公开(公告)号：US20050042858A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10939748

申请日：2004-09-13

申请人： Lihua Li ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia

发明人： Lihua Li ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： C23C16/32 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76829 ,  C23C16/325 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising hydrogen gas and an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理衬底的方法，包括向处理室提供包括氢气和包含苯基的有机硅化合物的处理气体，并使处理气体反应沉积用作大马士革中的阻挡层的低k碳化硅阻挡层 或具有低k电介质材料的双镶嵌应用。

公开(公告)号：US06849562B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US10092203

申请日：2002-03-04

申请人： Chi-I Lang ,  Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Chi-I Lang ,  Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： C23C16/36 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/36

摘要： A method for depositing a low k dielectric film comprising silicon, carbon, and nitrogen is provided. The low k dielectric film is formed by a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and NR1R2R3, wherein R1, R2, and R3 are selected from the group consisting of alkyl and phenyl groups. The low k dielectric film may be used as a barrier layer, an etch stop, an anti-reflective coating, or a hard mask.

摘要翻译： 提供了沉积包含硅，碳和氮的低k电介质膜的方法。 低k电介质膜由包含硅源，碳源和NR1R2R3的气体混合物形成，其中R1，R2和R3选自烷基和苯基。 低k电介质膜可以用作阻挡层，蚀刻停止层，抗反射涂层或硬掩模。

公开(公告)号：US06602806B1

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US09632668

申请日：2000-08-07

申请人： Li-Qun Xia ,  Fabrice Geiger ,  Frederic Gaillard ,  Ellie Yieh ,  Tian H. Lim

发明人： Li-Qun Xia ,  Fabrice Geiger ,  Frederic Gaillard ,  Ellie Yieh ,  Tian H. Lim

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633

摘要： A method for providing a dielectric film having a low dielectric constant. The deposited film is particularly useful as an intermetal or premetal dielectric layer in an integrated circuit. The low dielectric constant film is a carbon-doped silicon oxide layer deposited from a thermal, as opposed to plasma, CVD process. The layer is deposited from a process gas of ozone and an organosilane precursor having at least one silicon-carbon (Si—C) bond. During the deposition process the wafer is heated to a temperature less than 250° C. and preferably to a temperature between 100-200° C. Enhancements to the process include adding Boron and/or Phosphorus dopants, two step deposition, and capping the post cured layer.

摘要翻译： 一种提供具有低介电常数的电介质膜的方法。 沉积膜特别可用作集成电路中的金属间或前金属介电层。 低介电常数膜是从与CVD等离子体相反的CVD法沉积的碳掺杂氧化硅层。 该层由臭氧的工艺气体和具有至少一个硅 - 碳（Si-C）键的有机硅烷前体沉积。 在沉积过程中，将晶片加热到低于250℃的温度，优选加热到100-200℃之间的温度。对该方法的增强包括加入硼和/或磷掺杂剂，两步沉积和封盖柱 固化层。

公开(公告)号：US06596343B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US09557079

申请日：2000-04-21

申请人： Himanshu Pokharna ,  Shankar Chandran ,  Srinivas D. Nemani ,  Chen-an Chen ,  Francimar Campana ,  Ellie Yieh ,  Li-Qun Xia

发明人： Himanshu Pokharna ,  Shankar Chandran ,  Srinivas D. Nemani ,  Chen-an Chen ,  Francimar Campana ,  Ellie Yieh ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C30B29/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C30B25/02

摘要： A method for processing semiconductor substrates by reacting hydroxyl radicals with a precursor to cause the precursor to decompose and form a film which deposits on a substrate. Hydroxyl radicals, which are produced in a hydroxyl-ion producing apparatus outside of a chemical vapor deposition reactor, are mixed with a precursor to form a hydroxyl ions-precursor mixture. The hydroxyl ions-precursor mixture is introduced into the chemical vapor deposition reactor.

摘要翻译： 一种用于通过使羟基自由基与前体反应以使前体分解并形成沉积在基底上的膜来处理半导体衬底的方法。 在化学气相沉积反应器外部的羟基离子产生装置中生产的羟基与前体混合以形成羟基离子前体混合物。 将羟基离子前体混合物引入化学气相沉积反应器。

公开(公告)号：US5963840A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US748960

申请日：1996-11-13

申请人： Li-Qun Xia ,  Ellie Yieh ,  Srinivas Nemani

发明人： Li-Qun Xia ,  Ellie Yieh ,  Srinivas Nemani

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/31625 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362

摘要： The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800.degree. C.) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce total processing time and to ensure high quality processing for high aspect ratio devices. Performing multiple process steps in the same chamber also increases the control of the process parameters and reduces device damage. In particular, the present invention can provide high temperature deposition, heating and efficient cleaning for forming dielectric films having thickness uniformity, good gap fill capability, high density, low moisture, and other desired characteristics.

摘要翻译： 本发明提供用于半导体晶片的高温（至少约500-800℃）处理的系统，方法和装置。 本发明的系统，方法和装置允许多个工艺步骤在相同的腔室中原位进行，以减少总处理时间，并确保对高宽比装置的高质量处理。 在同一个室内执行多个工艺步骤也可以增加工艺参数的控制并减少设备损坏。 特别地，本发明可以提供用于形成具有厚度均匀性，良好间隙填充能力，高密度，低湿度和其它所需特性的介电膜的高温沉积，加热和有效清洁。

公开(公告)号：US20140273524A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14204490

申请日：2014-03-11

申请人： Victor Nguyen ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Ning Li ,  Martin A. Hilkene ,  Matthew D. Scotney-Castle

发明人： Victor Nguyen ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Ning Li ,  Martin A. Hilkene ,  Matthew D. Scotney-Castle

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02321 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31155

摘要： Provided are methods for the deposition and doping of films comprising Si. Certain methods involve depositing a SiN, SiO, SiON, SiC or SiCN film and doping the Si-containing film with one or more of C, B, O, N and Ge by a plasma implantation process. Such doped Si-containing films may have improved properties such as reduced etch rate in acid-based clean solutions, reduced dielectric constant and/or improved dielectric strength.

