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公开(公告)号:JP6334962B2
公开(公告)日:2018-05-30
申请号:JP2014043318
申请日:2014-03-05
Applicant: 新光電気工業株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15313 , H05K3/0011 , H05K3/0032 , H05K3/007 , H05K3/301 , H05K3/4602 , H05K2201/09063 , H05K2201/09154 , H05K2201/10522 , H05K2201/10636 , H05K2201/10651 , H05K2203/1105 , H05K2203/1316 , H05K2203/167 , Y02P70/611 , Y10T29/49146
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公开(公告)号:JP6281184B2
公开(公告)日:2018-02-21
申请号:JP2013043844
申请日:2013-03-06
Applicant: 住友ベークライト株式会社
Inventor: 大東 範行
CPC classification number: B32B15/08 , B32B17/04 , H01L23/145 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0366 , H05K1/0373 , H05K2201/029 , H05K2201/068
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公开(公告)号:JP2017224642A
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:JP2016116956
申请日:2016-06-13
Applicant: 新光電気工業株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/481 , H01L21/4853 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49866 , H05K1/0284 , H05K1/0296 , H05K1/111 , H05K1/0216 , H05K1/181 , H05K2201/09218
Abstract: 【課題】配線層の高密度化に伴う絶縁信頼性の低下を抑制可能な配線基板を提供する。 【解決手段】本配線基板は、一方の側に、凸部を備えた絶縁層と、前記凸部の上端面に形成された配線層と、を有し、前記配線層は、前記凸部の上端面の外周部を露出するように形成された第1金属層と、前記第1金属層の上面に形成され、下面の外周部が前記第1金属層の上面の外側に露出すると共に、前記凸部の上端面よりも幅広く設けた第2金属層と、前記第1金属層の側面、並びに、前記第2金属層の上面、側面、及び下面の外周部、を被覆すると共に、前記凸部の上端面と前記第2金属層の下面の外周部とが対向する領域を充填する第3金属層と、を有し、前記第2金属層と前記第3金属層は、異なる材料からなる。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017524040A
公开(公告)日:2017-08-24
申请号:JP2016551162
申请日:2016-03-07
Applicant: エルジー・ケム・リミテッド
CPC classification number: C08G73/125 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/34 , C03C17/30 , C08G73/10 , C08G73/106 , C08G73/12 , C08G77/04 , C08G77/455 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08K3/36 , C09D179/08 , C09D183/10 , G02F1/1333 , G02F1/133305 , G02F1/167 , H01L23/145 , H01L31/03926 , H01L31/042 , H01L51/0097 , Y02E10/50
Abstract: 本発明は化学式1の構造を含むジアミンまたは酸二無水物から来由されたポリイミド前駆体を含有する光電素子のフレキシブル基板用ポリイミド前駆体組成物、及びこれにより製造されたポリイミドフィルムに係り、本発明による前駆体組成物を基板に塗布及び硬化させて得たポリイミドフィルムは、高い透明性及び耐熱性を有し、高い熱処理後にも基板のストレスが上昇することなく、寸法安定性に優れている。
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公开(公告)号:JP2017514317A
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:JP2017506248
申请日:2014-05-06
Applicant: インテル コーポレイション , インテル コーポレイション
Inventor: カムゲイング,テレスフォー , エー. エルシェルビニ,アデル , エー. エルシェルビニ,アデル , ダブリュー. フランク,トーリー , ダブリュー. フランク,トーリー
CPC classification number: H01L23/49838 , G06F1/1613 , G06Q30/02 , H01L21/288 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/145 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L23/5223 , H01L23/562 , H01L23/66 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/10253 , H01L2924/1421 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/3511
