公开(公告)号：US20160189831A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：US14906913

申请日：2014-07-24

申请人： MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： Toshiaki Fujita ,  Hiroshi Tanaka ,  Noriaki Nagatomo

IPC分类号： H01C7/00 ,  C23C14/58 ,  C23C14/00 ,  G01K7/22 ,  C23C14/06

CPC分类号： H01C7/008 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/58042 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5826 ,  G01K7/22 ,  G01K7/223 ,  H01C7/04 ,  H01C7/041 ,  H01C17/12

摘要： A metal nitride material for a thermistor consists of a metal nitride represented by the general formula: MxAlyNz (where “M” represents at least one of Fe, Co, Mn, Cu, and Ni, 0.70≦y/(x+y)≦0.98, 0.4≦z≦0.5, and x+y+z=1), wherein the crystal structure thereof is a hexagonal wurtzite-type single phase. A method for producing the metal nitride material for a thermistor includes a deposition step of performing film deposition by reactive sputtering in a nitrogen-containing atmosphere using an M-Al alloy sputtering target (where “M” represents at least one of Fe, Co, Mn, Cu, and Ni).

摘要翻译： 用于热敏电阻的金属氮化物材料由以下通式表示的金属氮化物组成：MxAlyNz（其中“M”表示Fe，Co，Mn，Cu和Ni中的至少一种，0.70和nlE; y /（x + y） ＆nlE; 0.98,0.4＆nlE; z＆nlE; 0.5和x + y + z = 1），其中其晶体结构是六方纤锌矿型单相。 一种热敏电阻用金属氮化物的制造方法，其特征在于，使用M-Al合金溅射靶，在含氮气氛中，通过反应性溅射进行成膜，其中，“M”表示Fe，Co， Mn，Cu和Ni）。

公开(公告)号：US20160155562A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：US15017784

申请日：2016-02-08

申请人： Murata Manufacturing Co., Ltd.

发明人： SAKYO HIROSE ,  Tsuyoshi Kimura

IPC分类号： H01F27/29 ,  C04B35/26

CPC分类号： H01F27/292 ,  B32B18/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2666 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/767 ,  C04B2237/34 ,  H01F1/344 ,  H01F21/08

摘要： An oxide ceramic represented by the general formula [Sr2−xBaxCo2−y(ZnuNi1−u)yFe12−zAlzO22]. In the formula, 0.7≦x≦1.3 and 0.8≦z≦1.2. y is 0≦y≦0.8 when 0.5≦u≦1.0 and is 0≦y≦1.6 when 0≦u≦0.5. y is preferably 0.4 or less. Further, a variable inductor as a ceramic electronic component has a component base body formed from the oxide ceramic.

摘要翻译： 由通式[Sr2-xBaxCo2-y（ZnuNi1-u）yFe12-zAlzO22]表示的氧化物陶瓷。 在该式中，0.7＆nlE; x＆nlE; 1.3和0.8＆nlE; z＆nlE; 1.2。 y为0＆nlE; y＆nlE; 0.8当0.5＆nlE; u＆nlE; 1.0时为0＆nlE; y＆nlE; 1.6当0＆nlE; u＆nlE; y优选为0.4以下。 此外，作为陶瓷电子部件的可变电感器具有由氧化物陶瓷形成的部件基体。

公开(公告)号：US09336933B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US14456325

申请日：2014-08-11

申请人： TDK Corporation

发明人： Junichi Nagaoka ,  Takahiro Mori ,  Hiroyuki Morita ,  Yoshihiko Minachi

IPC分类号： H01F1/11 ,  C01G49/00 ,  H01F1/10 ,  C01G51/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632

CPC分类号： H01F1/10 ,  C01G49/0054 ,  C01G51/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  H01F1/11

