公开(公告)号：US20100308297A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L45/00 ,  H01L21/34 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US20100124798A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12458900

申请日：2009-07-27

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-Seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-Seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a method of manufacturing a light emitting device from a large-area bonding wafer by using a wafer bonding method using. The method may include forming a plurality of semiconductor layers, each having an active region for emitting light, on a plurality of growth substrates. The method may also include arranging the plurality of growth substrates on which the semiconductor layers are formed on one bonding substrate and simultaneously processing each of the semiconductor layers formed on each of the growth substrates through subsequent processes. The bonding wafer may be formed of a material that reduces or prevents bending or warping due to a difference of thermal expansion coefficients between a wafer material, such as sapphire, and a bonding wafer. According to the above method, because a plurality of wafers may be processed by one process, mass production of LEDs may be possible which may reduce manufacturing costs.

摘要翻译： 提供了一种使用晶片接合方法从大面积接合晶片制造发光器件的方法。 该方法可以包括在多个生长衬底上形成多个半导体层，每个半导体层具有发射光的有源区。 该方法还可以包括在其上形成半导体层的多个生长衬底布置在一个接合衬底上，并且通过后续处理同时处理在每个生长衬底上形成的每个半导体层。 接合晶片可以由减少或防止由于晶片材料（例如蓝宝石）和接合晶片之间的热膨胀系数的差异而导致的弯曲或翘曲的材料形成。 根据上述方法，由于可以通过一个处理来处理多个晶片，因此大量生产LED可能会降低制造成本。

公开(公告)号：US20100123158A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12458797

申请日：2009-07-23

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/12

摘要： Provided is a light emitting diode (LED) manufactured by using a wafer bonding method and a method of manufacturing a LED by using a wafer bonding method. The wafer bonding method may include interposing a stress relaxation layer formed of a metal between a semiconductor layer and a bonding substrate. When the stress relaxation layer is used, stress between the bonding substrate and a growth substrate may be offset due to the flexibility of metal, and accordingly, bending or warpage of the bonding substrate may be reduced or prevented.

摘要翻译： 提供了通过使用晶片接合方法制造的发光二极管（LED）和通过使用晶片接合方法制造LED的方法。 晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插入由金属形成的应力松弛层。 当使用应力松弛层时，由于金属的柔韧性，接合基板和生长基板之间的应力可能被抵消，因此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：US20090225583A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12379158

申请日：2009-02-13

申请人： Seung-hoon Lee ,  Yoon-dong Park ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee

发明人： Seung-hoon Lee ,  Yoon-dong Park ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee

IPC分类号： G11C11/21 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32

摘要： Example embodiments provide a method for programming a resistive memory device that includes a resistance conversion layer. The method may include applying multiple pulses to the resistance conversion layer. The multiple pulses may include at least two pulses, where a magnitude of each pulse of the at least two pulses is the same. A first pulse of the at least two pulses may be applied on one side of the resistance conversion layer and a second pulse of the at least two pulses may be applied on the other side of the resistance conversion layer. The applying step may be performed during a set programming operation or a reset programming operation. A resistive memory device for programming a resistance conversion layer may include a first and second electrode, a lower structure, and the resistance conversion layer coupled between the first and second electrodes. The resistance conversion layer may be configured to receive multiple pulses, where the multiple pulses include at least two pulses having the same magnitude.

摘要翻译： 示例性实施例提供了一种用于对包括电阻转换层的电阻式存储器件进行编程的方法。 该方法可以包括将多个脉冲施加到电阻转换层。 多个脉冲可以包括至少两个脉冲，其中至少两个脉冲的每个脉冲的幅度相同。 至少两个脉冲的第一脉冲可以施加在电阻转换层的一侧，并且至少两个脉冲的第二脉冲可以施加在电阻转换层的另一侧上。 施加步骤可以在设定的编程操作或复位编程操作期间执行。 用于编程电阻转换层的电阻性存储器件可以包括第一和第二电极，下部结构以及耦合在第一和第二电极之间的电阻转换层。 电阻转换层可以被配置为接收多个脉冲，其中多个脉冲包括具有相同幅度的至少两个脉冲。

公开(公告)号：US20090098697A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12289494

申请日：2008-10-29

申请人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

发明人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

IPC分类号： H01L21/71 ,  H01G9/004

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

摘要： A ferroelectric capacitor comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer. A ferroelectric memory comprises a substrate and a plurality of memory cells arranged on the substrate. Each memory cell comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 铁电电容器包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。 铁电存储器包括衬底和布置在衬底上的多个存储单元。 每个存储单元包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：US20090086527A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12073510

申请日：2008-03-06

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-burn Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-burn Lee

IPC分类号： G11C11/21 ,  H01L21/16 ,  H01C17/075 ,  H01C17/18

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/24

摘要： Provided are a non-volatile memory device having a threshold switching resistor, a memory array including the non-volatile memory device, and methods of manufacturing the same. A non-volatile memory device having a threshold switching resistor may include a first resistor having threshold switching characteristics, an intermediate electrode on the first resistor, and a second resistor having at least two resistance characteristics on the intermediate electrode.

