公开(公告)号：US08009454B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US11654003

申请日：2007-01-17

申请人： Myoung-jae Lee ,  Yoon-dong Park ,  Hyun-sang Hwang ,  Dong-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Yoon-dong Park ,  Hyun-sang Hwang ,  Dong-soo Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/12 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Provided is a resistance random access memory (RRAM) device and a method of manufacturing the same. A resistance random access memory (RRAM) device may include a lower electrode, a first oxide layer on the lower electrode and storing information using two resistance states, a current control layer made of a second oxide on the first oxide layer and an upper electrode on the current control layer.

摘要翻译： 提供一种电阻随机存取存储器（RRAM）装置及其制造方法。 电阻随机存取存储器（RRAM）器件可以包括下电极，下电极上的第一氧化物层和使用两个电阻状态存储信息，在第一氧化物层上由第二氧化物制成的电流控制层， 当前控制层。

公开(公告)号：US07935952B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12073510

申请日：2008-03-06

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/24

摘要： Provided are a non-volatile memory device having a threshold switching resistor, a memory array including the non-volatile memory device, and methods of manufacturing the same. A non-volatile memory device having a threshold switching resistor may include a first resistor having threshold switching characteristics, an intermediate electrode on the first resistor, and a second resistor having at least two resistance characteristics on the intermediate electrode.

摘要翻译： 提供了具有阈值开关电阻器的非易失性存储器件，包括非易失性存储器件的存储器阵列及其制造方法。 具有阈值开关电阻器的非易失性存储器件可以包括具有阈值切换特性的第一电阻器，第一电阻器上的中间电极和在中间电极上具有至少两个电阻特性的第二电阻器。

公开(公告)号：US07759771B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11896007

申请日：2007-08-29

申请人： Myoung-jae Lee ,  Eun-hong Lee ,  Young-soo Park

发明人： Myoung-jae Lee ,  Eun-hong Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： Provided are a resistance random access memory including a resistance layer having a metal oxide and/or a metal ion dopant, which may be deposited at room temperature and which may have variable resistance characteristics, and a method of manufacturing the same.

摘要翻译： 提供一种包括具有金属氧化物和/或金属离子掺杂剂的电阻层的电阻随机存取存储器，其可以在室温下沉积并且可以具有可变电阻特性及其制造方法。

公开(公告)号：US20090116272A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12216529

申请日：2008-07-07

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C11/36 ,  H01L29/12

CPC分类号： G11C11/36 ,  G11C11/14 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/1021

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a cross-point memory array including the same which have a diode characteristic enabling the non-volatile memory device and the cross-point memory array including the same to operate in a simple structure, without requiring a switching device separately formed so as to embody a high density non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a first electrode; a diode-storage node formed on the first electrode; and a second electrode formed on the diode-storage node.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的交叉点存储器阵列，其具有使得非易失性存储器件的二极管特性和包括其的交叉点存储器阵列能够以简单的结构工作，而不需要 开关装置分开形成，以便体现高密度非易失性存储装置。 非易失性存储器件包括第一电极; 形成在所述第一电极上的二极管存储节点; 以及形成在二极管存储节点上的第二电极。

公开(公告)号：US20080278989A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种电阻式存储器件及其制造方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有露出底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：US20050194622A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11013923

申请日：2004-12-17

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/22 ,  H01L29/92 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： In a capacitor of a semiconductor device, a semiconductor memory device including the capacitor, and a method of operating the semiconductor memory device, the capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer stacked on the lower electrode, the dielectric layer including a phase-transition layer capable of exhibiting two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof has been changed, and an upper electrode stacked on the dielectric layer.

摘要翻译： 在半导体器件的电容器中，包括电容器的半导体存储器件以及半导体存储器件的操作方法，电容器包括下电极，堆叠在下电极上的电介质层，电介质层包括相转变 层，其能够根据其绝缘性是否变化而呈现出两种不同的电阻特性，以及堆叠在电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US09425104B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US14259569

申请日：2014-04-23

申请人： Moon-seung Yang ,  Mohammad Rakib Uddin ,  Myoung-jae Lee ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Seong-ho Cho

发明人： Moon-seung Yang ,  Mohammad Rakib Uddin ,  Myoung-jae Lee ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Seong-ho Cho

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.

摘要翻译： 提供互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，在硅衬底上设置缓冲层，并且在缓冲层上设置包括III-V族材料的第一层。 包含IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。

公开(公告)号：US08890228B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L23/498 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US08861253B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13313720

申请日：2011-12-07

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0073

摘要： A method of operating a semiconductor device that includes a variable resistance device, the method including applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining whether the first current falls within a predetermined range of current; and if the first current does not fall within the first range of current, applying an additional first voltage that is equal to the first voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括向可变电阻器件施加第一电压以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值，该第二电阻值是 不同于第一个电阻值; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 确定第一电流是否落在预定的电流范围内; 并且如果所述第一电流不在所述第一电流范围内，则向所述可变电阻装置施加等于所述第一电压的附加第一电压。

公开(公告)号：US08611131B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。