公开(公告)号：CN102615446A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110460651.5

申请日：2011-12-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 赤松俊也 ,  今泉延弘 ,  作山诚树 ,  上西启介 ,  中西彻洋

IPC: B23K35/26 ,  H05K3/34 ,  H01L23/488

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/36 ,  B23K2101/40 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供一种焊料、焊接方法和半导体器件，所述焊料包括Sn(锡)、Bi(铋)和Zn(锌)，其中所述焊料具有0.01wt％至0.1wt％的Zn含量。

公开(公告)号：CN101925657A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125403.1

申请日：2008-01-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树

IPC: C08L101/00 ,  C08K3/00 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K3/341 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2203/304 ,  H05K2203/308 ,  Y02P70/613

Abstract: 本发明提供一种为了防止热容量小的小型的耐热温度低的部件在焊锡附着时因过度升温而引起的热劣化，而能够使小型部件热容量暂时性增加的热容量控制材料，以及采用该热容量控制材料的部件安装方法。本发明的技术方案，包括：通过焊锡将具有电极的部件装载于基板上的工序；将热容量控制材料涂敷于部件上的工序，其中所述热容量控制材料是由相对于部件具有粘着性的第一树脂、通过加热使第一树脂固化的固化剂以及具有脱模性的第二树脂的混合物所构成；对基板进行热处理的热处理工序；以及在热处理工序后对部件上固化的所述热容量控制材料进行去除的去除工序。所述热容量控制材料还包括以比第一树脂的比热更高的无机材料作为主要成分的无机填充剂。

公开(公告)号：CN101203627B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580050152.1

申请日：2005-06-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树

IPC: C23C26/00 ,  B32B15/01 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  H01R13/03

CPC classification number: C23C30/00 ,  B23K35/262 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  C23C2/08 ,  C23C26/00 ,  C25D3/12 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01R13/03 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供一种构件，该构件具有可以抑制晶须发生的被膜。在基材(1)表面上形成有被膜(3)，所述被膜(3)含有由锡或锡合金构成的多个晶粒(3a)。在被膜的晶粒边界形成有锡与第一金属的金属间化合物(3b)。

公开(公告)号：CN104701281B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410708719.0

申请日：2014-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。

公开(公告)号：CN103178037B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210429510.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  赤松俊也 ,  今泉延弘 ,  上西启介 ,  八坂健一 ,  酒井彻

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供电子部件和电子装置。所述电子部件的连接端子的表面上覆盖有由AgSn合金制成的保护层。电子部件焊接到电路板的连接端子。

公开(公告)号：CN103123916B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210376141.4

申请日：2012-09-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树 ,  赤松俊也

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8142 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81457 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81893 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083

Abstract: 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。

公开(公告)号：CN103972115A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310594257.X

申请日：2013-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树 ,  宫岛丰生

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。

公开(公告)号：CN101965617B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200880127833.7

申请日：2008-03-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  酒井泰治

IPC: H01B5/00 ,  H01B1/22 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K1/115 ,  H01B1/026 ,  H01B1/22 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/462 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/0425 ,  H01L2224/0401

Abstract: 导电材料(10)具有：第一金属部(11)，其以第一金属为主成分；第二金属部(12)，其以第二金属为主成分，并形成在上述第一金属部的表面上，该第二金属具有比上述第一金属的熔点低的熔点，并且该第二金属能够与上述第一金属形成金属间化合物；第三金属部(13)，其以第三金属为主成分，该第三金属能够与上述第二金属发生共晶反应。

公开(公告)号：CN101029408B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610106361.X

申请日：2006-07-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  清水浩三

IPC: C25D3/60 ,  C25D5/10

CPC classification number: C22C13/00 ,  B32B15/015 ,  C22C9/02 ,  C22C13/02 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1848 ,  C23C18/48 ,  C23C18/52 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12715 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种电镀结构，包括：基底，其由含有铜作为主要成分的铜基材料形成；电镀膜，其由含有锡作为主要成分的锡基材料形成，并且设置在该基底上；以及锡铜化合物阻挡膜，其位于该基底和该电镀膜之间的边界处。该锡铜化合物阻挡膜的密度大于铜的密度。本发明还公开了形成该电镀结构的电镀方法。根据上述的电镀结构和方法，能够实现具有简单膜结构的无晶须的锡基电镀，同时相对于焊料保持满意的湿度。

公开(公告)号：CN101127314A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710008067.X

申请日：2007-02-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤森城次 ,  作山诚树 ,  赤松俊也

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体元件的安装方法及半导体器件的制造方法，该安装方法用以经由不含铅(Pb)的外部连接凸电极将半导体元件安装在布线板上。该安装方法包括如下步骤：应用回流热处理以使半导体元件的外部连接凸电极与布线板相连接，然后以小于等于0.5℃/s的冷却速率冷却相连接的半导体元件和布线板。