公开(公告)号：US20140065368A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13596792

申请日：2012-08-28

申请人： Tolga AYTUG ,  Mariappan Parans PARANTHAMAN ,  John T. SIMPSON ,  Daniela Florentina BOGORIN

发明人： Tolga AYTUG ,  Mariappan Parans PARANTHAMAN ,  John T. SIMPSON ,  Daniela Florentina BOGORIN

IPC分类号： C23C14/35 ,  B32B33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C14/28 ,  C23C4/12 ,  B05D3/02 ,  C23C14/30 ,  C23C4/04 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C14/14 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  B05D5/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/06 ,  C30B25/02 ,  C30B23/06 ,  C30B19/00 ,  B32B9/04

CPC分类号： C23C30/00 ,  B32B33/00 ,  B32B2307/73 ,  C23C14/08 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24364 ,  Y10T428/25

摘要： This disclosure relates to methods that include depositing a first component and a second component to form a film including a plurality of nanostructures, and coating the nanostructures with a hydrophobic layer to render the film superhydrophobic. The first component and the second component can be immiscible and phase-separated during the depositing step. The first component and the second component can be independently selected from the group consisting of a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, a metal, and combinations thereof. The films can have a thickness greater than or equal to 5 nm; an average surface roughness (Ra) of from 90 to 120 nm, as measured on a 5 μm×5 μm area; a surface area of at least 20 m2/g; a contact angle with a drop of water of at least 120 degrees; and can maintain the contact angle when exposed to harsh conditions.

摘要翻译： 本公开涉及包括沉积第一组分和第二组分以形成包含多个纳米结构的膜的方法，以及用疏水层涂覆纳米结构以使膜超疏水。 在沉积步骤期间，第一组分和第二组分可以是不混溶的和相分离的。 第一组分和第二组分可以独立地选自金属氧化物，金属氮化物，金属氮氧化物，金属及其组合。 膜可以具有大于或等于5nm的厚度; 在5mum×5mum面积上测量的平均表面粗糙度（Ra）为90至120nm; 表面积至少为20m2 / g; 与一滴水的接触角至少为120度; 并且在暴露于恶劣条件下可以保持接触角。

公开(公告)号：US20140048013A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US13588764

申请日：2012-08-17

申请人： Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun

发明人： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Hien Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun

IPC分类号： C30B25/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B19/00

CPC分类号： C30B33/005 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  G02F1/13439

摘要： Zinc oxide layer, including pure zinc oxide and doped zinc oxide, can be deposited with preferred crystal orientation and improved electrical conductivity by employing a seed layer comprising a metallic element. By selecting metallic elements that can easily crystallized at low temperature on glass substrates, together with possessing preferred crystal orientations and sizes, zinc oxide layer with preferred crystal orientation and large grain size can be formed, leading to potential optimization of transparent conductive oxide layer stacks.

摘要翻译： 包括纯氧化锌和掺杂的氧化锌的氧化锌层可以通过采用包含金属元素的种子层而沉积具有优选的晶体取向和改进的导电性。 通过选择可以在玻璃基板上容易地在低温下结晶的金属元素，并且具有优选的晶体取向和尺寸，可以形成具有优选晶体取向和大晶粒尺寸的氧化锌层，导致透明导电氧化物层叠层的潜在优化。

公开(公告)号：US20130255565A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13593602

申请日：2012-08-24

申请人： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

发明人： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

IPC分类号： C30B19/00 ,  C30B25/04 ,  C30B23/04

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B19/00 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/186 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02664 ,  H01L51/0048

摘要： A method for making an epitaxial structure includes the following steps. A substrate having an epitaxial growth surface is provided. A buffer layer is formed on the epitaxial growth surface. A carbon nanotube layer is placed on the buffer layer. A first epitaxial layer is epitaxially grown on the buffer layer. The substrate and the buffer layer are removed to expose a second epitaxial growth surface. A second epitaxial layer is epitaxially grown on the second epitaxial growth surface.

