公开(公告)号：US20100052008A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12364272

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Asako Hirai ,  Makoto Saito ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Asako Hirai ,  Makoto Saito ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/16

摘要： An off-axis cut of a nonpolar III-nitride wafer towards a polar (−c) orientation results in higher polarization ratios for light emission than wafers without such off-axis cuts. A 5° angle for an off-axis cut has been confirmed to provide the highest polarization ratio (0.9) than any other examined angles for off-axis cuts between 0 and 27°.

摘要翻译： 非极性III族氮化物晶片向极（-c）取向的偏轴切割导致比没有这种离轴切割的晶片更高的发光偏振比。 已经确认了用于离轴切割的5°角，以提供在0和27°之间的离轴切割的任何其它检查角度的最高偏振比（0.9）。

公开(公告)号：US20090294775A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12474143

申请日：2009-05-28

申请人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  C30B25/02 ,  C30B28/14 ,  C30B30/00

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A method of obtaining a hexagonal würtzite type epitaxial layer with a low impurity concentration of alkali-metal by using a hexagonal würtzite substrate possessing a higher impurity concentration of alkali-metal, wherein a surface of the substrate upon which the epitaxial layer is grown has a crystal plane which is different from the c-plane.

摘要翻译： 一种通过使用具有较高杂质浓度的碱金属的六方晶系铁氧体基板来获得具有低杂质浓度的碱金属的六方晶系的外延层的方法，其中生长该外延层的基板的表面具有 与c平面不同的晶体平面。

公开(公告)号：US20090194761A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12364258

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/16

摘要： An increase in the Indium (In) content in light-emitting layers of light-emitting diode (LED) structures prepared on nonpolar III-nitride substrates result in higher polarization ratios for light emission than LED structures containing lesser In content. Polarization ratios should be higher than 0.7 at wavelengths longer than 470 nm.

摘要翻译： 在非极性III族氮化物衬底上制备的发光二极管（LED）结构的发光层中的铟（In）含量的增加导致与含有较少In含量的LED结构相比较高的发光极化比。 在470nm以上的波长下，极化率应高于0.7。

公开(公告)号：US07504274B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US11621479

申请日：2007-01-09

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin A. Haskell ,  Stacia Keller ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin A. Haskell ,  Stacia Keller ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US07220658B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10537644

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin A Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US09159553B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US12861532

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A dislocation-free high quality template with relaxed lattice constant, fabricated by spatially restricting misfit dislocation(s) around heterointerfaces. This can be used as a template layer for high In composition devices. Specifically, the present invention prepares high quality InGaN templates (In composition is around 5-10%), and can grow much higher In-composition InGaN quantum wells (QWs) (or multi quantum wells (MQWs)) on these templates than would otherwise be possible.

摘要翻译： 具有松散晶格常数的无位错高质量模板，通过空间限制异质界面周围的错配位错制造。 这可以用作高In组合设备的模板层。 具体地说，本发明制备了高质量的InGaN模板（In组成为约5-10％），并且可以在这些模板上生长比其它模板高得多的In-InGaN量子阱（QW）（或多量子阱（MQW）） 有可能

公开(公告)号：US08761218B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13080260

申请日：2011-04-05

申请人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01S2304/04

摘要： A semipolar plane III-nitride semiconductor-based laser diode or light emitting diode, comprising a semipolar Indium containing multiple quantum wells for emitting light, having Aluminum containing quantum well barriers, wherein the Indium containing multiple quantum well and Aluminum containing barriers are grown in a semipolar orientation on a semipolar plane.

摘要翻译： 一种半极性III族氮化物半导体激光二极管或发光二极管，其包含含有多个用于发光的量子阱的半极性铟，其具有含铝的量子阱屏障，其中含有多量子阱和含铝屏障的铟在 在半极性平面上的半极性取向。

公开(公告)号：US08691671B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13427590

申请日：2012-03-22

申请人： Asako Hirai ,  Zhongyuan Jia ,  Makoto Saito ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Steven P. Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  James S. Speck

发明人： Asako Hirai ,  Zhongyuan Jia ,  Makoto Saito ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Steven P. Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  James S. Speck

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/26 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333 ,  Y10T428/24612

摘要： A nonpolar III-nitride film grown on a miscut angle of a substrate, in order to suppress the surface undulations, is provided. The surface morphology of the film is improved with a miscut angle towards an α-axis direction comprising a 0.15° or greater miscut angle towards the α-axis direction and a less than 30° miscut angle towards the α-axis direction.

摘要翻译： 提供了为了抑制表面波动而在衬底的错误角度上生长的非极性III族氮化物膜。 膜的表面形态通过朝向朝向α轴方向具有0.15°以上的误差角和朝向α轴方向的小于30°的倾斜角度的朝向α轴方向的误差角度而改善。

公开(公告)号：US08647967B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US12474143

申请日：2009-05-28

申请人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A method of obtaining a hexagonal würtzite type epitaxial layer with a low impurity concentration of alkali-metal by using a hexagonal würtzite substrate possessing a higher impurity concentration of alkali-metal, wherein a surface of the substrate upon which the epitaxial layer is grown has a crystal plane which is different from the c-plane.

摘要翻译： 一种通过使用具有较高杂质浓度的碱金属的六方晶系铁氧体基板来获得具有低杂质浓度的碱金属的六方晶系的外延层的方法，其中生长该外延层的基板的表面具有 与c平面不同的晶体平面。

公开(公告)号：US08368179B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13311986

申请日：2011-12-06

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。