公开(公告)号：US06355565B2

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：US09904323

申请日：2001-07-12

申请人： Paul M. Feeney ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Lawrence D. David ,  Matthew T. Tiersch ,  Eric J. White

发明人： Paul M. Feeney ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Lawrence D. David ,  Matthew T. Tiersch ,  Eric J. White

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A ferric nitrate-alumina based slurry useful for Chemical-Mechanical-Polishing of tungsten metallurgy and silica based oxides on semiconductor substrates in which the suspension and stability of abrasive material in the slurry is essentially stable. The slurry formulation is balanced to provide low residue of foreign material after polishing and due to its reduced ferric nitrate concentration will be less corrosive than prior art slurries. The recipe for the slurry includes of a 30% wt silica suspension, about 800 ml of 40% by wt ferric nonahydrate, liters and enough 70% wt nitric acid to adjust the pH of the slurry to about 1.2 to 1.4.

摘要翻译： 用于半导体衬底上的钨冶金和二氧化硅基氧化物的化学机械抛光的硝酸铁 - 氧化铝基浆料，其中在浆料中研磨材料的悬浮液和稳定性基本上是稳定的。 浆料配方是平衡的，在抛光后提供低的异物残留，并且由于其降低的硝酸铁浓度将比现有技术的浆料腐蚀性更小。 浆料的配方包括30重量％二氧化硅悬浮液，约800毫升40重量％的三水合九水合物，升和足够的70重量％的硝酸以将浆料的pH调节至约1.2至1.4。

公开(公告)号：US06294105B1

公开(公告)日：2001-09-25

申请号：US08997290

申请日：1997-12-23

申请人： Paul M. Feeney ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Lawrence D. David ,  Matthew T. Tiersch ,  Eric J. White

发明人： Paul M. Feeney ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Lawrence D. David ,  Matthew T. Tiersch ,  Eric J. White

IPC分类号： C09K1300

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A ferric nitrate-alumina based slurry useful for Chemical-Mechanical-Polishing of tungsten metallurgy and silica based oxides on semiconductor substrates in which the suspension and stability of abrasive material in the slurry is essentially stable. The slurry formulation is balanced to provide low residue of foreign material after polishing and due to its reduced ferric nitrate concentration will be less corrosive than prior art slurries. The recipe for the slurry includes of a 30% wt silica suspension, about 800 ml of 40% by wt ferric nonahydrate and enough 70% wt nitric acid to adjust the pH of the slurry to about 1.2 to 1.4.

摘要翻译： 用于半导体衬底上的钨冶金和二氧化硅基氧化物的化学机械抛光的硝酸铁 - 氧化铝基浆料，其中在浆料中研磨材料的悬浮液和稳定性基本上是稳定的。 浆料配方是平衡的，在抛光后提供低的异物残留，并且由于其降低的硝酸铁浓度将比现有技术的浆料腐蚀性更小。 该浆料的配方包括30重量％的二氧化硅悬浮液，约800毫升40重量％的三水合九水合物和足够的70重量％的硝酸以将浆料的pH调节至约1.2至1.4。

公开(公告)号：US06284151B1

公开(公告)日：2001-09-04

申请号：US08997289

申请日：1997-12-23

申请人： Timothy C. Krywanczyk ,  Lawrence D. David

发明人： Timothy C. Krywanczyk ,  Lawrence D. David

IPC分类号： C09K1304

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： A ferric nitrate-alumina based slurry useful for Chemical-Mechanical-Polishing of tungsten metallurgy on semiconductor substrates in which the suspension and stability of abrasive material in the slurry is essentially stable. The slurry formulation is balanced to provide low residue of foreign material after polishing and due to its reduced ferric nitrate concentration will be less corrosive than prior art slurries. The recipe for the slurry includes 375 ml of a 9% wt alumina suspension, about 200 grams ferric nonahydrate, water to dilute to about 4.5 liters and enough 70% wt nitric acid to adjust the pH of the slurry to about 1.0 to 1.5.

摘要翻译： 用于半导体衬底上的钨冶金的化学机械抛光的硝酸铁 - 氧化铝基浆料，其中研磨材料在浆料中的悬浮和稳定性基本上是稳定的。 浆料配方是平衡的，在抛光后提供低的异物残留，并且由于其降低的硝酸铁浓度将比现有技术的浆料腐蚀性更小。 该浆料的配方包括375ml的9％wt的氧化铝悬浮液，约200克的三水合九水合物，稀释至约4.5升的水和足够的70％重量的硝酸以将浆料的pH调节至约1.0至1.5。

公开(公告)号：US5525761A

公开(公告)日：1996-06-11

申请号：US466559

申请日：1995-06-06

申请人： Lawrence D. David ,  Shaji Farooq ,  Anthony Mastreani ,  Srinivasa S-N. Reddy ,  Rao V. Vallabhaneni

发明人： Lawrence D. David ,  Shaji Farooq ,  Anthony Mastreani ,  Srinivasa S-N. Reddy ,  Rao V. Vallabhaneni

IPC分类号： H01B1/16 ,  H01L23/498 ,  H05K1/09 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K1/092 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/4629

摘要： A copper-based paste for multilayer ceramic substrate vias and lines including copper particles as the majority constituent of the paste, a refractory metal additive selected from the group consisting of chromium, tantalum, and tungsten, and organic materials.This copper-based paste has particular applicability to the formation of vias and lines in ceramic packages wherein the vias and lines would have a composition principally of copper with additions of the refractory metal.

