公开(公告)号：US07834464B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11869211

申请日：2007-10-09

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device, a semiconductor chip package, and a semiconductor chip assembly is disclosed. One embodiment includes applying at least one semiconductor chip on a first form element. At least one element is applied on a second form element. A material is applied on the at least one semiconductor chip and on the at least one element.

摘要翻译： 公开了一种制造器件，半导体芯片封装和半导体芯片组件的方法。 一个实施例包括在第一成形元件上施加至少一个半导体芯片。 至少一个元素被应用在第二个表单元素上。 在至少一个半导体芯片上和该至少一个元件上施加材料。

公开(公告)号：US07759792B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11839129

申请日：2007-08-15

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Stephan Bradl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Stephan Bradl

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

摘要： An integrated circuit includes a substrate including a contact pad, a redistribution line coupled to the contact pad, and a dielectric material layer between the substrate and the redistribution line. The integrated circuit includes a solder ball coupled to the redistribution line and a parylene material layer sealing the dielectric material layer and the redistribution line.

摘要翻译： 集成电路包括包括接触焊盘，耦合到接触焊盘的再分配线以及衬底和再分配线之间的介电材料层的衬底。 集成电路包括耦合到再分配线的焊球和密封介电材料层和再分配线的聚对二甲苯材料层。

公开(公告)号：US20100078778A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242688

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Snezana Jenei

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Snezana Jenei

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/44 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： A system on chip comprising a RF shield is disclosed. In one embodiment, the system on chip includes a RF component disposed on a chip, first redistribution lines disposed above the system on chip, the first redistribution lines coupled to I/O connection nodes. The system on chip further includes second redistribution lines disposed above the RF component, the second redistribution lines coupled to ground potential nodes. The second redistribution lines include a first set of parallel metal lines coupled together by a second set of parallel metal lines.

摘要翻译： 公开了一种包括RF屏蔽的片上系统。 在一个实施例中，片上系统包括设置在芯片上的RF组件，设置在片上系统上方的第一再分配线，第一再分配线耦合到I / O连接节点。 片上系统还包括设置在RF部件上方的第二再分配线，第二再分配线耦合到地电位节点。 第二再分配线包括由第二组平行金属线耦合在一起的第一组平行金属线。

公开(公告)号：US20100078777A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242556

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Heinrich Koerner ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Heinrich Koerner ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

摘要： Structure and method for fabricating a system on chip with an on-chip RF shield including interconnect metallization is described. In one embodiment, the system on chip includes an RF circuitry disposed on a first portion of a top surface of a substrate, and a semiconductor circuitry disposed on a second portion of the top surface of the substrate. An interconnect RF barrier is disposed between the RF circuitry and the semiconductor circuitry, the interconnect RF barrier coupled to a ground potential node.

摘要翻译： 描述了使用包括互连金属化的片上RF屏蔽来制造片上系统的结构和方法。 在一个实施例中，片上系统包括设置在衬底的顶表面的第一部分上的RF电路和设置在衬底顶表面的第二部分上的半导体电路。 互连RF屏障设置在RF电路和半导体电路之间，互连RF屏障耦合到地电势节点。

公开(公告)号：US08786105B1

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13739045

申请日：2013-01-11

申请人： Thorsten Meyer ,  Sven Albers ,  Christian Geissler ,  Andreas Wolter ,  Markus Brunnbauer ,  David O'Sullivan ,  Frank Zudock ,  Jan Proschwitz

发明人： Thorsten Meyer ,  Sven Albers ,  Christian Geissler ,  Andreas Wolter ,  Markus Brunnbauer ,  David O'Sullivan ,  Frank Zudock ,  Jan Proschwitz

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/315 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is described having at least one semiconductor chip, the chip having an active area on a top side thereof, the active area formed at least in part of low-k material, said low-k material defining a low-k subarea of said active area; an embedding material, in which said at least one semiconductor chip is embedded, at least part of the embedding material forming a coplanar area with said active area; at least one contact area within the low-k subarea; a redistribution layer on the coplanar area, the redistribution layer connected to said contact areas; at least one first-level interconnect, located outside said low-k subarea, the first-level interconnect electrically connected to at least one of said contact areas via the redistribution layer.