Abstract: 本開示の実施形態は、アンテナ並びに関連する技術及び構成を有する多層パッケージを記載している。1つの実施形態においては、集積回路(IC)パッケージアセンブリは、第1の側及びその第1の側に対向して配置されている第2の側を有する第1の層と、第1の層の第1の側と結合されている第2の層と、第2の層と結合されている第1の層の第2の側と1つ又は複数のアンテナ素子と、第1の層の第2の側と結合されている第3の層とを含み、第1の層は引張係数を有している補強層であり、その引張係数は第2の層及び第3の層の引張係数よりも大きくなっている。他の実施形態は明細書において説明され、特許請求の範囲に記載される。
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公开(公告)号:JP6117790B2
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:JP2014528102
申请日:2013-07-25
Applicant: 京セラ株式会社
CPC classification number: H05K1/112 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H05K1/0298 , H05K1/181 , H05K3/4602 , H05K3/4655 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H05K2201/0175 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/029
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公开(公告)号:JP2017505999A
公开(公告)日:2017-02-23
申请号:JP2016549269
申请日:2015-02-06
Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド
Inventor: シーチュン・グ , ラティボル・ラドイチッチ , ドン・ウク・キム
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/17 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/16238 , H01L2224/1712 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K2201/09845 , H05K2201/10242 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: ダイ側再配線層を通じて複数のダイ相互接続に電気的に結合する複数の金属ポストを含む、下部パッケージ基板が提供される。金属ポストおよびダイ相互接続は、下部パッケージ基板上のシード層の上にめっきされる。
Abstract translation: 包括多个电耦合到所述多个管芯通过模侧再配线层互连金属柱,设置在所述下部封装基板。 金属柱和芯互连镀下部封装基板上的晶种层上。
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公开(公告)号:JP2017505540A
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:JP2016546790
申请日:2015-01-22
Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド
Inventor: チン−クァン・キム , ミリンド・プラヴィン・シャア , マニュエル・アルドレーテ
CPC classification number: H01L23/053 , H01L21/30604 , H01L21/32051 , H01L21/32133 , H01L21/32139 , H01L21/4846 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半導体パッケージ基板内の空洞形成のための方法および装置が提供される。一実施形態では、半導体パッケージ基板内に少なくとも1つの空洞を生成するための方法は、少なくとも1つの空洞を得るために少なくとも1つの意図した空洞位置において半導体パッケージ基板の表面から半導体パッケージ基板をエッチングするステップを含む。本方法は、空洞位置において基板上に銅部分を堆積させるステップを含む。次に、本方法は、銅部分を露出させながら基板をマスキングするステップを含む。最後に、本方法は、銅部分をエッチング除去することによって空洞を形成するために基板をエッチングするステップを含む。形成された構造部は、基板に埋め込まれたガラス構造部にダメージを与えることなく基板を通して部分的に延びる空洞を含む。
Abstract translation: 提供了一种用于在半导体封装基板中的空洞形成方法和装置。 在一个实施例中,对于在半导体封装基板产生至少一个腔体,在从至少一个预期的空腔位置处的半导体封装基板的表面进行蚀刻的半导体封装基板,以获得至少一个空腔的方法 包括的步骤。 该方法包括沉积在空腔位置的基板上的铜的部分。 接下来,该方法包括同时暴露铜部分掩蔽所述衬底的步骤。 最后,该方法包括蚀刻衬底以形成腔体由铜部分蚀刻掉的步骤。 形成的结构部分包括,而不损坏该被嵌入在基板的玻璃结构穿过所述衬底部分地延伸的腔。
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公开(公告)号:JP2017504194A
公开(公告)日:2017-02-02
申请号:JP2016541303
申请日:2014-12-19
Inventor: コールマン,トッド,プレンティス , キム,ユン,ソン , バヘマ,マイケル , ワインレブ,ロバート,エヌ.
