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    Integrated circuit substrate material and method
    151.
    发明授权
    Integrated circuit substrate material and method 失效
    集成电路基板材料及方法

    公开(公告)号：US07135767B2

    公开(公告)日：2006-11-14

    申请号：US10629271

    申请日：2003-07-29

    申请人： Marvin Glenn Wong ,  Arthur Fong

    发明人： Marvin Glenn Wong ,  Arthur Fong

    IPC分类号： H01L23/08 ,  B32B18/00

    CPC分类号： H01L21/04 ,  C03C11/00 ,  C03C11/002 ,  C03C14/00 ,  H01L29/26 ,  Y10T428/2996

    摘要： A semiconductor substrate is presented which is manufactured from hollow, gas-filled glass or ceramic microspheres, which are bound together in a dried or fired matrix. The microspheres may be glass-coated microspheres, which are bound together by sintering the outer layers of glass together. The semiconductor surface may be smoothed by glazing the surface.

    摘要翻译： 提出了一种半导体衬底，其由中空的充气玻璃或陶瓷微球制成，其在干燥或烧制的基质中结合在一起。 微球可以是玻璃涂覆的微球，其通过将玻璃的外层烧结在一起而结合在一起。 半导体表面可以通过玻璃表面而平滑。

    Integrated circuit substrate material and method
    153.
    发明申请
    Integrated circuit substrate material and method 失效
    集成电路基板材料及方法

    公开(公告)号：US20050022905A1

    公开(公告)日：2005-02-03

    申请号：US10629271

    申请日：2003-07-29

    申请人： Marvin Wong ,  Arthur Fong

    发明人： Marvin Wong ,  Arthur Fong

    IPC分类号： C03C11/00 ,  C03C14/00 ,  H01L21/04 ,  H01L29/26 ,  H01L29/00 ,  H01L29/12

    CPC分类号： H01L21/04 ,  C03C11/00 ,  C03C11/002 ,  C03C14/00 ,  H01L29/26 ,  Y10T428/2996

    摘要： A semiconductor substrate is presented which is manufactured from hollow, gas-filled glass or ceramic microspheres, which are bound together in a dried or fired matrix. The microspheres may be glass-coated microspheres, which are bound together by sintering the outer layers of glass together. The semiconductor surface may be smoothed by glazing the surface.

    摘要翻译： 提出了一种半导体衬底，其由中空的充气玻璃或陶瓷微球制成，其在干燥或烧制的基质中结合在一起。 微球可以是玻璃涂覆的微球，其通过将玻璃的外层烧结在一起而结合在一起。 半导体表面可以通过玻璃表面而平滑。

    Porous silica granule, method for producing the same, and method for producing synthetic quartz glass powder using the porous silica granule
    154.
    发明授权
    Porous silica granule, method for producing the same, and method for producing synthetic quartz glass powder using the porous silica granule 有权
    多孔二氧化硅颗粒，其制造方法以及使用多孔二氧化硅颗粒制造合成石英玻璃粉末的方法

    公开(公告)号：US06849242B1

    公开(公告)日：2005-02-01

    申请号：US09672438

    申请日：2000-09-28

    申请人： Rainer Koeppler ,  Fritz-Ulrich Kreis ,  Klaus Arnold ,  Hiroshi Matsui ,  Kasumi Hoshikawa ,  Tsukasa Sakaguchi

    发明人： Rainer Koeppler ,  Fritz-Ulrich Kreis ,  Klaus Arnold ,  Hiroshi Matsui ,  Kasumi Hoshikawa ,  Tsukasa Sakaguchi

    IPC分类号： C01B33/12 ,  C03B8/02 ,  C03B19/10 ,  C03C1/02 ,  C03C11/00

    CPC分类号： C01B33/124 ,  C03B19/108 ,  C03C1/02 ,  C03C1/026 ,  C03C11/00

    摘要： The granule consists of individual granules approximately spherical in shape, having a pore volume of 0.5 cm3, a mean diameter of pores of 50 nm or less, a specific surface area of 100 m2/g or less, and a bulk density of 0.7 g/cm3 or higher. It is produced by dispersing a fumed silica obtained by hydrolysis of a silicon compound into pure water to obtain a slurry, and drying the slurry. The granule is used for producing high purity synthetic quartz glass powder. The method further comprises: a first heat treatment under an oxygen-containing atmosphere, a second heat treatment in a temperature range of from 600 to 1100° C., and a third heat treatment in a temperature range of from 1100 to 1300° C. under an atmosphere containing hydrogen chloride; and a step of densification comprising calcining the product at a temperature not higher than 1500° C. under vacuum or in an atmosphere of gaseous hydrogen or gaseous helium. To calcine the powder without causing fusion adhesion of the particles, bubbling fluidization of said porous silica granule is conducted by supplying gaseous helium and calcining thereof in a temperature range of from 1000 to 1600° C.

    摘要翻译： 颗粒由近似球形的单个颗粒组成，孔体积为0.5cm 3，孔的平均直径为50nm以下，比表面积为100m 2 / g以下， 堆积密度为0.7g / cm 3以上。 通过将通过硅化合物的水解获得的热解法二氧化硅分散在纯水中得到浆料并干燥浆料而制备。 该颗粒用于生产高纯度合成石英玻璃粉末。 该方法还包括：在含氧气氛下进行第一次热处理，在600〜1100℃的温度范围进行第二次热处理，在1100〜1300℃的温度范围进行第三次热处理。 在含有氯化氢的气氛下; 以及致密化步骤，包括在真空下或在气态氢气或气态氦气氛中，在不高于1500℃的温度下煅烧产品。 为了煅烧粉末而不引起颗粒的熔融粘附，所述多孔二氧化硅颗粒的鼓泡流化是通过在1000至1600℃的温度范围内提供气态氦和煅烧来进行的。