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    Gated-varactors
    43.
    发明授权
    Gated-varactors 有权
    门控变容二极管

    公开(公告)号：US08273616B2

    公开(公告)日：2012-09-25

    申请号：US12708603

    申请日：2010-02-19

    申请人： Chia-Chung Chen ,  Chewn-Pu Jou ,  Chin-Wei Kuo ,  Sally Liu

    发明人： Chia-Chung Chen ,  Chewn-Pu Jou ,  Chin-Wei Kuo ,  Sally Liu

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/94

    摘要： Various embodiments of the invention provide a varactor structure that, depends on configurations, can provide a C-V characteristic based on one or a combination of a reverse bias junction capacitor, a channel capacitor, and an oxide capacitor. The junction capacitor is formed by reverse biasing the P+ source region and the N-well. The channel capacitance is formed between the P+ source region and the N+ drain region, and the oxide capacitor is formed in the gate oxide area. Depending on biasing one or a combination of the gate voltage VG, the source voltage VS, and the drain voltage VD, embodiments can utilize one or a combination of the above capacitors. Other embodiments using the varactors in a Voltage-Controlled Oscillator (VCO) are also disclosed.

    摘要翻译： 本发明的各种实施例提供了一种变容二极管结构，其取决于配置，可以提供基于反向偏置结电容器，沟道电容器和氧化物电容器中的一个或其组合的C-V特性。 结电容器通过反向偏置P +源极区域和N阱来形成。 在P +源极区域和N +漏极区域之间形成沟道电容，并且在栅极氧化物区域形成氧化物电容器。 取决于偏压栅极电压VG，源极电压VS和漏极电压VD的一个或组合，实施例可以利用上述电容器中的一个或组合。 还公开了在压控振荡器（VCO）中使用变容二极管的其它实施例。

    DE-EMBEDDING ON-WAFER DEVICES
    44.
    发明申请
    DE-EMBEDDING ON-WAFER DEVICES 有权
    嵌入式嵌入式设备

    公开(公告)号：US20120146680A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：US12963511

    申请日：2010-12-08

    申请人： Hsiao-Tsung Yen ,  Yu-Ling Lin ,  Chin-Wei Kuo ,  Ho-Hsiang Chen ,  Sa-Lly Liu

    发明人： Hsiao-Tsung Yen ,  Yu-Ling Lin ,  Chin-Wei Kuo ,  Ho-Hsiang Chen ,  Sa-Lly Liu

    IPC分类号： G01R31/00

    CPC分类号： G01R31/2601 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/318511 ,  G11C29/56 ,  G11C2029/5602 ,  H01L22/34

    摘要： A transmission line is provided. In one embodiment, the transmission line comprises a substrate, a well within the substrate, a shielding layer over the well, and a plurality of intermediate metal layers over the shielding layer, the plurality of intermediate metal layers coupled by a plurality of vias. The transmission line further includes a top metal layer over the plurality of intermediate metal layers. A test structure for de-embedding an on-wafer device, and a wafer are also disclosed.

    摘要翻译： 提供传输线。 在一个实施例中，传输线包括衬底，衬底内的阱，阱上的屏蔽层以及屏蔽层上的多个中间金属层，多个中间金属层通过多个通孔耦合。 传输线还包括多个中间金属层上的顶部金属层。 还公开了用于去嵌入晶片装置和晶片的测试结构。

    GATED-VARACTORS
    46.
    发明申请
    GATED-VARACTORS 有权
    浇口式变送器

    公开(公告)号：US20110204969A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：US12708603