摘要翻译： 描述了半导体器件，其具有至少一个半导体芯片，该芯片在其顶侧具有有源区，至少部分形成在低k材料上的有源区，所述低k材料限定低k分区 说活跃区; 嵌入材料，其中所述至少一个半导体芯片被嵌入，所述嵌入材料的至少一部分与所述有源区域形成共面区域; 低k子区域内的至少一个接触区域; 在共面区域上的再分配层，再分配层连接到所述接触区域; 位于所述低k子区域外的至少一个第一级互连，所述第一级互连经由再分配层电连接到所述接触区域中的至少一个。

公开(公告)号：US20140151700A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US13693109

申请日：2012-12-04

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Bernd Waidhas

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Bernd Waidhas

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A chip package may include an interconnection layer having a first surface configured to face at least one chip, and a second surface opposite the first surface; at least one first pad and at least one second pad formed at at least one of the first surface and the second surface of the interconnection layer; at least one first conductive interconnect formed over the at least one first pad; and at least one second conductive interconnect formed over the at least one second pad, wherein a height of the at least one first conductive interconnect is less than a height of the at least one second conductive interconnect.

摘要翻译： 芯片封装可以包括具有构造成面对至少一个芯片的第一表面和与第一表面相对的第二表面的互连层; 至少一个第一焊盘和形成在所述互连层的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上的至少一个第二焊盘; 形成在所述至少一个第一焊盘上的至少一个第一导电互连; 以及形成在所述至少一个第二焊盘上的至少一个第二导电互连，其中所述至少一个第一导电互连的高度小于所述至少一个第二导电互连的高度。

公开(公告)号：US08617929B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13456331

申请日：2012-04-26

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jenei Snezana

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jenei Snezana

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： A system on chip comprising a RF shield is disclosed. In one embodiment, the system on chip includes a RF component disposed on a chip, first redistribution lines disposed above the system on chip, the first redistribution lines coupled to I/O connection nodes. The system on chip further includes second redistribution lines disposed above the RF component, the second redistribution lines coupled to ground potential nodes. The second redistribution lines include a first set of parallel metal lines coupled together by a second set of parallel metal lines.

摘要翻译： 公开了一种包括RF屏蔽的片上系统。 在一个实施例中，片上系统包括设置在芯片上的RF组件，设置在片上系统上方的第一再分配线，第一再分配线耦合到I / O连接节点。 片上系统还包括设置在RF部件上方的第二再分配线，第二再分配线耦合到地电位节点。 第二再分配线包括由第二组平行金属线耦合在一起的第一组平行金属线。

公开(公告)号：US08487448B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13195333

申请日：2011-08-01

申请人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler ,  Markus Brunnbauer

发明人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for producing chip packages is disclosed. In one embodiment, a plurality of chips is provided. The chips each have first pads. Second connection pads are applied on the wafer, wherein each second pad is electrically connected to a first pad.

摘要翻译： 公开了一种生产芯片封装的方法。 在一个实施例中，提供多个芯片。 每个芯片都有第一个焊盘。 第二连接焊盘被施加在晶片上，其中每个第二焊盘电连接到第一焊盘。

公开(公告)号：US20120256315A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13495687

申请日：2012-06-13

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device, a semiconductor chip package, and a semiconductor chip assembly is disclosed. One embodiment includes applying at least one semiconductor chip on a first form element. At least one element is applied on a second form element. A material is applied on the at least one semiconductor chip and on the at least one element.

摘要翻译： 公开了一种制造器件，半导体芯片封装和半导体芯片组件的方法。 一个实施例包括在第一成形元件上施加至少一个半导体芯片。 至少一个元素被应用在第二个表单元素上。 在至少一个半导体芯片上和该至少一个元件上施加材料。

公开(公告)号：US20120208320A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13456331

申请日：2012-04-26

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jenei Snezana

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jenei Snezana

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： A system on chip comprising a RF shield is disclosed. In one embodiment, the system on chip includes a RF component disposed on a chip, first redistribution lines disposed above the system on chip, the first redistribution lines coupled to I/O connection nodes. The system on chip further includes second redistribution lines disposed above the RF component, the second redistribution lines coupled to ground potential nodes. The second redistribution lines include a first set of parallel metal lines coupled together by a second set of parallel metal lines.

摘要翻译： 公开了一种包括RF屏蔽的片上系统。 在一个实施例中，片上系统包括设置在芯片上的RF组件，设置在片上系统上方的第一再分配线，第一再分配线耦合到I / O连接节点。 片上系统还包括设置在RF部件上方的第二再分配线，第二再分配线耦合到地电位节点。 第二再分配线包括由第二组平行金属线耦合在一起的第一组平行金属线。