公开(公告)号：US5518131A

公开(公告)日：1996-05-21

申请号：US250896

申请日：1994-07-07

申请人： Hsing H. Chen ,  Lawrence D. David ,  Derek B. Harris

发明人： Hsing H. Chen ,  Lawrence D. David ,  Derek B. Harris

IPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/3213 ,  C01G39/00

CPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： A molybdenum etching process which reduces hazardous treatment waste is disclosed. Etchants which can be used are ferric sulfate and ferric ammonium sulfate. Waste products resulting from this etch are Fe(OH).sub.3 and CaSO.sub.4.

摘要翻译： 公开了减少危险废物处理废弃物的钼蚀刻工艺。 可以使用的是硫酸铁和硫酸亚铁铵。 由该蚀刻产生的废产物是Fe（OH）3和CaSO 4。

公开(公告)号：US5277725A

公开(公告)日：1994-01-11

申请号：US881448

申请日：1992-05-11

申请人： John Acocella ,  Peter A. Agostino ,  Arnold I. Baise ,  Richard A. Bates ,  Ray M. Bryant ,  Jon A. Casey ,  David R. Clarke ,  George Czornyj ,  Allen J. Dam ,  Lawrence D. David ,  Renuka S. Divakaruni ,  Werner E. Dunkel ,  Ajay P. Giri ,  Liang-Choo Hsia ,  James N. Humenik ,  Steven M. Kandetzke ,  Daniel P. Kirby ,  John U. Knickerbocker ,  Sarah H. Knickerbocker ,  Anthony Mastreani ,  Amy T. Matts ,  Robert W. Nufer ,  Charles H. Perry ,  Srinivasa S. N. Reddy ,  Salvatore J. Scilla ,  Mark A. Takacs ,  Lovell B. Wiggins

发明人： John Acocella ,  Peter A. Agostino ,  Arnold I. Baise ,  Richard A. Bates ,  Ray M. Bryant ,  Jon A. Casey ,  David R. Clarke ,  George Czornyj ,  Allen J. Dam ,  Lawrence D. David ,  Renuka S. Divakaruni ,  Werner E. Dunkel ,  Ajay P. Giri ,  Liang-Choo Hsia ,  James N. Humenik ,  Steven M. Kandetzke ,  Daniel P. Kirby ,  John U. Knickerbocker ,  Sarah H. Knickerbocker ,  Anthony Mastreani ,  Amy T. Matts ,  Robert W. Nufer ,  Charles H. Perry ,  Srinivasa S. N. Reddy ,  Salvatore J. Scilla ,  Mark A. Takacs ,  Lovell B. Wiggins

IPC分类号： H05K1/03 ,  C04B41/48 ,  C04B41/49 ,  H01L21/48 ,  H01L23/08 ,  H01L23/538 ,  H05K3/40 ,  C04B37/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/4857 ,  C04B41/488 ,  C04B41/4961 ,  H01L23/5383 ,  H05K3/4061 ,  C04B2111/00672 ,  C04B2111/00844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2203/1147 ,  H05K2203/308

摘要： The cracking experienced during thermal cycling of metal:dielectric semiconductor packages results from a mismatch in thermal co-efficients of expansion. The non-hermeticity associated with such cracking can be addressed by backfilling the permeable cracks with a flexible material. Uniform gaps between the metal and dielectric materials can similarly be filled with flexible materials to provide stress relief, bulk compressibility and strength to the package. Furthermore, a permeable, skeletal dielectric can be fabricated as a fired, multilayer structure having sintered metallurgy and subsequently infused with a flexible, temperature-stable material to provide hermeticity and strength.

摘要翻译： 在金属的热循环过程中经历的裂纹：电介质半导体封装是由热膨胀系数不匹配引起的。 与这种开裂相关的非气密性可以通过用柔性材料回填可渗透裂缝来解决。 金属和电介质材料之间的均匀间隙可以类似地填充柔性材料，以提供应力消除，体积可压缩性和包装的强度。 此外，可渗透的骨架电介质可以被制造为具有烧结冶金的烧结多层结构，并随后注入柔性的温度稳定的材料以提供气密性和强度。

公开(公告)号：US4520114A

公开(公告)日：1985-05-28

申请号：US642702

申请日：1984-08-22

申请人： Lawrence D. David

发明人： Lawrence D. David

IPC分类号： C01G25/02 ,  C04B35/486 ,  C04B35/48

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01G25/02 ,  C04B35/486 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/60 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/80

摘要： This invention provides a process for producing a fine grain metastable tetragonal zirconia which has an average particle size less than about 1000 angstroms in diameter.The process involves multistage thermolysis of precursor solids comprising a homogeneous mixture of .beta.-ketonate compounds of zirconium and a stabilizer metal such as yttrium.

