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    Transparent cooling duct
    1.
    发明申请
    Transparent cooling duct 审中-公开
    透明冷却管道

    公开(公告)号：US20050094706A1

    公开(公告)日：2005-05-05

    申请号：US10699399

    申请日：2003-10-30

    申请人： Supratik Guha ,  Hendrik Hamann ,  James Lacey ,  Maurice McGlashan-Powell ,  Martin O'Boyle ,  Robert von Gutfeld

    发明人： Supratik Guha ,  Hendrik Hamann ,  James Lacey ,  Maurice McGlashan-Powell ,  Martin O'Boyle ,  Robert von Gutfeld

    IPC分类号： G01J5/00 ,  G01K3/00

    CPC分类号： G01J5/00 ,  G01J5/0096 ,  G01J2005/0077

    摘要： A system and method for measuring the thermal distributions of an electronic device during operation is described. In an embodiment of the present invention, the system includes a duct adapted to be coupled with an electronic device and a coolant flowing through the duct so as to cool the electronic device. The duct and the coolant are at least partially transparent to photons with wavelengths between about 0.1 micron to 20 microns. The system further includes a photon detector located adjacent to the duct for detecting photons. The photon detector captures thermal information from the electronic device during operation of the electronic device, wherein the electronic device is operating under conditions for which the electronic device is designed. The system further includes a processor coupled to the photon detector for generating a thermal distribution of the electronic device based on information received from the photon detector.

    摘要翻译： 描述了用于测量操作期间电子设备的热分布的系统和方法。 在本发明的一个实施例中，系统包括适于与电子设备耦合的管道和流过管道的冷却剂以冷却电子设备。 管道和冷却剂对波长在约0.1微米至20微米之间的光子至少部分透明。 该系统还包括位于与用于检测光子的管道相邻的光子检测器。 光子检测器在电子设备的操作期间捕获来自电子设备的热信息，其中电子设备在设计电子设备的条件下操作。 该系统还包括耦合到光子检测器的处理器，用于基于从光子检测器接收的信息产生电子设备的热分布。

    High density memory device
    6.
    发明授权
    High density memory device 有权
    高密度存储器件

    公开(公告)号：US08362477B2

    公开(公告)日：2013-01-29

    申请号：US12729856

    申请日：2010-03-23

    申请人： Tymon Barwicz ,  Keith A. Jenkins ,  Supratik Guha

    发明人： Tymon Barwicz ,  Keith A. Jenkins ,  Supratik Guha

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： G11C11/404 ,  G11C13/0007 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

    摘要： A memory device and a method of forming the same are provided. The memory device includes a substrate; a set of electrodes disposed on the substrate; a dielectric layer formed between the set of electrodes; and a transition metal oxide layer formed between the set of electrodes, the transition metal oxide layer configured to undergo a metal-insulator transition (MIT) to perform a read or write operation.

    摘要翻译： 提供了一种存储器件及其形成方法。 存储器件包括衬底; 设置在基板上的一组电极; 形成在该组电极之间的电介质层; 以及形成在所述电极组之间的过渡金属氧化物层，所述过渡金属氧化物层被配置为经历金属 - 绝缘体转变（MIT）以执行读取或写入操作。

    Using Diffusion Barrier Layer for CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell
    8.
    发明申请
    Using Diffusion Barrier Layer for CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell 审中-公开
    使用CuZnSn（S，Se）薄膜太阳能电池的扩散阻挡层

    公开(公告)号：US20120097234A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：US12911877

    申请日：2010-10-26

    申请人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Byungha Shin ,  Kejia Wang

    发明人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Byungha Shin ,  Kejia Wang

    IPC分类号： H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/0326 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： Techniques for fabricating thin film solar cells, such as CuZnSn(S,Se) (CZTSSe) solar cells are provided. In one aspect, a method of fabricating a solar cell is provided that includes the following steps. A substrate is provided. The substrate is coated with a molybdenum (Mo) layer. A stress-relief layer is deposited on the Mo layer. The stress-relief layer is coated with a diffusion barrier. Absorber layer constituent components are deposited on the diffusion barrier, wherein the constituent components comprise one or more of sulfur (S) and selenium (Se). The constituent components are annealed to form an absorber layer, wherein the stress-relief layer relieves thermal stress imposed on the absorber layer, and wherein the diffusion barrier blocks diffusion of the one or more of S and Se into the Mo layer. A buffer layer is formed on the absorber layer. A transparent conductive electrode is formed on the buffer layer.

    摘要翻译： 提供了诸如CuZnSn（S，Se）（CZTSSe）（CZTSSe）太阳能电池制造薄膜太阳能电池的技术。 一方面，提供一种制造太阳能电池的方法，其包括以下步骤。 提供基板。 衬底被涂覆有钼（Mo）层。 应力消除层沉积在Mo层上。 应力消除层涂覆有扩散阻挡层。 吸收剂层组成成分沉积在扩散阻挡层上，其中构成组分包含硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。 所述构成部件进行退火以形成吸收层，其中所述应力消除层减轻施加在所述吸收体层上的热应力，并且其中所述扩散阻挡层将所述S和Se中的一种或多种的扩散阻挡在所述Mo层中。 在吸收层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成透明导电电极。

    Silicon wafer based structure for heterostructure solar cells
    9.
    发明授权
    Silicon wafer based structure for heterostructure solar cells 有权
    基于硅晶片的异质结构太阳能电池结构

    公开(公告)号：US08119904B2

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US12533453

    申请日：2009-07-31

    申请人： Supratik Guha ,  Harold J. Hovel

    发明人： Supratik Guha ,  Harold J. Hovel

    IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L21/02642 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： A multi-junction photovoltaic device includes a silicon substrate and a dielectric layer formed on the silicon substrate. A germanium layer is formed on the dielectric layer. The germanium includes a crystalline structure that is substantially similar to the crystalline structure of the silicon substrate. A first photovoltaic sub-cell includes a first plurality of doped semiconductor layers formed on the germanium layer. At least a second photovoltaic sub-cell includes a second plurality of doped semiconductor layers formed on the first photovoltaic sub-cell that is on the germanium layer that is on the dielectric layer.

    摘要翻译： 多结光伏器件包括硅衬底和形成在硅衬底上的电介质层。 在电介质层上形成锗层。 锗包括基本上类似于硅衬底的晶体结构的晶体结构。 第一光伏子电池包括形成在锗层上的第一多个掺杂半导体层。 至少第二光伏子电池包括形成在位于电介质层上的锗层上的第一光伏子电池上的第二多个掺杂半导体层。