公开(公告)号：CN1722414A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200410097321.4

申请日：2004-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤泽哲也 ,  生云雅光

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/29 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括框架，该框架设置于衬底上，以在该衬底上形成半导体芯片容纳部分。半导体芯片设置于该半导体芯片容纳部分中。有机绝缘层设置为覆盖该半导体芯片和该框架。布线层设置于该有机绝缘层上。在该半导体器件中，该框架包括在该框架的纵向方向上排列的间隙。

公开(公告)号：CN101019228A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200480043991.6

申请日：2004-09-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤泽哲也 ,  小泽要 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/91 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种装载在支撑基板上的半导体元件及其制造方法，而且提供如下的半导体器件及其制造方法：在上述半导体元件中被选择的外部连接用电极焊盘，经由设置在上述支撑基板上的开口或切口而导出到上述支撑基板的另一侧主面，与配置在上述支撑基板的另一侧主面上的配线层电连接，并且涉及可使半导体器件更小型化的结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN101145546A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710146868.2

申请日：2007-08-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 加藤祯胤 ,  藤泽哲也 ,  佐藤光孝 ,  吉田英治

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有优良散热特性结构。通过使用粘合剂材料将第一散热部设置在线路板上。通过使用粘合剂材料将半导体元件粘着在第一散热部上。通过引线将半导体元件与设置在线路板上的电极连接。通过使用导电粘合剂材料将覆盖半导体元件和引线的第二散热部接合至第一散热部。通过树脂密封第二散热部除其平坦上部之外的内部和外部。通过上述过程，制造了半导体器件。在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量从第一散热部的边缘部分释放出去。此外，在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量传送至导电粘合剂材料和第二散热部，并从第二散热部的平坦上部释放出去。

公开(公告)号：CN100375273C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410097321.4

申请日：2004-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤泽哲也 ,  生云雅光

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L23/29 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括框架，该框架设置于衬底上，以在该衬底上形成半导体芯片容纳部分。半导体芯片设置于该半导体芯片容纳部分中。有机绝缘层设置为覆盖该半导体芯片和该框架。布线层设置于该有机绝缘层上。在该半导体器件中，该框架包括在该框架的纵向方向上排列的间隙。

公开(公告)号：CN1822364A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510076387.X

申请日：2005-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 爱场喜孝 ,  藤泽哲也 ,  米田义之

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开一种半导体器件，包括：支撑衬底；第一半导体元件，安装在该支撑衬底的一侧上；第二半导体元件，包括安装在该支撑衬底的所述一侧上的高频电极；通孔，设置在与该高频电极相关联的该支撑衬底上；以及外部连接电极，设置在与该通孔相关联的该支撑衬底的另一侧上。