公开(公告)号：CN105428334A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510582282.5

申请日：2015-09-14

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  杨明宗

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/10 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H05K1/112 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构。其包括第一半导体封装和堆叠于第一半导体封装上的第二半导体封装；第一半导体封装包括第一半导体祼芯片，具有第一连接垫；第一通孔，设置于第一半导体祼芯片之上且耦接至第一连接垫；以及第一动态随机存取存储器祼芯片，安装于第一半导体祼芯片之上且耦接至第一通孔；第二半导体封装包括：主体，具有祼芯片接触面和位于祼芯片接触面对面的凸块接触面；以及第二动态随机存取存储器祼芯片，安装于祼芯片接触面之上且由接合线耦接至主体；第一动态随机存取存储器祼芯片的I/O引脚的数量不同于第二动态随机存取存储器祼芯片的I/O引脚的数量。本发明实施例，具有低成本、高带宽、低功耗和快速转变等优点。

公开(公告)号：CN108695297A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810283513.6

申请日：2018-04-02

申请人： 富士电机株式会社 ,  株式会社宏仁

发明人： 堀元人 ,  稻叶祐树 ,  池田良成 ,  砂子哲也 ,  稻场道弘

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L23/492 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L25/10 ,  H01L25/105 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84201

摘要： 一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及接口单元，能够减轻将半导体装置与外部设备连接时的连接作业的负担。半导体装置具备：底板；多个半导体单元，分别具备半导体芯片及与半导体芯片连接且向与底板相反侧延伸的棒状的单元侧控制端子，半导体单元以成对个数并排在底板上；接口单元，具有与从多个半导体单元分别延伸的多个单元侧控制端子连接的第一发射极及第一栅极信号用内部布线、第二发射极及第二栅极信号用内部布线以及与这些信号用内部布线连接且向与半导体单元相反的一侧的外部延伸的棒状的第一发射极信号用端子、第一栅极信号用端子、第二发射极信号用端子及第二栅极信号用端子，接口单元具有设置于多个半导体单元之上的箱状的收纳部。

公开(公告)号：CN104282654B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201310573261.8

申请日：2013-11-15

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 小柳胜 ,  末松靖弘

IPC分类号： H01L23/50 ,  G11C11/40

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/10 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体装置。根据实施方式，具备形成于半导体芯片的晶体管、连接于所述晶体管的扩散层并引出到所述扩散层之外的下层布线和从形成于所述半导体芯片上的衬垫电极引出并连接于所述下层布线且电阻率比所述下层布线小的上层布线。

公开(公告)号：CN106469720A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610654900.7

申请日：2016-08-11

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 骆彦彬 ,  鄞豪辉 ,  游志青 ,  苏耀群

IPC分类号： H01L25/10

CPC分类号： H04L49/40 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H03M9/00 ,  H04L49/30 ,  H01L25/10

摘要： 本发明实施例公开多芯片结构。其中一种多芯片结构可包括：交换机系统芯片；设置在所述交换机系统芯片周围的多个串并转换器芯片；以及多个芯片间接口，其中，所述多个芯片间接口用于将所述多个串并转换器芯片分别与所述交换机系统芯片相连接。实施本发明实施例，输入输出芯片可独立进行设计以最优化它们的性能，并且这些输入输出芯片可通过最合适的半导体工艺制造。

公开(公告)号：CN104576557A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410512875.X

申请日：2014-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金相昱

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种半导体封装件装置，所述半导体封装件装置包括下封装件、设置在下封装件上并且包括接地层和至少一个开口的插入件、位于插入件上的上封装件。下封装件包括第一封装件基板、位于第一封装件基板上的第一半导体芯片以及位于第一封装件基板上的第一模制化合物层。上封装件包括第二封装件基板和位于第二封装件基板上的至少一个上半导体芯片。热传递构件包括设置在插入件和上封装件之间的第一部分，设置在插入件的至少一个开口中的第二部分以及设置在插入件和下封装件之间的第三部分。

