公开(公告)号：US20090086527A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12073510

申请日：2008-03-06

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-burn Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-burn Lee

IPC分类号： G11C11/21 ,  H01L21/16 ,  H01C17/075 ,  H01C17/18

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/24

摘要： Provided are a non-volatile memory device having a threshold switching resistor, a memory array including the non-volatile memory device, and methods of manufacturing the same. A non-volatile memory device having a threshold switching resistor may include a first resistor having threshold switching characteristics, an intermediate electrode on the first resistor, and a second resistor having at least two resistance characteristics on the intermediate electrode.

摘要翻译： 提供了具有阈值开关电阻器的非易失性存储器件，包括非易失性存储器件的存储器阵列及其制造方法。 具有阈值开关电阻器的非易失性存储器件可以包括具有阈值切换特性的第一电阻器，第一电阻器上的中间电极和在中间电极上具有至少两个电阻特性的第二电阻器。

公开(公告)号：US08586978B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12216529

申请日：2008-07-07

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C11/36 ,  G11C11/14 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/1021

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a cross-point memory array including the same which have a diode characteristic enabling the non-volatile memory device and the cross-point memory array including the same to operate in a simple structure, without requiring a switching device separately formed so as to embody a high density non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a first electrode; a diode-storage node formed on the first electrode; and a second electrode formed on the diode-storage node.

公开(公告)号：US08274067B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12213062

申请日：2008-06-13

申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

公开(公告)号：US20090045429A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12076311

申请日：2008-03-17

申请人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/242 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8618

摘要： Provided are a diode structure and a memory device including the same. The diode structure includes: a first electrode; a p-type Cu oxide layer formed on the first electrode; an n-type InZn oxide layer formed on the p-type Cu oxide layer; and a second electrode formed on the n-type InZn oxide.

摘要翻译： 提供二极管结构和包括该二极管结构的存储器件。 二极管结构包括：第一电极; 形成在所述第一电极上的p型Cu氧化物层; 形成在p型Cu氧化物层上的n型InZn氧化物层; 以及形成在n型InZn氧化物上的第二电极。

公开(公告)号：US20080164568A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11896007

申请日：2007-08-29

申请人： Myoung-jae Lee ,  Eun-hong Lee ,  Young-soo Park

发明人： Myoung-jae Lee ,  Eun-hong Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： Provided are a resistance random access memory including a resistance layer having a metal oxide and/or a metal ion dopant, which may be deposited at room temperature and which may have variable resistance characteristics, and a method of manufacturing the same.

摘要翻译： 提供一种包括具有金属氧化物和/或金属离子掺杂剂的电阻层的电阻随机存取存储器，其可以在室温下沉积并且可以具有可变电阻特性及其制造方法。

公开(公告)号：US20150028278A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14444083

申请日：2014-07-28

申请人： Myoung-jae Lee ,  Seong-ho Cho ,  Ho-jung Kim ,  Young-soo Park ,  David Seo ,  In-kyeong Yoo

发明人： Myoung-jae Lee ,  Seong-ho Cho ,  Ho-jung Kim ,  Young-soo Park ,  David Seo ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L29/788 ,  G06N3/049 ,  G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/0433 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/00 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/147

摘要： Provided are nonvolatile memory transistors and devices including the nonvolatile memory transistors. A nonvolatile memory transistor may include a channel element, a gate electrode corresponding to the channel element, a gate insulation layer between the channel element and the gate electrode, an ionic species moving layer between the gate insulation layer and the gate electrode, and a source and a drain separated from each other with respect to the channel element. A motion of an ionic species at the ionic species moving layer occurs according to a voltage applied to the gate electrode. A threshold voltage changes according to the motion of the ionic species. The nonvolatile memory transistor has a multi-level characteristic.

摘要翻译： 提供了非易失性存储晶体管和包括非易失性存储晶体管的器件。 非易失性存储晶体管可以包括沟道元件，对应于沟道元件的栅极电极，沟道元件和栅电极之间的栅极绝缘层，栅极绝缘层和栅电极之间的离子物质移动层，以及源极 以及相对于沟道元件彼此分离的漏极。 根据施加到栅电极的电压，发生离子物质移动层处的离子物质的运动。 阈值电压根据离子物质的运动而变化。 非易失性存储晶体管具有多电平特性。

公开(公告)号：US08513634B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12457539

申请日：2009-06-15

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2436 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A data storage and a semiconductor memory device including the same are provided, the data storage including a lower electrode, a first discharge prevention layer stacked on the lower electrode, a phase-transition layer on the first discharge prevention layer, a second discharge prevention layer stacked on the phase-transition layer, and an upper electrode stacked on the second discharge prevention layer. The phase transition layer includes oxygen and exhibits two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof changed. The first and second discharge prevention layers block discharge of the oxygen from the phase transition layer.

公开(公告)号：US08426837B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件和制造该电阻式存储器件的方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有暴露底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：US08350247B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US11984277

申请日：2007-11-15

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

摘要： A resistive random access memory (RRAM) having a solid solution layer and a method of manufacturing the RRAM are provided. The RRAM includes a lower electrode, a solid solution layer on the lower electrode, a resistive layer on the solid solution layer, and an upper electrode on the resistive layer. The method of manufacturing the RRAM includes forming a lower electrode, forming a solid solution layer on the lower electrode, forming a resistive layer on the solid layer and forming an upper electrode on the resistive layer, wherein the RRAM is formed of a transition metal solid solution.

摘要翻译： 提供了具有固溶层的电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 RRAM包括下电极，下电极上的固溶层，固溶层上的电阻层和电阻层上的上电极。 制造RRAM的方法包括形成下电极，在下电极上形成固溶层，在固体层上形成电阻层，在电阻层上形成上电极，其中RRAM由过渡金属固体 解。

公开(公告)号：US07989791B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12076311

申请日：2008-03-17

申请人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/242 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8618

摘要： Provided are a diode structure and a memory device including the same. The diode structure includes: a first electrode; a p-type Cu oxide layer formed on the first electrode; an n-type InZn oxide layer formed on the p-type Cu oxide layer; and a second electrode formed on the n-type InZn oxide.

摘要翻译： 提供二极管结构和包括该二极管结构的存储器件。 二极管结构包括：第一电极; 形成在所述第一电极上的p型Cu氧化物层; 形成在p型Cu氧化物层上的n型InZn氧化物层; 以及形成在n型InZn氧化物上的第二电极。