摘要： An object of the present invention is to provide a ferrite magnetic material which can provide a permanent magnet retaining high Br and HcJ as well as having high Hk/HcJ. The ferrite magnetic material according to a preferred embodiment is a ferrite magnetic material formed of hard ferrite, wherein a P content in terms of P2O5 is 0.001% by mass or more.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够提供保持高Br和HcJ的永磁体以及具有高Hk / HcJ的铁氧体磁性材料。 根据优选实施方案的铁氧体磁性材料是由硬质铁氧体形成的铁氧体磁性材料，其中以P 2 O 5计的P含量为0.001质量％以上。

公开(公告)号：US09272913B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：US14570927

申请日：2014-12-15

申请人： ADVANCED CERAMIC FIBERS, LLC

发明人： John E. Garnier ,  George W. Griffith

IPC分类号： C01B31/06 ,  C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B35/573 ,  C04B35/62281 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5284 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  Y10T428/249924 ,  Y10T428/249928 ,  Y10T428/24993 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/292 ,  Y10T428/2933 ,  Y10T428/2958 ,  Y10T428/2964 ,  Y10T428/2967 ,  Y10T428/2975

摘要： Methods of producing silicon carbide fibers. The method comprises reacting a continuous carbon fiber material and a silicon-containing gas in a reaction chamber at a temperature ranging from approximately 1500° C. to approximately 2000° C. A partial pressure of oxygen in the reaction chamber is maintained at less than approximately 1.01×102 Pascal to produce continuous alpha silicon carbide fibers. Continuous alpha silicon carbide fibers and articles formed from the continuous alpha silicon carbide fibers are also disclosed.

摘要翻译： 生产碳化硅纤维的方法。 该方法包括使反应室中的连续碳纤维材料和含硅气体在约1500℃至约2000℃的温度下反应。反应室中氧的分压保持在小于约 1.01×102帕斯卡，以生产连续的α碳化硅纤维。 还公开了连续的α碳化硅纤维和由连续的α碳化硅纤维形成的制品。

公开(公告)号：US09238593B2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：US13809290

申请日：2011-07-13

申请人： Akira Nakamura ,  Kohei Suzuki ,  Shinya Miyaji ,  Shinji Saito

发明人： Akira Nakamura ,  Kohei Suzuki ,  Shinya Miyaji ,  Shinji Saito

IPC分类号： B32B3/24 ,  C04B35/583 ,  C04B35/20 ,  C04B35/645 ,  G01R1/067 ,  G01R3/00

CPC分类号： C04B35/583 ,  C04B35/20 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  G01R1/06722 ,  G01R3/00 ,  Y10T428/24273

摘要： There is provided a ceramic member which is a sintered body containing enstatite and boron nitride as constituents, in which boron nitride is oriented in a single direction, a probe holder formed using the ceramic member, and a manufacturing method of the ceramic member. In the ceramic member, an index of orientation degree is not less than 0.8. In so doing, it is possible to provide a ceramic member which has a free machining property, a coefficient of thermal expansion which is close to that of silicon, and high strength, and a probe holder which is formed using the ceramic member, and a manufacturing method of the ceramic member.

摘要翻译： 提供了一种陶瓷构件，该陶瓷构件是含有顽火和氮化硼作为组成的烧结体，其中氮化硼沿单一方向取向，使用该陶瓷构件形成的探针保持架以及陶瓷构件的制造方法。 在陶瓷构件中，取向度的指标不小于0.8。 在这样做时，可以提供一种具有自由加工性能，热膨胀系数接近于硅的陶瓷构件和高强度的陶瓷构件，以及使用该陶瓷构件形成的探针保持器，以及 陶瓷构件的制造方法。

公开(公告)号：US09224513B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13699139

申请日：2011-05-18

申请人： Kentaro Sogabe

发明人： Kentaro Sogabe

IPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C23C14/24 ,  C04B35/626 ,  C23C14/08 ,  C01G9/02 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01B1/08 ,  B82Y30/00 ,  C01G9/02 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/54 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9653 ,  C23C14/086