摘要翻译： 制造外延结构的方法包括以下步骤。 提供了具有外延生长面的基板。 在外延生长表面上形成缓冲层。 碳纳米管层放置在缓冲层上。 在缓冲层上外延生长第一外延层。 去除衬底和缓冲层以暴露第二外延生长表面。 在第二外延生长表面上外延生长第二外延层。

公开(公告)号：US08501141B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12662006

申请日：2010-03-26

申请人： Takayuki Sato ,  Seiji Nagai ,  Makoto Iwai ,  Shuhei Higashihara ,  Yusuke Mori ,  Yasuo Kitaoka

发明人： Takayuki Sato ,  Seiji Nagai ,  Makoto Iwai ,  Shuhei Higashihara ,  Yusuke Mori ,  Yasuo Kitaoka

IPC分类号： C01B21/06 ,  C30B15/00 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/14 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04

CPC分类号： C30B9/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625

摘要： An object of the present invention is to effectively add Ge in the production of GaN through the Na flux method. In a crucible, a seed crystal substrate is placed such that one end of the substrate remains on the support base, whereby the seed crystal substrate remains tilted with respect to the bottom surface of the crucible, and gallium solid and germanium solid are placed in the space between the seed crystal substrate and the bottom surface of the crucible. Then, sodium solid is placed on the seed crystal substrate. Through employment of this arrangement, when a GaN crystal is grown on the seed crystal substrate through the Na flux method, germanium is dissolved in molten gallium before formation of a sodium-germanium alloy. Thus, the GaN crystal can be effectively doped with Ge.

摘要翻译： 本发明的目的是通过Na通量法有效地添加Ge生产GaN。 在坩埚中，放置晶种衬底，使得衬底的一端保留在支撑基底上，由此籽晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在 晶种基板与坩埚底面之间的空间。 然后，将钠固体置于晶种衬底上。 通过使用这种布置，当GaN晶体通过Na通量法在籽晶衬底上生长时，锗在形成钠 - 锗合金之前溶解在熔融镓中。 因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。

公开(公告)号：US08440017B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13208944

申请日：2011-08-12

申请人： Takanao Shimodaira ,  Takayuki Hirao ,  Katsuhiro Imai

发明人： Takanao Shimodaira ,  Takayuki Hirao ,  Katsuhiro Imai

IPC分类号： C30B19/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： To grow a gallium nitride crystal, a seed-crystal substrate is first immersed in a melt mixture containing gallium and sodium. Then, a gallium nitride crystal is grown on the seed-crystal substrate under heating the melt mixture in a pressurized atmosphere containing nitrogen gas and not containing oxygen. At this time, the gallium nitride crystal is grown on the seed-crystal substrate under a first stirring condition of stirring the melt mixture, the first stirring condition being set for providing a rough growth surface, and the gallium nitride crystal is subsequently grown on the seed-crystal substrate under a second stirring condition of stirring the melt mixture, the second stirring condition being set for providing a smooth growth surface.

摘要翻译： 为了生长氮化镓晶体，首先将晶种衬底浸入含有镓和钠的熔融混合物中。 然后，在含有氮气且不含氧的加压气氛中加热熔融混合物，在晶种基板上生长氮化镓晶体。 此时，在搅拌熔融混合物的第一搅拌条件下，在籽晶基板上生长氮化镓晶体，将第一搅拌条件设定为提供粗糙的生长表面，然后氮化镓晶体在 晶种基材在搅拌熔融混合物的第二搅拌条件下，将第二搅拌条件设定为提供平滑的生长表面。

公开(公告)号：US07923098B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US11968544

申请日：2008-01-02

申请人： Tetsuya Mishima ,  Madhavie Edirisooriya ,  Michael B. Santos

发明人： Tetsuya Mishima ,  Madhavie Edirisooriya ,  Michael B. Santos

IPC分类号： B32B7/02 ,  C30B19/00

CPC分类号： H01L21/02521 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02549 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495