    申请日：2010-02-19

    申请人： Chia-Chung CHEN ,  Chewn-Pu Jou ,  Chin Wei Kuo ,  Sally Liu

    发明人： Chia-Chung CHEN ,  Chewn-Pu Jou ,  Chin Wei Kuo ,  Sally Liu

    IPC分类号： H01G7/00 ,  H01L21/329 ,  H01L29/93

    CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/94

    摘要： Various embodiments of the invention provide a varactor structure that, depends on configurations, can provide a C-V characteristic based on one or a combination of a reverse bias junction capacitor, a channel capacitor, and an oxide capacitor. The junction capacitor is formed by reverse biasing the P+ source region and the N-well. The channel capacitance is formed between the P+ source region and the N+ drain region, and the oxide capacitor is formed in the gate oxide area. Depending on biasing one or a combination of the gate voltage VG, the source voltage VS, and the drain voltage VD, embodiments can utilize one or a combination of the above capacitors. Other embodiments using the varactors in a Voltage-Controlled Oscillator (VCO) are also disclosed.

    摘要翻译： 本发明的各种实施例提供了一种变容二极管结构，其取决于配置，可以提供基于反向偏置结电容器，沟道电容器和氧化物电容器中的一个或其组合的C-V特性。 结电容器通过反向偏置P +源极区域和N阱来形成。 在P +源极区域和N +漏极区域之间形成沟道电容，并且在栅极氧化物区域形成氧化物电容器。 取决于偏压栅极电压VG，源极电压VS和漏极电压VD的一个或组合，实施例可以利用上述电容器中的一个或组合。 还公开了在压控振荡器（VCO）中使用变容二极管的其它实施例。

    FILTER USING A WAVEGUIDE STRUCTURE
    47.
    发明申请
    FILTER USING A WAVEGUIDE STRUCTURE 有权
    滤波器使用波形结构

    公开(公告)号：US20110193658A1

    公开(公告)日：2011-08-11

    申请号：US12701170

    申请日：2010-02-05

    申请人： Chia-Chung CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Chin-Wei KUO

    发明人： Chia-Chung CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Chin-Wei KUO

    IPC分类号： H01P1/203

    CPC分类号： H01P1/20345

    摘要： A representative filter comprises a silicon-on-insulator substrate having a top surface, a metal shielding positioned above the top surface of the silicon-on-insulator substrate, and a band-pass filter device positioned above the metal shielding. The band-pass filter device includes a first port, a second port, and a coupling metal positioned between the first and second ports.

    摘要翻译： 代表性滤波器包括具有顶表面的绝缘体上硅衬底，位于绝缘体上硅衬底的顶表面上方的金属屏蔽以及位于金属屏蔽上方的带通滤波器器件。 带通滤波器装置包括位于第一和第二端口之间的第一端口，第二端口和耦合金属。

    Four-Terminal Gate-Controlled LVBJTs
    48.
    发明申请
    Four-Terminal Gate-Controlled LVBJTs 有权
    四端门控LVBJT

    公开(公告)号：US20100219504A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12715071

    申请日：2010-03-01

    申请人： Chia-Chung Chen ,  Shuo-Mao Chen ,  Chin-Wei Kuo ,  Sally Liu

    发明人： Chia-Chung Chen ,  Shuo-Mao Chen ,  Chin-Wei Kuo ,  Sally Liu

    IPC分类号： H01L29/735

    CPC分类号： H01L21/8224 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/735

    摘要： An integrated circuit structure includes a well region of a first conductivity type, an emitter of a second conductivity type opposite the first conductivity type over the well region, a collector of the second conductivity type over the well region and substantially encircling the emitter, and a base contact of the first conductivity type over the well region. The base contact is horizontally spaced apart from the emitter by the collector. At least one conductive strip horizontally spaces the emitter, the collector, and the base contact apart from each other. A dielectric layer is directly under, and contacting, the at least one conductive strip.

    摘要翻译： 集成电路结构包括第一导电类型的阱区域，在阱区域上与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极，在阱区域上的基本上环绕发射极的第二导电类型的集电极，以及 第一导电类型在阱区上的基极接触。 基座接触件通过收集器与发射器水平间隔开。 至少一个导电条水平地将发射器，集电器和基座接触件彼此分开间隔开。 电介质层直接位于至少一个导电带的下面并与其接触。