公开(公告)号：US06918960B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US09997073

申请日：2001-11-28

申请人： Weimin Li ,  Mark R. Visokay

发明人： Weimin Li ,  Mark R. Visokay

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  C30B25/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556

摘要： A method and system for performing metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The method introduces a metal-organic compound into the CVD chamber in the presence of a first reactant selected to have a reducing chemistry and then, subsequently, a second reactant selected to have an oxidizing chemistry. The reducing chemistry results in deposition of metal species having a reduced surface mobility creating more uniform coverage and better adhesion. The oxidizing species results in deposition of metal species having a greater surface mobility leading to greater surface agglomeration and faster growth. By alternating the two reacts, faster growth is achieved and uniformity of the metal structure is enhanced.

摘要翻译： 一种用于进行金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法和系统。 该方法在选择具有还原化学性质的第一反应物存在下将CVD金属有机化合物引入CVD室中，然后再选择具有氧化性质的第二反应物。 还原化学导致具有降低的表面迁移率的金属物质的沉积产生更均匀的覆盖和更好的附着力。 氧化物质导致具有更大表面迁移率的金属物质的沉积，导致更大的表面附聚和更快的生长。 通过交替这两种反应，实现更快的生长并且提高金属结构的均匀性。

公开(公告)号：USD875440S1

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：US29655547

申请日：2018-07-05

申请人： Weimin Li

设计人： Weimin Li

公开(公告)号：US09337054B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US12665929

申请日：2008-06-27

申请人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

发明人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02211 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/0649

摘要： A full fill trench structure is described, including a microelectronic device substrate having a high aspect ratio trench therein and filled with silicon dioxide of a substantially void-free character and substantially uniform density throughout its bulk mass. A method of manufacturing a semiconductor product also is described, involving use of specific silicon precursor compositions for forming substantially void-free and substantially uniform density silicon dioxide material in the trench. The precursor fill composition may include silicon and germanium, to produce a microelectronic device structure including a GeO2/SiO2 trench fill material. A suppressor component may be employed in the precursor fill composition, to eliminate or minimize seam formation in the cured trench fill material.

摘要翻译： 描述了一种全填充沟槽结构，其包括其中具有高纵横比沟槽的微电子器件衬底，并填充了其整个整体质量基本上无空隙特征和基本均匀密度的二氧化硅。 还描述了制造半导体产品的方法，其涉及使用特定的硅前体组合物，用于在沟槽中形成基本上无空隙且基本均匀的密度二氧化硅材料。 前体填充组合物可以包括硅和锗，以产生包括GeO 2 / SiO 2沟槽填充材料的微电子器件结构。 可以在前体填充组合物中使用抑制剂组分，以消除或最小化固化沟槽填充材料中的接缝形成。

公开(公告)号：US08663735B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US12705587

申请日：2010-02-13

申请人： Chongying Xu ,  Weimin Li ,  Thomas M. Cameron

发明人： Chongying Xu ,  Weimin Li ,  Thomas M. Cameron

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： H01G4/1209 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604

摘要： Apparatus and method for generating ruthenium tetraoxide in situ for use in vapor deposition, e.g., atomic layer deposition (ALD), of ruthenium-containing films on microelectronic device substrates. The ruthenium tetraoxide can be generated on demand by reaction of ruthenium or ruthenium dioxide with an oxic gas such as oxygen or ozone. In one implementation, ruthenium tetraoxide thus generated is utilized with a strontium organometallic precursor for atomic layer deposition of strontium ruthenate films of extremely high smoothness and purity.

摘要翻译： 用于在微电子器件基底上用于气相沉积（例如原子层沉积（ALD））含钌膜的原位四氧化钌的装置和方法。 可以根据需要通过钌或二氧化钌与氧气或臭氧等氧气反应来生成四氧化钌。 在一个实施方案中，由此产生的四氧化钌与锶有机金属前体一起被用于具有极高平滑度和纯度的钌酸锶薄膜的原子层沉积。

公开(公告)号：US07632737B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11458064

申请日：2006-07-17

申请人： Neal R. Rueger ,  William Budge ,  Weimin Li

发明人： Neal R. Rueger ,  William Budge ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76235

摘要： A method including, prior to a plasma heat-up operation, forming a liner on structure coated with an insulator. And a method including forming a trench on a substrate, forming an insulator on the trench, and after forming a liner having a thickness of between about 50 angstroms and about 400 angstroms on the insulator, applying a plasma heat-up operation to the substrate.