摘要： A low-defect-density crystalline structure comprising a first crystalline material, a layer of second crystalline material epitaxially grown on the first crystalline material, and a layer of third crystalline material epitaxially grown on the second layer such that the second layer is positioned between the first crystalline material and the third crystalline material. The second and third crystalline materials cooperate to form a desirable relationship. The crystalline structures of the second crystalline material and third crystalline material have a higher crystalline compatibility than the first crystalline material and third crystalline material. The layer of second crystalline material is sufficiently thick to form the desirable relationship with the third crystalline material but sufficiently thin for the layer of second crystalline material to be strained. The layer of third crystalline material is grown to a thickness beyond a thickness had the third layer been grown on an unstrained second layer.

摘要翻译： 包含第一晶体材料，外延生长在第一晶体材料上的第二晶体材料层和在第二层上外延生长的第三晶体材料层的低缺陷密度晶体结构使得第二层位于 第一结晶材料和第三结晶材料。 第二和第三结晶材料配合以形成期望的关系。 第二结晶材料和第三结晶材料的晶体结构具有比第一结晶材料和第三结晶材料更高的结晶相容性。 第二结晶材料层足够厚以与第三结晶材料形成期望的关系，但对于要应变的第二晶体材料层来说足够薄。 如果第三层在无应变的第二层上生长，则将第三晶体材料层生长至超过厚度的厚度。

公开(公告)号：US07758766B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11898858

申请日：2007-09-17

申请人： Atsushi Ohido

发明人： Atsushi Ohido

IPC分类号： C04B35/40 ,  C04B35/26 ,  H01F1/00 ,  C30B11/00 ,  C30B19/00

CPC分类号： C01G49/009 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/2675 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/764 ,  C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/09

摘要： It is an object of the present invention to provide a magnetic garnet single crystal capable of reducing the optical loss of the resulting rotator even when the magnetic garnet single crystal is grown using a solvent containing Na by the liquid phase epitaxial process, as well as a Faraday rotator using the same. A magnetic garnet single crystal represented by the chemical formula BiαNaβM13-α-β-γM2γFe5-δ-εMgδM3εO12 (M1 is at least one element or more selected from Y, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Yb and Lu; and M2 is at least one element or more selected from Ca and Sr; M3 is at least one element or more selected from Si, Ge, Ti, Pt, Ru, Sn, Hf and Zr, provided that 0.60

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种即使当使用含有Na的溶剂通过液相外延工艺生长磁性石榴石单晶时，也能够减少所得旋转体的光学损失的磁性石榴石单晶，以及 法拉第旋转器使用相同。 由化学式BiαNa＆bgr; M13-α-＆bgr-γM2γFe5-δ-＆egr;MgδM3和E12表示的磁性石榴石单晶（M1是选自Y，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho中的至少一种元素 Yb和Lu中的至少一种以上，M2为选自Ca，Sr中的至少一种以上的元素; M3为选自Si，Ge，Ti，Pt，Ru，Sn，Hf，Zr中的至少一种以上， α＆nlE; 1.50，0 <＆bgr;＆nlE; 0.05,1.35 <3-α-＆bgr;-γ<2.40,0和nlE;γ＆nlE; 0.10,0和nlE;δ＆nlE; 0.10,0 < ; 0.10,0 <δ+＆egr;＆nlE; 0.10）。

公开(公告)号：US07637998B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US12250644

申请日：2008-10-14

申请人： Tadaaki Kaneko ,  Yasushi Asaoka ,  Naokatsu Sano

发明人： Tadaaki Kaneko ,  Yasushi Asaoka ,  Naokatsu Sano

IPC分类号： C30B19/00

CPC分类号： C30B19/04 ,  C30B29/36

摘要： Single crystal SiC, having no fine grain boundaries, a micropipe defect density of 1/cm2 or less and a crystal terrace of 10 micrometer or more is obtained by a high-temperature liquid phase growth method using a very thin Si melt layer. The method does not require temperature difference control between the growing crystal surface and a raw material supply polycrystal and preparation of a doped single crystal SiC is possible.

