公开(公告)号：US20090324821A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12163757

申请日：2008-06-27

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45525

摘要： Methods for controllably forming Sb—Te, Ge—Te, and Ge—Sb—Te thin films are provided. ALD processes can be used to deposit a first film comprising ZnTe. Providing an antimony source chemical, such as SbI3 replaces the zinc, thereby forming Sb2Te3 thin films. Ge—Te and Ge—Sb—Te films can also be made by providing Ge sources to ZnTe and Sb—Te thin films, respectively.

摘要翻译： 提供了可控地形成Sb-Te，Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜的方法。 ALD工艺可用于沉积包含ZnTe的第一膜。 提供锑源化合物，如SbI3代替锌，从而形成Sb2Te3薄膜。 Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜也可以分别通过向ZnTe和Sb-Te薄膜提供Ge源。

公开(公告)号：US06932867B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10618429

申请日：2003-07-10

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/316 ,  C30B23/06

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。

公开(公告)号：US09878516B2

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：US13784856

申请日：2013-03-05

申请人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

发明人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

IPC分类号： C23C16/06 ,  B32B3/28 ,  B32B15/04 ,  C23C16/50 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： B32B3/28 ,  B32B15/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  Y10T428/1241 ,  Y10T428/24636 ,  Y10T428/24736

摘要： A metamaterial thin film with plasmonic properties formed by depositing metallic films by atomic layer deposition onto a substrate to form a naturally occurring mosaic-like nanostructure having two-dimensional features with air gaps between the two-dimensional features. Due to the unique deposition nanostructure, plasmonic thin films of metal or highly conducting materials can be produced on any substrate, including fabrics and biological materials. In addition, these plasmonic materials can be used in conjunction with geometric patterns that may be used to create multiple resonance plasmonic metamaterials.

公开(公告)号：US09169557B2

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US12777022

申请日：2010-05-10

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01G4/10 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US20120276305A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13434520

申请日：2012-03-29

申请人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50

摘要： The present application relates to atomic layer deposition (ALD) processes for producing metal phosphates such as titanium phosphate, aluminum phosphate and lithium phosphate, as well as to ALD processes for depositing lithium silicates.

摘要翻译： 本申请涉及用于生产金属磷酸盐如磷酸钛，磷酸铝和磷酸锂的原子层沉积（ALD）方法，以及用于沉积硅酸锂的ALD工艺。

公开(公告)号：US20110293830A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13034564

申请日：2011-02-24

申请人： Timo Hatanpaa ,  Jaakko Niinisto ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Suvi Haukka

发明人： Timo Hatanpaa ,  Jaakko Niinisto ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Suvi Haukka

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/405 ,  C01G23/07 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553

摘要： Methods are provided herein for forming transition metal oxide thin films, preferably Group IVB metal oxide thin films, by atomic layer deposition. The metal oxide thin films can be deposited at high temperatures using metalorganic reactants. Metalorganic reactants comprising two ligands, at least one of which is a cycloheptatriene or cycloheptatrienyl (CHT) ligand are used in some embodiments. The metal oxide thin films can be used, for example, as dielectric oxides in transistors, flash devices, capacitors, integrated circuits, and other semiconductor applications.

摘要翻译： 本文提供了通过原子层沉积形成过渡金属氧化物薄膜，优选IVB族金属氧化物薄膜的方法。 金属氧化物薄膜可以使用金属有机反应物在高温下沉积。 在一些实施方案中使用包含两种配体的金属有机反应物，其中至少一种是环庚三烯或环庚三烯（CHT）配体。 金属氧化物薄膜可以用作例如晶体管，闪光器件，电容器，集成电路和其它半导体应用中的电介质氧化物。

公开(公告)号：US20110198756A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12067285

申请日：2006-08-25

申请人： ü Thenappan ,  Chien-Wei Li ,  David Nalewajek ,  Martin Cheney ,  Jingyu Lao ,  Eric Eisenbraun ,  Min Li ,  Nathaniel Berliner ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  kaupo Kukli ,  Linda Cheney