摘要翻译： 本发明提供一种生产直径小于约1000埃的平均粒径的细晶粒亚稳态四方晶氧化锆的方法。 该方法包括前体固体的多级热解，其包括锆的β-酮酸酯化合物和诸如钇的稳定剂金属的均匀混合物。

公开(公告)号：US06221269B1

公开(公告)日：2001-04-24

申请号：US09233384

申请日：1999-01-19

申请人： Krishna G. Sachdev ,  Umar M. Ahmad ,  Hsing H. Chen ,  Lawrence D. David ,  Charles H. Perry ,  Donald R. Wall

发明人： Krishna G. Sachdev ,  Umar M. Ahmad ,  Hsing H. Chen ,  Lawrence D. David ,  Charles H. Perry ,  Donald R. Wall

IPC分类号： C03C1500

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5353 ,  C04B2111/00844 ,  H05K1/092 ,  H05K3/067 ,  H05K3/26 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/0789

摘要： A method is provided for etching and removing extraneous molybdenum or debris on ceramic substrates such as semiconductor devices and also for molybdenum etching in the fabrication of molybdenum photomasks. The method employs a multi-step process using an acidic aqueous solution of a ferric salt to remove (etch) the molybdenum debris followed by contacting the treated substrate with an organic quaternary ammonium hydroxide to remove any molybdenum black oxides which may have formed on the exposed surface of treated molybdenum features in ceramic substrates. The method is environmentally safe and the waste solutions may be easily waste treated for example by precipitating the ferric salts as ferric hydroxide and removing anions such as sulfate by precipitation with lime. The method replaces the currently used method of employing ferricyanide salts which create serious hazardous waste disposal and environmental problems.

摘要翻译： 提供了一种用于在陶瓷衬底（例如半导体器件）上蚀刻和去除外来的钼或碎片以及在钼光掩模的制造中用于钼蚀刻的方法。 该方法采用多步法，使用酸式的铁盐水溶液去除（蚀刻）钼碎片，随后将经处理的底物与有机季铵氢氧化物接触以除去可能形成于暴露的钼黑氧化物 处理的钼特征在陶瓷衬底中的表面。 该方法是环境安全的，并且废溶液可以容易地被废物处理，例如通过将铁盐沉淀为氢氧化铁并通过用石灰沉淀除去诸如硫酸盐的阴离子。 该方法取代了目前使用的铁氰化物盐的方法，造成严重的危险废物处理和环境问题。

公开(公告)号：US6015505A

公开(公告)日：2000-01-18

申请号：US960839

申请日：1997-10-30

申请人： Lawrence D. David ,  Lisa A. Fanti

发明人： Lawrence D. David ,  Lisa A. Fanti

IPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351

摘要： A process and etchant solution for chemical wet etching of thin film metals in the presence of a protected metal. The etching solution has a pH range of about 2.7 to 4.0. The etching solution may include hydrogen peroxide, potassium sulfate, and potassium EDTA, and it reduces or eliminates the incidence of etch-resistant metal without damaging the protected metal.

摘要翻译： 用于在受保护金属存在下对薄膜金属进行化学湿法蚀刻的工艺和蚀刻剂溶液。 蚀刻溶液的pH范围为约2.7〜4.0。 蚀刻溶液可以包括过氧化氢，硫酸钾和EDTA钾，并且它减少或消除耐腐蚀金属的发生，而不损坏受保护的金属。

公开(公告)号：US4588576A

公开(公告)日：1986-05-13

申请号：US765691

申请日：1985-08-15

申请人： Lawrence D. David

发明人： Lawrence D. David

IPC分类号： C01G49/00 ,  C01G49/02 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 ,  B22F9/24 ,  C01G1/02 ,  C01G25/02 ,  C04B35/26

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/0036 ,  C01G49/0063 ,  C01G49/0072 ,  C01G49/009 ,  C01G49/02 ,  C01G51/00 ,  C01G53/006 ,  C01G9/006 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/60 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/42

摘要： This invention provides a process for production of a microcrystalline metal oxide having an average particle size less than about 1000 angstroms.An important feature of the invention process involves the application of ultrasonic wave energy during the stage that a solution of metal organic compounds is being treated to form a gelled solution. The ultrasonic energy input during the gelling stage enhances the production of a high purity metal oxide powder having fine grain particles of uniform microspheric dimensions.

摘要翻译： 本发明提供一种平均粒度小于约1000埃的微晶金属氧化物的制造方法。 本发明方法的一个重要特征是在处理金属有机化合物溶液以形成凝胶溶液的阶段期间应用超声波能量。 在凝胶化阶段期间的超声能量输入增强了具有均匀微球尺寸的细颗粒的高纯度金属氧化物粉末的生产。