公开(公告)号：CN109661725A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201680088753.X

申请日：2016-09-26

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/66 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/10 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15192 ,  H01Q1/2283

摘要： 本文中一般讨论的是包括通信腔体的系统、设备和方法。根据示例，一种设备可以包括具有形成于其中的第一腔体的基板，在腔体中暴露并且被腔体封闭的第一和第二天线，以及形成在基板中的互连结构，该互连结构包括交替的导电材料层和层间介电层。

公开(公告)号：CN108701690A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680083046.1

申请日：2016-04-01

申请人： 英特尔公司

发明人： F.华 ,  C.M.佩尔托 ,  V.R.劳 ,  M.T.博尔 ,  J.M.斯万

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/10 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： 本公开的实施例描述了用于制造堆叠的集成电路（IC）装置的技术。可以对包括多个第一IC管芯的第一晶片进行分类，以识别多个第一IC管芯中的第一已知良好管芯。可以切割第一晶片以分离第一IC管芯。可以对包括多个第二IC管芯的第二晶片进行分类，以识别多个第二IC管芯中的第二已知良好管芯。第一已知良好管芯可被接合到第二晶片的相应第二已知良好管芯。在一些实施例中，在将第一已知良好管芯接合到第二晶片之后，可以减薄第一已知良好管芯。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN106548991A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610614954.0

申请日：2016-07-29

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 许文松 ,  林世钦 ,  郑道 ,  张垂弘

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/10 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49822

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体封装、半导体元件及其制造方法。其中该半导体封装包括：封装基底，该封装基底具有第一导电层、柱层、第一封装体和第二导电层。其中，该柱层形成于该第一导电层上。该第一封装体封装该第一导电层及该柱层。其中，该第二导电层电性连接该柱层。另外，该半导体封装还包括：电子元件和第二封装体，该电子元件设置在该封装基底的该第二导电层的上方，并且该第二封装体封装该电子元件及该第二导电层。在本发明实施例中，由于采用封装体来形成封装基底，因此可以降低半导体封装的尺寸。

公开(公告)号：CN106252340A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610850993.0

申请日：2016-09-26

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司

发明人： 白航 ,  陈龙 ,  江毅 ,  全本庆 ,  关卫林

IPC分类号： H01L25/10

CPC分类号： H01L25/10 ,  H01L25/50

摘要： 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光器件封装装置及封装方法技术。包括用于封装光器件（101）的封装壳（103），以及设置在封装壳103）上部能与封装壳（103）组成一个具有空腔本体的封装盖（104）；封装壳（103）内部的底面设有减震垫（102）；所述减震垫（102）上通过卡扣的方式安装光器件（101）并且紧密接触。本发明具有以下优点：1、本发明封装装置设置有减震垫，可以缓冲或吸收外来振动和应力干扰，从而提高了光器件的抗干扰能力和工作的稳定性；2、本发明装置封装时采用氮气气氛，光器件在氮气气氛工作可以提高光器件的寿命及可靠性。

公开(公告)号：CN106233443A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480078105.7

申请日：2014-04-24

申请人： 株式会社新川

发明人： 吉野浩章 ,  富山俊彦

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K20/004 ,  B23K20/26 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4896 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/75 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/10 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种形成半导体装置用的凸块的方法，包括：接合步骤，将自接合工具的前端伸出的金属线的前端接合于第1地点X1；金属线抽出步骤，使接合工具向远离第1地点X1的方向移动；薄壁部形成步骤，在基准面的第2地点X2利用接合工具按压金属线的一部分，而在金属线形成薄壁部属线以自基准面竖立的方式进行整形；及凸块形成步骤，将金属线自薄壁部切断，而在第1地点X1形成具有自基准面竖立的形状的凸块(60)。由此，可更简便且有效率地形成具有所需高度的凸块。(64)；金属线整形步骤，将接合于第1地点X1的金