摘要翻译： 通过使用非常薄的Si熔融层的高温液相生长法，可以获得不具有微细晶界的微晶SiC，1 / cm 2以下的微孔缺陷密度和10微米以上的晶体平台。 该方法不需要生长晶体表面和原料供应多晶体之间的温度差控制，并且可以制备掺杂的单晶SiC。

公开(公告)号：US20090249999A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12306503

申请日：2007-06-20

申请人： Rune Roligheten ,  Gjertrud Rian ,  Stein Julsrud

发明人： Rune Roligheten ,  Gjertrud Rian ,  Stein Julsrud

IPC分类号： C30B19/00 ,  B29D31/00 ,  C01B21/068

CPC分类号： C30B35/002 ,  C04B35/591 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/945 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/368 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092

摘要： This invention relates to reusable crucibles for production of ingots of semiconductor grade silicon made of nitride bonded silicon nitride (NBSN). The crucibles may be made by mixing silicon nitride powder with silicon powder, forming a green body of the crucible, and then heating the green body in an atmosphere containing nitrogen such that the silicon powder is nitrided forming the NBSN-crucible. Alternatively the crucibles may assembled by plate elements of NBSN-material that are to be the bottom and walls of a square cross-section crucible, and optionally sealing the joints by applying a paste comprising silicon powder and optionally silicon nitride particles, followed by a second heat treatment in a nitrogen atmosphere.

摘要翻译： 本发明涉及用于生产由氮化物接合氮化硅（NBSN）制成的半导体级硅的锭的可重复使用的坩埚。 坩埚可以通过将氮化硅粉末与硅粉末混合，形成坩埚的生坯体，然后在含有氮气的气氛中加热生坯体，使得硅粉末氮化形成NBSN坩埚而制成。 或者，坩埚可以通过作为底部的NBSN材料的板元件和正方形横截面坩埚的壁组装，并且可选地通过施加包含硅粉末和任选的氮化硅颗粒的糊料来​​密封接头，接着是第二 在氮气气氛中进行热处理。

公开(公告)号：US20090223440A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12073370

申请日：2008-03-04

申请人： Boris Feigelson ,  Rachel M. Frazier

发明人： Boris Feigelson ,  Rachel M. Frazier

IPC分类号： C30B19/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B9/10 ,  C30B29/403

摘要： A process for making gallium nitride crystals comprising the steps of charging a reaction vessel with a layer of one selected from a Group IA element nitride, a Group IIA element nitride, and combinations thereof, adding a layer of gallium, applying nitrogen pressure to prevent dissociation or decomposition, forming in situ a gallium nitride source by heating the charged reaction vessel to render the one selected from the group reacted with the gallium, forming in situ a solvent comprising the gallium and the one selected from the group released by an exchange reaction between the gallium and the one selected from the group, providing a temperature when formed gallium nitride will be dissolved in the formed solvent and providing a temperature difference in the solvent between the formed gallium nitride source and the growing single crystal gallium nitride, and growing a single crystal gallium nitride.

摘要翻译： 一种制造氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：用选自IA族元素氮化物，IIA族元素氮化物及其组合的一层填充反应容器，加入镓层，施加氮气压力以防止解离 或分解，通过加热带电的反应容器使氮化镓源原位化，使选自组中的一个与镓反应，原位形成包含镓的溶剂和选自通过交换反应释放的溶剂的溶剂 当形成的氮化镓时提供温度的镓和选自该组的镓将被溶解在所形成的溶剂中并且在所形成的氮化镓源和生长的单晶氮化镓之间的溶剂中提供温度差，并且生长单个 晶体氮化镓。