公开(公告)号：CN102574361B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201080043835.5

申请日：2010-11-26

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 铃木大介 ,  大山茂 ,  大泷笃史

IPC分类号： B32B15/04 ,  C04B37/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： C04B37/021 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/52 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种层合材料(1)，其中，两片金属板(2)、(3)和一片陶瓷板(4)按照陶瓷板(4)位于两金属板(2)、(3)之间的方式层合，并且，两金属板(2)、(3)与陶瓷板(4)通过放电等离子体烧结法接合。两金属板(2)、(3)的熔点差在140℃以内。层合材料(1)通过如下方式形成：按照陶瓷板(4)位于两金属板(2)、(3)之间的方式，将熔点差在140℃以内的两片金属板(2)、(3)和一片陶瓷板(4)层合；将两金属板(2)、(3)与陶瓷板(4)的层合体配置在一对放电等离子体烧结装置的电极间；以及在确保两电极间的导通的状态下在两电极间通入脉冲电流，由此将两金属板(2)、(3)与陶瓷板(4)接合。

公开(公告)号：CN102714191B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180005905.2

申请日：2011-01-13

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 石峰裕作 ,  森山正幸 ,  小松原健司

IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

CPC分类号： H01L23/13 ,  C04B35/587 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/74 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L35/32 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0248 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/0269 ,  Y10T428/24413 ,  Y10T428/24421 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/259 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在基板(1a)的主面上涂布焊料，在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板(1)与电路构件、放热构件牢固接合。

公开(公告)号：CN104205324A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016243.8

申请日：2013-03-29

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 长友义幸 ,  石塚博弥 ,  长濑敏之 ,  黑光祥郎 ,  江户正和 ,  三宅秀幸

IPC分类号： H01L23/36

CPC分类号： H05K7/209 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/286 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘层的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al-Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。

公开(公告)号：CN104203870A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018860.1

申请日：2013-05-13

申请人： 东洋炭素株式会社

发明人： 大国友行 ,  陈卫武 ,  宫本钦生

IPC分类号： C04B37/00 ,  C04B35/52 ,  C04B41/87

CPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/522 ,  C04B35/575 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/385 ,  C04B2237/60

摘要： 本发明提供一种新颖的碳材料－陶瓷材料接合体的制造方法，用于制造接合有碳材料(10)和陶瓷材料(12)的碳材料－陶瓷材料接合体(2)。在碳材料(10)上形成含有陶瓷和烧结助剂的层(11)，进行烧结，由此得到碳材料－陶瓷材料接合体(2)。

公开(公告)号：CN104010992A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280064845.6

申请日：2012-12-07

申请人： 通用电气公司

发明人： G.H.科比 ,  J.D.斯泰贝尔 ,  N.D.戈斯

IPC分类号： C04B35/573 ,  B32B18/00 ,  F02C7/00 ,  C04B35/64 ,  F01D25/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/591 ,  C04B35/628 ,  C04B35/80

CPC分类号： C04B35/64 ,  B32B18/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/591 ,  C04B35/6286 ,  C04B35/62863 ,  C04B35/62865 ,  C04B35/62868 ,  C04B35/62871 ,  C04B35/62894 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5256 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/525 ,  C04B2237/61 ,  F01D25/00 ,  F02C7/00 ,  F05D2300/2261 ,  F05D2300/6033 ,  H04W4/023 ,  H04W4/80 ,  Y10T29/49236 ,  Y10T428/249986

摘要： 本发明涉及制造含硅CMC制品的方法。所述方法需要在碳化硅(SiC)纤维上沉积一个或多个涂层，牵拉所述涂布的SiC纤维穿过浆料以产生涂有浆料的纤维材料，且随后加工所述涂有浆料的SiC纤维材料以形成单向预浸渍带。将所述带堆叠且随后烧制以产生多孔预成型件。随后所述多孔预成型件通过浸渗其中的孔隙而进一步致密化，从而产生CMC制品。浸渗可通过一系列聚合物浸渗和热解(PIP)步骤、通过在用碳或一种或多种难熔金属填充在所述预成型件中的孔隙之后而熔体浸渗(MI)、通过化学气相浸渗(CVI)或通过这些浸渗技术的组合来实现。

