公开(公告)号：US08334564B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12984253

申请日：2011-01-04

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body. In one embodiment the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US08093711B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12364340

申请日：2009-02-02

申请人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

发明人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip having a through-connection extending between a first main face of the semiconductor chip and a second main face of the semiconductor chip opposite the first main face, encapsulation material at least partially encapsulating the semiconductor chip, and a first metal layer disposed over the encapsulation material and connected with the through-connection.

摘要翻译： 一种半导体器件包括半导体芯片，其具有在半导体芯片的第一主面之间延伸的贯通连接和与第一主面相对的半导体芯片的第二主面，至少部分地封装半导体芯片的封装材料，以及第一 金属层设置在封装材料上并与通孔连接。

公开(公告)号：US07906860B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11925312

申请日：2007-10-26

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Marcus Kastner ,  Stephan Bradl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Marcus Kastner ,  Stephan Bradl

IPC分类号： H01L23/29

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment provides an arrangement of a plurality of semiconductor chips arranged side by side in a spaced apart relationship. A first material fills at least partly the spacings between adjacent semiconductor chips. A second material is arranged over the semiconductor chips and the first material. A coefficient of thermal expansion of the first material is selected to adapt the lateral thermal expansion of the arrangement in a plane intersecting the first material and the semiconductor chips to the lateral thermal expansion of the arrangement in a plane intersecting the second material.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例提供了以间隔开的关系并排布置的多个半导体芯片的布置。 第一材料至少部分地填充相邻半导体芯片之间的间距。 第二材料布置在半导体芯片和第一材料上。 选择第一材料的热膨胀系数以使布置的横向热膨胀在与第一材料和半导体芯片相交的平面中适应布置在与第二材料相交的平面中的横向热膨胀。

公开(公告)号：US07868446B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11850750

申请日：2007-09-06

申请人： Thorsten Meyer

发明人： Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/562 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05099

摘要： This application relates to a semiconductor device comprising a semiconductor chip, a molded body covering the semiconductor chip wherein the molded body comprises an array of recesses in a first surface of the molded body, first contact elements, and elastic elements in the recesses that connect the first contact elements with the molded body.

摘要翻译： 本申请涉及一种包括半导体芯片的半导体器件，覆盖半导体芯片的成型体，其中模制体包括在模制体的第一表面中的凹槽阵列，第一接触元件和凹部中的弹性元件， 第一接触元件与成型体。

公开(公告)号：US20100193928A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12364340

申请日：2009-02-02

申请人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

发明人： Frank Zudock ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Andreas Wolter

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip having a through-connection extending between a first main face of the semiconductor chip and a second main face of the semiconductor chip opposite the first main face, encapsulation material at least partially encapsulating the semiconductor chip, and a first metal layer disposed over the encapsulation material and connected with the through-connection.

摘要翻译： 一种半导体器件包括半导体芯片，其具有在半导体芯片的第一主面之间延伸的贯通连接和与第一主面相对的半导体芯片的第二主面，至少部分地封装半导体芯片的封装材料，以及第一 金属层设置在封装材料上并与通孔连接。

公开(公告)号：US20090261468A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12105837

申请日：2008-04-18

申请人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

发明人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module. One embodiment provides at least two semiconductor chips placed on a carrier. The at least two semiconductor chips are then covered with a molding material to form a molded body. The molded body is thinned until the at least two semiconductor chips are exposed. Then, the carrier is removed from the at least two semiconductor chips. The at least two semiconductor chips are singulated.

摘要翻译： 半导体模块。 一个实施例提供放置在载体上的至少两个半导体芯片。 然后将至少两个半导体芯片用模制材料覆盖以形成模制体。 成型体变薄，直到暴露出至少两个半导体芯片。 然后，从至少两个半导体芯片移除载体。 将至少两个半导体芯片分割。

公开(公告)号：US20090045511A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11839129

申请日：2007-08-15

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Stephan Bradl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Stephan Bradl

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

摘要： An integrated circuit includes a substrate including a contact pad, a redistribution line coupled to the contact pad, and a dielectric material layer between the substrate and the redistribution line. The integrated circuit includes a solder ball coupled to the redistribution line and a parylene material layer sealing the dielectric material layer and the redistribution line.

摘要翻译： 集成电路包括包括接触焊盘，耦合到接触焊盘的再分配线以及衬底和再分配线之间的介电材料层的衬底。 集成电路包括耦合到再分配线的焊球和密封介电材料层和再分配线的聚对二甲苯材料层。

公开(公告)号：US20080135977A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11614579

申请日：2006-12-21

申请人： Thorsten Meyer ,  Bernd Waidhas ,  Markus Brunnbauer ,  Grit Sommer ,  Thomas Wagner

发明人： Thorsten Meyer ,  Bernd Waidhas ,  Markus Brunnbauer ,  Grit Sommer ,  Thomas Wagner

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L23/645 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Semiconductor element having a semiconductor chip and a passive component, as well as a method for its productionThe invention relates to a semiconductor component (1) having a semiconductor chip (2), and a passive component (3), with the semiconductor component (1) having a coil (6) as the passive component (3). The semiconductor chip (2) and the passive component (3) are embedded in a plastic encapsulation compound (4) with connection elements to external contacts (31).

摘要翻译： 具有半导体芯片和无源元件的半导体元件及其制造方法本发明涉及具有半导体芯片（2）的半导体元件（1）和具有半导体元件（2）的无源元件（3） 1）具有线圈（6）作为被动部件（3）。 将半导体芯片（2）和无源部件（3）嵌入塑料封装化合物（4）中，其中连接元件连接到外部触点（31）。

公开(公告)号：US07339237B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US11261246

申请日：2005-10-28

申请人： Thorsten Meyer

发明人： Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

摘要： A power transistor has a semiconductor volume including a plurality of transistor cells connected in parallel, a laterally oriented, highly conductive semiconductor layer buried below the transistor cells in the semiconductor volume, and at least one connection, via which the buried semiconductor layer can be contact-connected from the top side of the power transistor. At least one connection is formed within a trench extending from the top side of the power transistor towards the buried semiconductor layer.

摘要翻译： 功率晶体管具有包括并联连接的多个晶体管单元的半导体体积，埋在半导体体积中的晶体管单元下面的横向取向的高导电半导体层，以及至少一个连接，通过该至少一个连接，埋入的半导体层可以通过其接触 从功率晶体管的顶端连接。 在从功率晶体管的顶侧向掩埋半导体层延伸的沟槽内形成至少一个连接。

公开(公告)号：US20070249102A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11738213

申请日：2007-04-20

申请人： Markus Brunnbauer ,  Edward Fuergut ,  Thorsten Meyer

发明人： Markus Brunnbauer ,  Edward Fuergut ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： A panel and a semiconductor device, in one embodiment composed of a composite plate with semiconductor chips and plastic housing composition and to a method for producing the same is disclosed. The embodiments include a wiring structure with interconnects and dielectric layers composed of a low-k dielectric is arranged on the top side of the composite plate.

摘要翻译： 公开了一种面板和半导体器件，在一个实施例中，由具有半导体芯片的复合板和塑料外壳组成构成，以及其制造方法。 这些实施例包括具有互连的布线结构和由低k电介质构成的电介质层布置在复合板的顶侧上。