摘要： Provided is a zinc oxide sintered compact tablet enabling a transparent conductive film having no pinholes defects to be stably obtained during vacuum deposition film formation by suppressing the occurrence of the splashing phenomenon. A zinc oxide sintered compact tablet having hexagonal crystal structure, wherein when the integrated intensity of surface (103) and surface (110) found through X-ray diffraction analysis using CuKα radiation is taken to be I(103) and I(110) respectively, the orientation of the uniaxially pressed surface that is expressed by I(103)/(I(103)+I(110)) is 0.48 or more is obtained by performing pressurized formation of a granulated powder composed of a zinc oxide powder or a powder mixture of zinc oxide and an added element as a dopant and having a percentage of donut shaped secondary particles of 50% or more, sintering at normal pressure and a temperature of 800° C. to 1300° C., and further performing reduction treatment by maintaining the normal pressure sintered compact in a vacuum at a pressure of 1×10−3 Pa or more and at a temperature of 800° C. to 1300° C. for no less than 1 minute and no longer than 10 minutes.

摘要翻译： 本发明提供一种氧化锌烧结体片剂，其通过抑制溅射现象的发生，能够在真空蒸镀成膜时能够稳定地得到无针孔缺陷的透明导电膜。 一种具有六方晶系结构的氧化锌烧结体片剂，其中当通过使用CuKα辐射的X射线衍射分析发现的表面（103）和表面（110）的积分强度分别为I（103）和I（110）时 通过加压形成由氧化锌粉末或者氧化锌粉末构成的造粒粉末，得到I（103）/（I（103）+ I（110））表示的单轴向压制面的取向为0.48以上 氧化锌和添加元素的粉末混合物作为掺杂剂，并且具有50％或更多的环形二次颗粒的百分比，在常压下和800℃至1300℃的温度下烧结，并进一步进行还原处理 通过在1×10 -3 Pa以上的压力和800℃〜1300℃的温度下将真空中保持常压烧结体不少于1分钟且不超过10分钟。

公开(公告)号：US20150148911A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14411881

申请日：2013-06-27

申请人： Witold Lojkowski ,  Tadeusz Chudoba ,  Elzbieta Pietrzykowska ,  Aleksandra Kedzierska ,  Dariusz Smolen ,  Wojciech Swieszkowski ,  Krzysztof Kurzydlowski

发明人： Witold Lojkowski ,  Tadeusz Chudoba ,  Elzbieta Pietrzykowska ,  Aleksandra Kedzierska ,  Dariusz Smolen ,  Wojciech Swieszkowski ,  Krzysztof Kurzydlowski

IPC分类号： A61F2/28 ,  C04B35/447

CPC分类号： A61F2/28 ,  A61F2310/00293 ,  A61L27/12 ,  A61L2400/12 ,  C04B35/447 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3212 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/96

摘要： To manufacture the implant a nanopowder of synthetic hydroxyapatite (Hap) is used having a hexagonal structure, average grain size in a range from 3 to 30 nm and the specific surface area greater than 200 m2/g. First the nanopowder is formed to the desired geometric shape, and then the shape is fixed. In the step of shape information the dried nanopowder is pressed in the mold under the pressure ranging from 50 Mpa to 2 GPa. In the step of fixing the pressed nanopowder at room temperature is subjected to the pressure rising from the ambient value to the peak value selected from a range of 1 to 8 GPa and to a temperature selected from a range of 100° C. to 600° C. for a period of time selected from a range from 30 seconds to 5 minutes. The density of thus produced implant, determined by helium method, is not less than 75% of the theoretical density.

摘要翻译： 为了制造植入物，使用具有六方结构的合成羟基磷灰石（Hap）的纳米粉末，平均粒度在3至30nm的范围内，比表面积大于200m 2 / g。 首先，将纳米粉末形成为所需的几何形状，然后形状固定。 在形状信息的步骤中，将干燥的纳米粉末在50Mpa至2GPa的压力下在模具中压制。 在将压制的纳米粉末在室温下固定的步骤经受从环境值升高到选自1至8GPa范围内的峰值的压力和从100℃至600℃范围内的温度 从30秒到5分钟的范围内选择一段时间。 由此产生的植入物的密度由氦法确定，不小于理论密度的75％。