CPC classification number: H05K1/118 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/56 , H01L23/145 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L33/62 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24101 , H01L2224/24137 , H01L2224/25175 , H01L2224/82005 , H01L2224/82051 , H01L2224/82106 , H01L2224/82951 , H01L2224/97 , H01L2933/0066 , H05K1/025 , H05K1/0393 , H05K1/189 , H05K3/303 , H05K3/4644 , H05K3/465 , H05K3/4682 , H05K2201/0154 , H05K2201/0162 , H05K2201/0209 , H05K2201/026 , H05K2201/10037 , H05K2201/10106 , H05K2201/10121 , H05K2201/10151 , H05K2201/10166 , H05K2201/10174 , H05K2201/10522 , H05K2203/0173 , H05K2203/1316 , H05K2203/1469 , H05K3/467 , H01L2224/82
Abstract: 高度にスケーラブルな電子回路、デバイス及びシステムの製造方法を開示する。一側面において、製造方法は、フレキシブルな電気絶縁性材料を含む基板上の位置に電子部品を取り付けることと、電子部品及び基板の表面に順応する相の材料を堆積させることによって電子部品を収容するテンプレートを形成することと、材料を固体状態に変化させることと、基板に開口を形成し、電子部品の導電部分を露出させ、基板の選択された構成において導電部分の少なくとも幾つかに接続する電気相互接続を形成し、基板上で電気相互接続上に電気絶縁性のフレキシブル材料の層を堆積させて、回路のフレキシブルベースを形成することによって、テンプレートに収容された回路又は電子デバイスを作成することと、を含む。【選択図】図1
Abstract translation: 高度公开了用于生产一个可扩展的电子电路,设备和系统的方法。 在一个方面中,一种制造方法,通过沉积的电子部件附着在基板上的位置,其包括柔性的电绝缘材料,该相以容纳电子元件和基片材料的表面容纳所述电子部件 和形成模板,并改变在固态材料,以在所述衬底以暴露所述电子部件的导电部分的开口,在所述车载电气的选择的配置连接到至少一些所述导电部分的 以形成互连以及在衬底上沉积电绝缘柔性材料层,通过形成电路的柔性基底,形成容纳在模板的电路或电子设备电互连 并且,包括。 1点域
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公开(公告)号:JP2016207893A
公开(公告)日:2016-12-08
申请号:JP2015089546
申请日:2015-04-24
Applicant: イビデン株式会社
CPC classification number: H05K1/11 , H01L21/486 , H01L23/12 , H01L23/145 , H01L23/49861 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2203/0307 , H05K3/205 , H05K3/382
Abstract: 【課題】第1面と第2面とを接続する導体ポストを形成し、その周囲をモールド用樹脂で被覆する場合に、樹脂絶縁層と導体ポスト等との密着性の向上。 【解決手段】第1面F1および第1面F1と反対側の第2面F2を有する配線導体層21と、配線導体層21の第2面F2上に形成される導体ポスト25と、第1表面SF1および第1表面SF1と反対側の第2表面SF2を有し、第1表面SF1側に配線導体層21の第1面F1が露出するように配線導体層21を埋め込むと共に、導体ポスト25の側面を被覆し、導体ポスト25の端面25aを第2表面SF2側に露出させる樹脂絶縁層30とを備えている。実施形態では、導体ポスト25の側面25bおよび端面25aに粗化処理が施されており、側面25bの表面粗さを第1粗さRa1、端面25aの表面粗さを第2粗さRa2とするとき、Ra1>Ra2となるように形成されている。 【選択図】図1A
Abstract translation: A的第一表面和第二表面,以形成导电柱连接,围绕一个模制树脂,改善在树脂绝缘层和导体柱等之间的粘附性涂层时。 第一表面F1与第一表面F1和具有表面F2相对的第二布线导体层21,导体柱25形成在布线导体层21,第一的第二表面F2 相对的表面SF1和第一表面SF1的一侧的第二表面SF2,与第一表面SF1侧上的配线导体层21的第一表面F1一起嵌入配线导体层21,以露出导体柱25 侧涂布,并且其端面25a的上导电柱25的第二表面SF2侧露出的树脂绝缘层30。 在实施例中,粗糙化处理是在侧面25b和导电柱25的端部表面25a进行的,所述侧表面的表面粗糙度25B第一粗糙度器Ra1,端部表面25a的表面粗糙度和第二粗糙度Ra2的 当该器Ra1> Ra2的形成。 点域1A
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