公开(公告)号：US07470635B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US11378825

申请日：2006-03-17

申请人： Weimin Li ,  Gurtej S. Sandhu

发明人： Weimin Li ,  Gurtej S. Sandhu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823462

摘要： This invention includes methods of depositing silicon dioxide comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation, and methods of forming bit line over capacitor arrays of memory cells. In one implementation, a semiconductor substrate having an exposed outer first surface comprising silicon-nitrogen bonds and an exposed outer second surface comprising at least one of silicon and silicon dioxide is provided. A layer comprising a metal is deposited over at least the outer second surface. A silanol is flowed to the metal of the outer second surface and to the outer first surface effective to selectively deposit a silicon dioxide comprising layer over the outer second surface as compared to the outer first surface. Other aspects and implementations are contemplated.

摘要翻译： 本发明包括在集成电路的制造中沉积包含层的二氧化硅的方法，形成沟槽隔离的方法以及在存储器单元的电容器阵列上形成位线的方法。 在一个实施方案中，提供了具有包含硅 - 氮键的暴露的外部第一表面和包含硅和二氧化硅中的至少一种的暴露的外部第二表面的半导体衬底。 包含金属的层至少沉积在外部第二表面上。 与外部第一表面相比，硅烷醇流动到外部第二表面的金属和外部第一表面，有效地选择性地将二氧化硅包含层沉积在外部第二表面上。 考虑了其他方面和实现。

公开(公告)号：US07341957B2

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：US11215671

申请日：2005-08-30

申请人： Gurtej S. Sandhu ,  Zhiping Yin ,  Weimin Li

发明人： Gurtej S. Sandhu ,  Zhiping Yin ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10852

摘要： A masking structure having multiple layers is formed. The masking structure includes an amorphous carbon layer and a cap layer formed over the amorphous carbon layer. The amorphous carbon layer includes transparent amorphous carbon. The cap layer includes non-oxide materials. The masking structure may be used as a mask in an etching process during fabrication of semiconductor devices.

摘要翻译： 形成具有多层的掩模结构。 掩模结构包括无定形碳层和形成在无定形碳层上的盖层。 无定形碳层包括透明无定形碳。 盖层包括非氧化物材料。 在半导体器件的制造期间，掩模结构可以用作蚀刻工艺中的掩模。

公开(公告)号：US20060265100A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11496093

申请日：2006-07-31

申请人： Weimin Li

发明人： Weimin Li

IPC分类号： G06F19/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28506

摘要： A method for growing films on substrates using sequentially pulsed precursors and reactants, system and devices for performing the method, semiconductor devices so produced, and machine readable media containing the method.

公开(公告)号：US20060244086A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11458642

申请日：2006-07-19

申请人： Zhiping Yin ,  David Williams ,  Weimin Li

发明人： Zhiping Yin ,  David Williams ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L27/14 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01L21/02115 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3146 ,  H01L27/10852

摘要： A transparent amorphous carbon layer is formed. The transparent amorphous carbon layer has a low absorption coefficient such that the amorphous carbon is transparent in visible light. The transparent amorphous carbon layer may be used in semiconductor devices for different purposes. The transparent amorphous carbon layer may be included in a final structure in semiconductor devices. The transparent amorphous carbon layer may also be used as a mask in an etching process during fabrication of semiconductor devices.

摘要翻译： 形成透明无定形碳层。 透明无定形碳层具有低吸收系数，使得无定形碳在可见光下是透明的。 透明无定形碳层可用于不同目的的半导体器件中。 透明无定形碳层可以包括在半导体器件中的最终结构中。 在制造半导体器件期间，透明非晶碳层也可用作蚀刻工艺中的掩模。

公开(公告)号：US20060205236A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11432739

申请日：2006-05-11

申请人： Weimin Li ,  Gurtej Sandhu

发明人： Weimin Li ,  Gurtej Sandhu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  B32B9/04

CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/311 ,  Y10T428/31663

摘要： A cap layer that enables a photopatternable, spin-on material to be used in the formation of semiconductor device structures at wavelengths that were previously unusable. The photopatternable, spin-on material is applied as a layer to a semiconductor substrate. The cap layer and a photoresist layer are each formed over the photopatternable layer. The cap layer absorbs or reflects radiation and protects the photopatternable layer from a first wavelength of radiation used in patterning the photoresist layer. The photopatternable, spin-on material is convertible to a silicon dioxide-based material upon exposure to a second wavelength of radiation.

摘要翻译： 能够使光可图案化的旋涂材料用于以前不可用的波长形成半导体器件结构的盖层。 将可光刻图案的旋涂材料作为层施加到半导体衬底。 覆盖层和光致抗蚀剂层各自形成在光图案化层上。 盖层吸收或反射辐射，并保护光致图案层免受用于图案化光致抗蚀剂层的第一波长的辐射。 照射图案化的旋涂材料在暴露于第二波长辐射时可转换为二氧化硅基材料。