公开(公告)号：CN103180268B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180051086.5

申请日：2011-10-24

申请人： 日本发条株式会社

发明人： 平野智资 ,  立川俊洋 ,  宫原淳一 ,  花待年彦

IPC分类号： C04B35/622 ,  C04B35/00 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C23C28/00 ,  H05B3/74

CPC分类号： H05B3/265 ,  C04B35/645 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/84 ,  H05B3/18 ,  H05B3/283 ,  H05B3/74 ,  H05B2203/017

摘要： 本发明提供一种抑制烧结时埋设在内部的耐热性金属材料的碳化、且防止耐热性金属材料的导电性的降低的陶瓷烧结体的制造方法、陶瓷烧结体及陶瓷加热器。本发明的陶瓷烧结体是烧结陶瓷前体而形成的、且在上述烧结时金属皮膜被碳化而形成金属碳化物皮膜(4)的陶瓷烧结体，其中，所述陶瓷前体具备：由耐热性金属材料构成的加热线(2)、形成于加热线(2)的表面且由金属碳化物的标准生成自由能比形成加热线(2)的材料小的金属材料构成的金属皮膜、将形成有金属皮膜的加热线(2)配置到作为陶瓷基体的原材料的粉体中的规定的位置并加压成型而形成的陶瓷成型体。

公开(公告)号：CN103339223A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280007472.9

申请日：2012-01-17

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： U.利波尔德 ,  D.艾泽特

IPC分类号： C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L33/504 ,  B32B18/00 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/704 ,  C09K11/7774 ,  F21V9/00

摘要： 说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。

公开(公告)号：CN101641996B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880009605.X

申请日：2008-03-26

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 山元坚

IPC分类号： H05B3/48 ,  H05B3/10 ,  H05B3/18

CPC分类号： H05B3/141 ,  B28B1/008 ,  B28B1/24 ,  B28B7/0091 ,  C04B37/001 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/84

摘要： 本发明提供一种能够廉价地进行制造的陶瓷加热器。该陶瓷加热器具有：电阻发热体，其包括对置的第一通电部和第二通电部，第一通电部在该第一通电部与第二通电部之间具有从第一通电部延伸的第一溢料，第二通电部在第二通电部与第一通电部之间具有从第二通电部延伸的第二溢料；陶瓷基体，其埋设有电阻发热体，在第一及第二通电部的与通电方向垂直的截面内，第一与第二溢料的至少一方的溢料的至少一部分与连结第一溢料的起点和第二溢料的起点的直线相分离。

公开(公告)号：CN101981692B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980110544.0

申请日：2009-03-19

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 采野大介 ,  久幸晃二

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/3735 ,  B22F3/105 ,  B22F7/06 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/666 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种绝缘基板(1)，其包括：电绝缘层(2)、形成于电绝缘层(2)的一面并且由导电材料粉末的放电等离子烧结体形成的配线层(3)、和形成于电绝缘层(2)的另一面且由合金粉末或构成金属复合材料的混合粉末的放电等离子烧结体形成的应力缓和层(4)。配线层(3)由从Al粉末、Cu粉末、Ag粉末和Au粉末中选出的1种粉末的放电等离子烧结体形成。应力缓和层(4)由从Al-Si合金粉末、Cu粉末与Mo粉末的混合粉末、Cu粉末与W粉末的混合粉末、Al粉末与SiC粉末的混合粉末以及Si粉末与SiC粉末的混合粉末中选出的1种粉末的放电等离子烧结体形成。根据该绝缘基板，可以得到可防止散热性能的降低、并且实现耐久性的提高的功率模块。

公开(公告)号：CN102576697A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047257.2

申请日：2010-10-19

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 长友义幸 ,  秋山和裕 ,  殿村宏史 ,  寺崎伸幸 ,  黑光祥郎

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12

CPC分类号： H05K7/02 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32225 ,  H05K7/2039 ,  H05K13/00 ,  Y10T29/49002

摘要： 本发明提供一种功率模块用基板，为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板，在所述金属板中，固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素，所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量％以上10质量％以下，或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量％以上5质量％以下。