公开(公告)号：CN110649053A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910872906.5

申请日：2015-01-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山本笃志 ,  宫泽信二 ,  大冈丰 ,  前田兼作 ,  守屋雄介 ,  小川尚纪 ,  藤井宣年 ,  古濑骏介 ,  长田昌也 ,  山本雄一

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0203

Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。

公开(公告)号：CN110610951A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910872243.7

申请日：2015-01-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山本笃志 ,  宫泽信二 ,  大冈丰 ,  前田兼作 ,  守屋雄介 ,  小川尚纪 ,  藤井宣年 ,  古濑骏介 ,  长田昌也 ,  山本雄一

IPC: H01L27/146

Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。

公开(公告)号：CN110211979A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910468930.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  香川惠永

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H04N5/225

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN109360833A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811091131.X

申请日：2013-06-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  青柳健一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

Abstract: 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。

公开(公告)号：CN108198834A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810156644.8

申请日：2014-03-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  香川惠永

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H04N5/2254

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN107771357A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201680035947.3

申请日：2016-07-15

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松谷弘康 ,  伊藤启之 ,  斋藤卓 ,  大岛启示 ,  岩崎正则 ,  林利彦 ,  佐藤修三 ,  藤井宣年 ,  田泽洋志 ,  白岩利章 ,  石田実

IPC: H01L27/146 ,  G02B1/11 ,  G02B13/00 ,  B29D11/00

CPC classification number: H01L27/14627 ,  B29D11/00375 ,  G02B1/11 ,  G02B13/0085 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 层叠透镜的变形得以抑制。层叠透镜结构具有以下构造：其中，具有配置在形成于基板中的通孔的内侧的透镜的带透镜的基板通过直接接合而被接合和层叠。例如，本技术能够应用于其中层叠透镜结构与受光元件集成的相机模块等，在该层叠透镜结构中，包括第一至第三带透镜的基板的至少三个带透镜的基板是在基板中形成有通孔并且在通孔的内侧形成有透镜的带透镜的基板。

公开(公告)号：CN104040717A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005195.2

申请日：2013-01-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  岩元勇人

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/1876 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明包括以下：粘合具有第一元件的第一基板的元件形成面和具有第二元件的第二基板的元件形成面使得各面彼此面对；至少在具有第二元件的第二基板的端部形成保护膜；以及使第一基板变薄。

公开(公告)号：CN104009060A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410058610.7

申请日：2014-02-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 坂入卓 ,  萩本贤哉 ,  岩元勇人 ,  嵯峨幸一郎 ,  藤井宣年

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/046 ,  G09G2360/142 ,  G09G2360/148 ,  Y10T29/49

Abstract: 本发明涉及显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备。一种显示器包括：发光部，设置在显示区域内；以及受光部，设置在显示区域内并且被配置为接收来自所述发光部的光。

公开(公告)号：CN103367374A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100293.6

申请日：2013-03-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 水田恭平 ,  冈治 ,  小池薫 ,  藤井宣年 ,  小林秀树 ,  吉冈浩孝

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明公开了固体摄像装置及其制造方法、电子设备以及半导体器件的制造装置和方法。所述固体摄像装置包括：具有传感器侧半导体层和传感器侧配线层的传感器基板，传感器侧半导体层包含设置有光电转换部的像素区域，传感器侧配线层设置于与传感器侧半导体层的光接收表面相反的表面侧；具有电路侧半导体层和电路侧配线层的电路基板，其设置于传感器基板的传感器侧配线层侧；连接单元区域，其中设置有具有第一贯穿电极、第二贯穿电极及连接电极的连接部，连接电极将第一贯穿电极与第二贯穿电极连接起来；以及具有台阶部的绝缘层，连接电极埋入在绝缘层内，绝缘层的膜厚度从连接单元区域到像素区域逐渐减小。本发明能够提高光接收特性和图像质量。

公开(公告)号：CN102867847A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 香川恵永 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  藤井宣年

IPC: H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80091 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。