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公开(公告)号：JP5828706B2
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：JP2011170256
申请日：2011-08-03
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/14 , C09J175/04 , H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L2224/83191 , H01L2924/181
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公开(公告)号：JP6228732B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2012253504
申请日：2012-11-19
申请人： 日東電工株式会社
CPC分类号： C08J5/18 , C08G59/08 , C08G59/621 , C08G59/686 , C08L63/00 , H01L23/145 , C08J2363/00 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L2221/68345 , H01L2224/16238 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L23/49822
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公开(公告)号：JP6170290B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2012226085
申请日：2012-10-11
申请人： 日東電工株式会社
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B7/06 , C09J7/29 , B32B2307/30 , B32B2307/584 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , B32B2457/00 , B32B2571/00 , Y10T428/24752 , Y10T428/31515
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公开(公告)号：JP6203805B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2015209827
申请日：2015-10-26
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/301 , H05K9/00 , C09J201/00 , C09J7/02
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/6836 , H01L21/563 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83862 , H01L23/544 , H01L2924/01019 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , Y10T428/28
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公开(公告)号：JP6144868B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2011228056
申请日：2011-10-17
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/301 , H05K9/00 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/6836 , H01L21/563 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83862 , H01L23/544 , H01L2924/01019 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , Y10T428/28
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6.发明专利ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置 审中-公开DIE-BONDING FILM，DICING / DIE-BONDING FILM，METHOD OF MANUFACTURING DIE-BONDING FILM，AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIE-BONDING FILM
公开(公告)号：JP2016119493A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2016048000
申请日：2016-03-11
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , C09J7/0292 , H01L21/6836 , H01L23/552 , H01L24/29 , H01L24/83 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/29 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/29393 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/85097 , H01L2224/85205 , H01L2225/0651 , H01L2225/06537 , H01L2225/06568 , H01L23/3121 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , Y10T156/10 , Y10T428/2804
摘要： 【課題】 生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置が製造可能であること。 【解決手段】 接着剤層と、金属箔からなる電磁波シールド層とを有するダイボンドフィルムと、ダイシングフィルムとを有し、ダイボンドフィルムを透過した電磁波の減衰量が、50MHz〜20GHzの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、3dB以上であるダイシング・ダイボンドフィルム。 【選択図】 図1
摘要翻译： 要解决的问题：制造具有电磁波屏蔽层而不降低生产率的半导体器件。解决方案：切割/芯片接合膜包括：具有粘合剂层和电磁波屏蔽层的芯片接合膜，其由 金属箔 和切割膜。 至少在50MHz至20GHz范围内的频率区域的一部分中，通过芯片接合膜传播的电磁波的衰减量为3dB以上。图1
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7.发明专利フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 有权片状薄膜半导体背面的薄膜，贴片半导体背面的薄膜，以及片状薄膜半导体背面薄膜的制作方法
公开(公告)号：JP2016056370A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015209827
申请日：2015-10-26
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/301 , H05K9/00 , C09J201/00 , C09J7/02
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/6836 , H01L21/563 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83862 , H01L23/544 , H01L2924/01019 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , Y10T428/28
摘要： 【課題】被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に電磁波シールド層を設けることができ、かつ、当該電磁波シールド層を有する半導体装置を、生産性を低下させることなく製造できること。 【解決手段】 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、接着剤層と、電磁波シールド層とを有し、電磁波シールド層は、導電層、又は、誘電体層であり、少なくとも一方の面にセパレータが設けられているフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 【選択図】 図1
摘要翻译： 要解决的问题：为了在被粘物上进行倒装芯片连接的半导体元件的背面上提供电磁波屏蔽层，并且生产具有电磁波屏蔽层而不降低生产率的半导体器件。解决方案： 提供了一种用于倒装芯片型半导体背面的薄膜，用于在被粘物上进行倒装芯片连接的半导体元件的背面上。 膜包括粘合层和电磁波屏蔽层，其中电磁波屏蔽层是导电层或电介质层，隔膜设置在膜的至少一个表面上。图1
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公开(公告)号：JP5768023B2
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：JP2012189025
申请日：2012-08-29
申请人： 日東電工株式会社
CPC分类号： H01L23/293 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
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