摘要翻译： 提供了用于沉积和掺杂包含Si的膜的方法。 某些方法包括沉积SiN，SiO，SiON，SiC或SiCN膜，并通过等离子体注入工艺将C，B，O，N和Ge中的一种或多种掺杂到含Si薄膜。 这种掺杂的含Si薄膜可具有改进的性能，例如在酸基清洁溶液中降低的蚀刻速率，降低的介电常数和/或改善的介电强度。

公开(公告)号：US20130192524A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13755891

申请日：2013-01-31

申请人： Banqiu Wu ,  Nag B. Patibandla ,  Toshiaki Fujita ,  Ralf Hofmann ,  Pravin K. Narwankar ,  Jeonghoon Oh ,  Srinivas Satya ,  Li-Qun Xia

发明人： Banqiu Wu ,  Nag B. Patibandla ,  Toshiaki Fujita ,  Ralf Hofmann ,  Pravin K. Narwankar ,  Jeonghoon Oh ,  Srinivas Satya ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/673 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/677

摘要： A processing chamber having a plurality of movable substrate carriers stacked therein for continuously processing a plurality of substrates is provided. The movable substrate carrier is capable of being transported from outside of the processing chamber, e.g., being transferred from a load luck chamber, into the processing chamber and out of the processing chamber, e.g., being transferred into another load luck chamber. Process gases delivered into the processing chamber are spatially separated into a plurality of processing slots, and/or temporally controlled. The processing chamber can be part of a multi-chamber substrate processing system.

摘要翻译： 提供一种处理室，其具有堆叠在其中的多个可移动基板载体，用于连续处理多个基板。 可移动衬底载体能够从处理室的外部传送，例如从负载运送室转移到处理室中并且从处理室中输送，例如被转移到另一负载运送室中。 输送到处理室中的工艺气体在空间上分离成多个处理槽，和/或在时间上被控制。 处理室可以是多室衬底处理系统的一部分。

公开(公告)号：US20130005146A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13612159

申请日：2012-09-12

申请人： Mihaela Balseanu ,  Stephan A. Cohen ,  Alfred Grill ,  Thomas J. Haigh, JR. ,  Son Nguyen ,  Li-Qun Xia

发明人： Mihaela Balseanu ,  Stephan A. Cohen ,  Alfred Grill ,  Thomas J. Haigh, JR. ,  Son Nguyen ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a multilayered cap (i.e., migration barrier) that conforms to the substrate (i.e., interconnect structure) below. The multilayered cap, which can be located atop at least one interconnect level of an interconnect structure, includes, from bottom to top, a first layer comprising silicon nitride and a second layer comprising at least one of boron nitride and carbon boron nitride.

摘要翻译： 本公开提供了一种符合下面的衬底（即互连结构）的多层盖（即迁移屏障）。 可以位于互连结构的至少一个互连级别上方的多层盖包括从底部到顶部包括氮化硅的第一层和包含氮化硼和碳氮化硼中的至少一种的第二层。

公开(公告)号：US20110237085A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13152865

申请日：2011-06-03

申请人： FRANCIMAR CAMPANA SCHMITT ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

发明人： FRANCIMAR CAMPANA SCHMITT ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for processing a substrate for depositing an adhesion layer having a low dielectric constant between two low k dielectric layers. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a barrier layer on the substrate, wherein the barrier layer comprises silicon and carbon and has a dielectric constant less than 4, depositing a dielectric initiation layer adjacent the barrier layer, and depositing a first dielectric layer adjacent the dielectric initiation layer, wherein the dielectric layer comprises silicon, oxygen, and carbon and has a dielectric constant of about 3 or less.

摘要翻译： 提供了用于处理用于沉积在两个低k电介质层之间具有低介电常数的粘合层的衬底的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底上沉积阻挡层，其中阻挡层包括硅和碳并具有小于4的介电常数，沉积与阻挡层相邻的电介质起始层，以及 沉积与电介质起始层相邻的第一电介质层，其中介电层包括硅，氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。

公开(公告)号：US07601651B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11668911

申请日：2007-01-30

申请人： Mihaela Balseanu ,  Meiyee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Meiyee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

摘要： A method of forming a layer on a substrate in a chamber, wherein the substrate has at least one formed feature across its surface, is provided. The method includes exposing the substrate to a silicon-containing precursor in the presence of a plasma to deposit a layer, treating the deposited layer with a plasma, and repeating the exposing and treating until a desired thickness of the layer is obtained. The plasma may be generated from an oxygen-containing gas.

摘要翻译： 提供了一种在室中的衬底上形成层的方法，其中衬底在其表面上具有至少一个形成的特征。 该方法包括在存在等离子体的情况下将衬底暴露于含硅前体以沉积一层，用等离子体处理沉积层，并重复曝光和处理，直到获得所需层厚。 等离子体可以由含氧气体产生。