发明人： ü Thenappan ,  Chien-Wei Li ,  David Nalewajek ,  Martin Cheney ,  Jingyu Lao ,  Eric Eisenbraun ,  Min Li ,  Nathaniel Berliner ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  kaupo Kukli ,  Linda Cheney

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L29/43 ,  H01L23/48

CPC分类号： C07F17/02 ,  C23C16/18

摘要： Vapor deposition precursors that can deposit conformal thin ruthenium films on substrates with a very high growth rate, low resistivity and low levels of carbon, oxygen and nitrogen impurities have been provided. The precursors described herein include a compound having the formula CMC′, wherein M comprises a metal or a metalloid; C comprises a substituted or unsubstituted acyclic alkene, cycloalkene or cycloalkene-like ring structure; and C′ comprises a substituted or unsubstituted acyclic alkene, cycloalkene or cycloalkene-like ring structure; wherein at least one of C and C′ further and individually is substituted with a ligand represented by the formula CH(X)R1, wherein X is a N, P, or S-substituted functional group or hydroxyl, and R1 is hydrogen or a hydrocarbon. Methods of production of the vapor deposition precursors and the resulting films, and uses and end uses of the vapor deposition precursors and resulting films are also described.

摘要翻译： 已经提供了可以在非常高的生长速率，低电阻率和低水平的碳，氧和氮杂质的基底上沉积保形薄钌薄膜的气相沉积前体。 本文所述的前体包括具有式CMC'的化合物，其中M包含金属或准金属; C包括取代或未取代的无环烯烃，环烯烃或环烯烃环结构; 和C'包括取代或未取代的无环烯烃，环烯烃或环烯烃环结构; 其中C和C'中的至少一个进一步和单独地被式CH（X）R 1表示的配体取代，其中X是N，P或S-取代的官能团或羟基，并且R 1是氢或 烃。 还描述了气相沉积前体和所得膜的生产方法，以及气相沉积前体和所得膜的用途和最终用途。

公开(公告)号：US20080072819A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11864677

申请日：2007-09-28

申请人： Antti Rahtu ,  Raija Matero ,  Markku Leskela ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpaa ,  Timo Hanninen ,  Marko Vehkamaki

发明人： Antti Rahtu ,  Raija Matero ,  Markku Leskela ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpaa ,  Timo Hanninen ,  Marko Vehkamaki

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B23/00

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32

摘要： Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing titanium containing oxide thin films comprise feeding into a reaction space vapour phase pulses of titanium alkoxide as a titanium source material and at least one oxygen source material, such as ozone, capable of forming an oxide with the titanium source material. In preferred embodiments the titanium alkoxide is titanium methoxide.

摘要翻译： 用于生产含钛氧化物薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将作为钛源材料的钛醇盐的脉冲和至少一种能够形成氧化物的氧源材料 钛源材料。 在优选的实施方案中，钛醇盐是甲醇钛。

公开(公告)号：US20060219157A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11317656

申请日：2005-12-22

申请人： Antti Rahtu ,  Raija Matero ,  Markku Leskela ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpaa ,  Timo Hanninen ,  Marko Vehkamaki

发明人： Antti Rahtu ,  Raija Matero ,  Markku Leskela ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpaa ,  Timo Hanninen ,  Marko Vehkamaki

IPC分类号： C30B1/00 ,  C30B5/00 ,  C30B28/02 ,  C30B3/00

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32

摘要： Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing titanium containing oxide thin films comprise feeding into a reaction space vapour phase pulses of titanium alkoxide as a titanium source material and at least one oxygen source material, such as ozone, capable of forming an oxide with the titanium source material. In preferred embodiments the titanium alkoxide is titanium methoxide.

摘要翻译： 用于生产含钛氧化物薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将作为钛源材料的钛醇盐的脉冲和至少一种能够形成氧化物的氧源材料 钛源材料。 在优选的实施方案中，钛醇盐是甲醇钛。