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公开(公告)号:CN106992163A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201610836377.X
申请日:2016-09-21
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/48
CPC分类号: H01L24/32 , H01L21/76816 , H01L21/7685 , H01L21/76898 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L2224/02166 , H01L2224/0221 , H01L2224/0361 , H01L2224/0391 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05094 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05559 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/08054 , H01L2224/08059 , H01L2224/32113 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/35121 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L24/13 , H01L23/481 , H01L2224/10125 , H01L2224/13009 , H01L2224/13012
摘要: 公开了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件。该半导体器件包括具有衬底穿孔(TSV)的半导体衬底;半导体衬底上且包括其中的多个凹槽的介电层;以及位于半导体衬底之上以覆盖介电层部分和延伸至凹槽的焊盘;其中,焊盘延伸至多个凹槽,以及在焊盘和导电层之间的凹槽中限制多个接触点,以及当自上向下角度看时,每个接触点至少部分地被排除在TSV的边界之外。本发明实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。
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公开(公告)号:CN108735698A
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201810261605.4
申请日:2018-03-27
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H01L23/485 , H01L27/06 , H01L21/60
CPC分类号: H03F1/52 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/0274 , H01L21/2654 , H01L21/28575 , H01L21/30612 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76895 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L27/0635 , H01L27/0652 , H01L29/045 , H01L29/0642 , H01L29/0657 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/452 , H01L29/66204 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/861 , H01L2224/0221 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0362 , H01L2224/04042 , H01L2224/05025 , H01L2224/05084 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/0518 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/10329 , H01L2924/10337 , H01L2924/13051 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/426 , H03F2200/444
摘要: 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中,能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上,接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。
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公开(公告)号:CN107316842A
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201610326414.2
申请日:2016-05-17
申请人: 矽品精密工业股份有限公司
IPC分类号: H01L23/13
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02205 , H01L2224/0221 , H01L2224/02373 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05557 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/81192 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/014 , H01L23/13
摘要: 一种基板结构,包括:具有电性接点的基板本体、形成于该基板本体上并外露该电性接点的绝缘层、以及形成于该绝缘层部分表面上的绝缘保护层,该绝缘保护层具有对应位于单一该电性接点的多个开口,其中,至少一该开口位于该电性接点的外围,以于该基板结构经过高温作业时,该绝缘保护层可通过该些开口分散制造方法所产生的残留应力。
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