公开(公告)号：CN104838504A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201280077547.0

申请日：2012-12-07

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 增冈史仁 ,  中村胜光 ,  加地考男

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/861

摘要： 在具有激活区域和终端区域的半导体衬底(1)的主面上形成绝缘膜(2)。对激活区域上的绝缘膜(2)进行蚀刻而形成开口(3)。使用绝缘膜(2)作为掩模，一边使半导体衬底(1)旋转，一边从相对于半导体衬底(1)的主面的法线方向倾斜大于或等于20°的方向向半导体衬底(1)注入杂质，在激活区域形成扩散层(7)。扩散层(7)与开口(3)相比延伸至终端区域侧的绝缘膜(2)的下方。

公开(公告)号：CN104838500A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380062964.2

申请日：2013-11-26

申请人： 株式会社电装

发明人： 利田祐麻 ,  赤木望 ,  林敬太

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

摘要： 半导体装置具备比超结构造高杂质浓度的深层(18)。所述深层从距半导体层(5)的表面为规定深度的位置形成，与高杂质层(10)相接并与所述超结构造相接。从衬底法线方向来看，所述深层和表面电极(12)中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的第1端部(P1)与所述高杂质层中的外周侧的端部之间重叠。

公开(公告)号：CN104823269A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380059256.3

申请日：2013-11-12

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

摘要： 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。

公开(公告)号：CN102844840B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180015641.9

申请日：2011-02-17

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 阿塔尔·古普塔 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521

摘要： 一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。

公开(公告)号：CN101425528B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN200810173518.X

申请日：2008-10-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖逢时 ,  何家骅 ,  杨富量

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/861 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

摘要： 本发明提出一种衬底中埋植二极管的相变存储器，包括半导体衬底；二极管；和相变元，所述相变元在所述二极管之上并与所述二极管电连接。所述二极管包括第一导电类型的第一掺杂半导体区，其中所述第一掺杂半导体区埋植在所述半导体衬底中；和第二掺杂半导体区，所述第二掺杂半导体区覆盖在所述第一掺杂半导体区之上并与其相邻接，其中所述第二掺杂半导体区的第二导电类型与所述第一导电类型相反。

公开(公告)号：CN104810370A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410038085.2

申请日：2014-01-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 黄河 ,  克里夫·德劳利

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L27/11543 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11541 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66825

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，第一晶体管的第一源极连接端子和第一漏极连接端子与第二晶体管的控制栅的材料相同，因此可以在同一工艺中制备，从而可以简化工艺，减小该半导体器件的尺寸。本发明的半导体器件的制造方法，在形成第二晶体管的控制栅的同时形成第一晶体管的第一源极连接端子和第一漏极连接端子，可以简化工艺，并在一定程度上减小该半导体器件的尺寸。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。

公开(公告)号：CN104781919A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059278.X

申请日：2013-11-11

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167

摘要： 本发明提供制造能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10的表面10A照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成作为簇离子16的构成元素的碳和掺杂元素固溶后的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片的改性层18上形成掺杂元素的浓度比该改性层18中的掺杂元素的峰值浓度低的外延层20。

公开(公告)号：CN104752419A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410790417.2

申请日：2014-12-17

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 钟元甫 ,  胡楚威 ,  钟元鸿

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4916

摘要： 本发明公开一种集成电路及其制造方法。集成电路包括：第一多晶硅区形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及第二多晶硅区形成在该基底上，具有与该第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。本发明所公开的集成电路及其制造方法，可以有效地改善由激光快速热退火工序所引发的多晶硅电阻器之间的电阻值不匹配的问题。

公开(公告)号：CN104752227A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410156011.9

申请日：2014-04-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王参群 ,  方子韦 ,  李启弘 ,  李资良 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66537 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66651

摘要： 一种使用离子注入降低蚀刻偏差的方法。本发明涉及一种形成晶体管器件的方法。在该方法中，在半导体衬底内形成第一和第二阱区。第一和第二阱区分别具有彼此不同的第一和第二蚀刻速率。将掺杂剂选择性注入至第一阱区内以改变第一蚀刻速率，从而使第一蚀刻速率基本上等于第二蚀刻速率。蚀刻选择性注入的第一阱区和第二阱区以形成具有相等的凹槽深度的沟道凹槽。实施外延生长工艺以在沟道凹槽内形成一个或多个外延层。

公开(公告)号：CN104637993A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410032858.6

申请日：2014-01-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 宋明相 ,  李介文 ,  张伊锋 ,  林文杰

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/66477

摘要： 半导体布置包括阱区和设置在阱区内的第一区域。第一区域包括第一导电类型。半导体布置包括在第一区域的第一侧上设置在阱区之上的第一栅极。第一栅极包括背离阱区的第一顶面。第一顶面具有第一顶面积。半导体布置包括设置在第一栅极之上的第一栅极接触件。第一栅极接触件包括朝向阱区的第一底面。第一底面具有第一底面积。第一底面积覆盖第一顶面积的至少约三分之二。本发明还提供了促进提高热传导性的半导体布置。