公开(公告)号：US08980213B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13284847

申请日：2011-10-28

申请人： Bogdan Dabrowski ,  Steven Remsen

发明人： Bogdan Dabrowski ,  Steven Remsen

IPC分类号： C01F17/00 ,  C01G45/12 ,  B01D53/02 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 ,  C04B35/01

CPC分类号： C04B35/016 ,  B01D53/02 ,  B01D53/228 ,  B01D69/10 ,  B01D71/024 ,  B01D2253/1124 ,  B01D2255/206 ,  B01D2255/2061 ,  B01D2255/2073 ,  B01D2257/104 ,  B01D2325/12 ,  C01B13/0244 ,  C01B2210/0007 ,  C01G45/1221 ,  C01G45/1264 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/88 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  Y02P20/129

摘要： A manganese oxide contains M1, optionally M2, Mn and O. M1 is selected from the group consisting of In, Sc, Y, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu. M2 is different from M1, and M2 is selected from the group consisting of Bi, In, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu. These ceramic materials are hexagonal in structure, and provide superior materials for gas separation and oxygen storage.

摘要翻译： 锰氧化物含有M1，任选为M2，Mn和O.M1选自In，Sc，Y，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu。 M2与M1不同，M2选自Bi，In，Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu 。 这些陶瓷材料在结构上是六角形的，并且提供用于气体分离和储氧的优良材料。

公开(公告)号：US08926864B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13697556

申请日：2011-04-21

申请人： Masayoshi Ichikawa ,  Hideyuki Emoto

发明人： Masayoshi Ichikawa ,  Hideyuki Emoto

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  C09K11/77 ,  C04B35/597 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  H05B33/14 ,  H01L33/50 ,  C01B21/082

CPC分类号： C09K11/7729 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9646 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

摘要： A method of producing β-SiAlON includes a sintering process, in which β-SiAlON starting materials, a mixture of silicon nitride, aluminum nitride, optically active element compound, and at least one compound selected from aluminum oxide and silicon oxide, are sintered at temperatures ranging from 1820° C. to 2200° C. The method provides new β-SiAlON low in carbon content and having high luminescence intensity by placing a plurality of boron nitride vessels in a graphite box to allow the β-SiAlON starting materials packed in the plurality of boron nitride vessels to easily come in contact with nitrogen gas, and performing sintering in nitrogen atmosphere.

摘要翻译： 一种生产-SiAlON的方法包括一种烧结工艺，其中，SiAlON原料，氮化硅，氮化铝，光学活性元素化合物和至少一种选自氧化铝和氧化硅的化合物的混合物是 在1820℃至2200℃的温度范围内烧结。该方法通过将多个氮化硼容器放置在石墨盒中来提供碳含量低且具有高发光强度的新型SiAlON，以允许SiAlON 原料填充在多个氮化硼容器中，容易与氮气接触，并在氮气气氛中进行烧结。

公开(公告)号：US20150000207A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US14241362

申请日：2012-08-24

申请人： Yuh Ishida ,  Hitoshi Sumiya

发明人： Yuh Ishida ,  Hitoshi Sumiya

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1418 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96

摘要： A cubic boron nitride complex polycrystal contains granular cubic boron nitride and tabular cubic boron nitride. The average grain size of the granular cubic boron nitride is 500 nm or less. The maximum value of a short side of the tabular cubic boron nitride is 10 nm or more to 10000 nm or less. Thereby, it is possible to provide a cubic boron nitride complex polycrystal having high hardness and a manufacturing method therefor, a cutting tool, a wire-drawing die and a grinding tool including the same.

摘要翻译： 立方氮化硼复合多晶体包含立方氮化硼颗粒和片状立方氮化硼。 粒状立方氮化硼的平均粒径为500nm以下。 片状立方氮化硼的短边的最大值为10nm以上至10000nm以下。 由此，可以提供具有高硬度的立方氮化硼复合体多晶体及其制造方法，切削工具，拉丝模具和包括该方法的研磨工具。