  Byung Gyu Chae ,  Yong Sik Lim ,  Seong Hyun Kim ,  Sungyul Maeng ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H01L39/16

CPC分类号： H01L45/00

摘要： A current-jump-control circuit including an abrupt metal-insulator phase transition device is proposed, and includes a source, the abrupt metal-insulator phase transition device and a resistive element. The abrupt metal-insulator phase transition device includes first and second electrodes connected to the source, and shows an abrupt metal-insulator phase transition characteristic of a current jump when an electric field is applied between the first electrode and the second electrode. The resistive element is connected between the source and the abrupt metal-insulator phase transition device to control a jump current flowing through the abrupt metal-insulator phase transition device. According to the above current control circuit, the abrupt metal-insulator phase transition device can be prevented from being failed due to a large amount of current and thus the current-jump-control circuit can be applied in various application fields.

摘要翻译： 提出了包括突变金属 - 绝缘体相变装置的电流跳跃控制电路，并且包括源极，突变金属 - 绝缘体相变装置和电阻元件。 突变金属 - 绝缘体相变装置包括连接到源极的第一和第二电极，并且当在第一电极和第二电极之间施加电场时，显示出电流跳跃的突变金属 - 绝缘体相变特性。 电阻元件连接在源极和突变金属 - 绝缘体相变器件之间，以控制流过突发金属 - 绝缘体相变器件的跳跃电流。 根据上述电流控制电路，能够防止突变金属 - 绝缘体相变装置由于大量的电流而发生故障，因此电流跳跃控制电路可以应用于各种应用领域。

公开(公告)号：US20080315775A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12064948

申请日：2006-08-25

申请人： Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Yoon Ho Song

发明人： Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Yoon Ho Song

IPC分类号： H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01J31/127 ,  H01J1/316 ,  H01J2201/316 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2329/0486 ,  H01J2329/0489

摘要： An electron emission device having a high electron emitting rate and a display including the device are prodivided. The electron emission device using abrupt metal-insulator transition, the device including: a board; a metal-insulator transition (MIT) material layer disposed on the board and divided by a predetermined gap with portions of the divided MIT material layer facing one another; and electrodes connected to each of the portions of the divided metal-insulator transition material layer for emitting electrons to the gap between the portions of the divided metal-insulator transition material layer.

摘要翻译： 产生具有高电子发射速率的电子发射装置和包括该装置的显示器。 电子发射器件采用突发金属 - 绝缘体转换，器件包括：板; 金属 - 绝缘体转变（MIT）材料层，设置在所述板上并与所分割的MIT材料层的彼此面对的部分分开预定的间隙; 以及连接到分开的金属 - 绝缘体转移材料层的每个部分以将电子发射到分割的金属 - 绝缘体转移材料层的部分之间的间隙的电极。

公开(公告)号：US07408217B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US10576579

申请日：2004-04-01

申请人： Doo Hyeb Yoon ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Sung Lyul Maeng

发明人： Doo Hyeb Yoon ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Sung Lyul Maeng

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided is a metal-insulator-transition switching transistor with a gate electrode on a silicon substrate (back-gate structure) and a metal-insulator-transition channel layer of VO2 that changes from an insulator phase to a metal phase, or vice versa, depending on a variation of an electric field, and a method for manufacturing the same, whereby it is possible to fabricate a metal-insulator-transition switching transistor having high current gain characteristics and being stable thermally.

摘要翻译： 提供了一种金属 - 绝缘体转变开关晶体管，其在硅衬底（背栅结构）上具有栅电极，并且具有从绝缘体相变为VO 2的金属 - 绝缘体 - 过渡沟道层 金属相，反之亦然，取决于电场的变化，以及其制造方法，由此可以制造具有高电流增益特性并且热稳定的金属 - 绝缘体转变开关晶体管。

公开(公告)号：US06933553B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10749596

申请日：2003-12-30

申请人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae

发明人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L49/00 ,  H01L29/772 ,  H01L19/12

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided is a field effect transistor. The field effect transistor includes an insulating vanadium dioxide (VO2) thin film used as a channel material, a source electrode and a drain electrode disposed on the insulating VO2 thin film to be spaced apart from each other by a channel length, a dielectric layer disposed on the source electrode, the drain electrode, and the insulating VO2 thin film, and a gate electrode for applying a predetermined voltage to the dielectric layer.

摘要翻译： 提供了场效应晶体管。 场效应晶体管包括用作沟道材料的绝缘二氧化钒（VO 2 N 2）薄膜，设置在绝缘VO 2薄膜上的源电极和漏电极 通过沟道长度彼此间隔开，设置在源电极，漏电极和绝缘VO 2薄膜上的电介质层和用于施加预定电压的栅电极 电介质层。

公开(公告)号：US07929308B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12535969

申请日：2009-08-05

申请人： Sang Kuk Choi ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim

发明人： Sang Kuk Choi ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim

IPC分类号： H05K7/20 ,  H01L21/335

CPC分类号： H05K1/0201 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10522 ,  H01L2924/00014

摘要： A power device package controls heat generation of a power device using a semi-permanent metal-insulator transition (MIT) device instead of a fuse, and emits heat generated by the power device through a small-sized heat sink provided only in one region on the power device, thereby ensuring excellent dissipation of heat. Therefore, the power device package can be usefully applied to any electric/electronic circuit that uses a power device.

摘要翻译： 功率器件封装使用半永久性金属 - 绝缘体转换（MIT）装置代替保险丝来控制功率器件的发热，并通过仅在一个区域上提供的小型散热器发射由功率器件产生的热量 功率器件，从而确保良好的散热。 因此，功率器件封装可以有效地应用于使用功率器件的任何电/电子电路。