摘要翻译： 提供了具有阈值开关电阻器的非易失性存储器件，包括非易失性存储器件的存储器阵列及其制造方法。 具有阈值开关电阻器的非易失性存储器件可以包括具有阈值切换特性的第一电阻器，第一电阻器上的中间电极和在中间电极上具有至少两个电阻特性的第二电阻器。

公开(公告)号：US07501307B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11650972

申请日：2007-01-09

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Won-tae Lee

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Won-tae Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： In a semiconductor memory device and a method of fabricating the same, a semiconductor memory device having a transistor and a data storing portion includes a heating portion interposed between the transistor and the data storing portion and a metal interconnection layer connected to the data storing portion, wherein the data storing portion includes a chalcogenide material layer, which undergoes a phase change due to a heating of the heating portion, for storing data therein.

摘要翻译： 在半导体存储器件及其制造方法中，具有晶体管和数据存储部分的半导体存储器件包括夹在晶体管和数据存储部分之间的加热部分和连接到数据存储部分的金属互连层， 其中所述数据存储部分包括由于所述加热部分的加热而发生相变的硫族化物材料层，用于在其中存储数据。

公开(公告)号：US20080296550A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12149809

申请日：2008-05-08

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： Provided may be a resistive random access memory (RRAM) device and methods of manufacturing and operating the same. The resistive random access memory device may include at least one first electrode, at least one second electrode spaced apart from the at least one first electrode, a first structure including a first resistance-changing layer between the at least one first and second electrodes, and a first switching element electrically connected to the first resistance-changing layer, wherein at least one of the first and second electrodes include an alloy layer having a noble metal and a base metal.

摘要翻译： 提供可以是电阻随机存取存储器（RRAM）装置及其制造和操作方法。 电阻式随机存取存储器件可以包括至少一个第一电极，与至少一个第一电极间隔开的至少一个第二电极，包括在至少一个第一和第二电极之间的第一电阻变化层的第一结构，以及 电连接到第一电阻变化层的第一开关元件，其中第一和第二电极中的至少一个包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：US20080237687A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11898037

申请日：2007-09-07

申请人： Sun-il Kim ,  Young-gu Jin ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Dong-hun Kang ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Young-gu Jin ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Dong-hun Kang ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Provided is a flash memory device including a gate structure on a substrate. The flash memory device includes a charge supply layer including a ZnO based material formed between a substrate and a gate structure or formed on the gate structure. Accordingly, the flash memory device can be formed to be of a bottom gate type or of a top gate type by including the charge supply layer. Also, the flash memory device may be realized to be any of a charge trap type and a floating gate type.

摘要翻译： 提供了一种在基板上包括栅极结构的闪存器件。 闪存器件包括电荷供应层，其包括形成在衬底和栅极结构之间或形成在栅极结构上的基于ZnO的材料。 因此，闪存器件可以通过包括电荷供给层而形成为底栅型或顶栅型。 此外，闪存器件可以被实现为电荷陷阱型和浮动栅型中的任一种。

公开(公告)号：US20080210998A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12068172

申请日：2008-02-04

申请人： June-mo Koo ,  Bum-seok Seo ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim

发明人： June-mo Koo ,  Bum-seok Seo ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

摘要： Provided is a method for manufacturing a material layer capable of increasing the deposition rate of a noble metal layer on a ferroelectric layer, a method for manufacturing a ferroelectric capacitor using the same, a ferroelectric capacitor manufactured by the same method, and a semiconductor memory device having the ferroelectric capacitor and a manufacturing method thereof. According to a method for manufacturing the material layer, a ferroelectric layer is formed. The ferroelectric layer may be exposed to seed plasma, and a material layer including a source material of the seed plasma may be formed on a region of the ferroelectric layer exposed to the seed plasma.

摘要翻译： 提供一种能够提高强电介质层上的贵金属层的沉积速度的材料层的制造方法，使用该材料的铁电电容器的制造方法，通过相同的方法制造的铁电电容器以及半导体存储器件 具有铁电电容器及其制造方法。 根据材料层的制造方法，形成铁电体层。 可以将铁电层暴露于种子等离子体，并且可以在暴露于种子等离子体的铁电层的区域上形成包括种子等离子体的源材料的材料层。