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    Germanium FinFETs having dielectric punch-through stoppers
    82.
    发明授权
    Germanium FinFETs having dielectric punch-through stoppers 有权
    锗FinFET具有绝缘穿孔塞

    公开(公告)号：US08048723B2

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：US12329279

    申请日：2008-12-05

    申请人： Cheng-Hung Chang ,  Yu-Rung Hsu ,  Chen-Yi Lee ,  Shih-Ting Hung ,  Chen-Nan Yeh ,  Chen-Hua Yu

    发明人： Cheng-Hung Chang ,  Yu-Rung Hsu ,  Chen-Yi Lee ,  Shih-Ting Hung ,  Chen-Nan Yeh ,  Chen-Hua Yu

    IPC分类号： H01L21/332

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7851

    摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a composite substrate, which includes a bulk silicon substrate and a silicon germanium (SiGe) layer over and adjoining the bulk silicon substrate. A first condensation is performed to the SiGe layer to form a condensed SiGe layer, so that the condensed SiGe layer has a substantially uniform germanium concentration. The condensed SiGe layer and a top portion of the bulk silicon substrate are etched to form a composite fin including a silicon fin and a condensed SiGe fin over the silicon fine. The method further includes oxidizing a portion of the silicon fin; and performing a second condensation to the condensed SiGe fin.

    摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供复合衬底，该复合衬底包括在本体硅衬底上并邻接体硅衬底的体硅衬底和硅锗（SiGe）层。 对SiGe层进行第一次冷凝以形成冷凝的SiGe层，使得冷凝的SiGe层具有基本均匀的锗浓度。 蚀刻冷凝的SiGe层和体硅衬底的顶部以形成包括硅片和在硅微细上的冷凝的SiGe鳍的复合翅片。 该方法还包括氧化硅片的一部分; 并对冷凝的SiGe翅片进行第二冷凝。

    Self Aligned Air-Gap in Interconnect Structures
    88.
    发明申请
    Self Aligned Air-Gap in Interconnect Structures 有权
    互连结构中的自对准空隙

    公开(公告)号：US20110084357A1

    公开(公告)日：2011-04-14

    申请号：US12972228

    申请日：2010-12-17

    申请人： Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

    发明人： Chung-Shi Liu ,  Chen-Hua Yu

    IPC分类号： H01L23/482

    CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An integrated circuit structure comprising an air gap and methods for forming the same are provided. The integrated circuit structure includes a conductive line; a self-aligned dielectric layer on a sidewall of the conductive line; an air-gap horizontally adjoining the self-aligned dielectric layer; a low-k dielectric layer horizontally adjoining the air-gap; and a dielectric layer on the air-gap and the low-k dielectric layer.

    摘要翻译： 提供一种包括气隙的集成电路结构及其形成方法。 集成电路结构包括导线; 在导电线的侧壁上的自对准电介质层; 水平地邻接所述自对准介电层的气隙; 水平地邻接气隙的低k电介质层; 以及气隙和低k电介质层上的电介质层。

    Semiconductor Device Having Multiple Fin Heights
    90.
    发明申请
    Semiconductor Device Having Multiple Fin Heights 有权
    具有多个翅片高度的半导体器件

    公开(公告)号：US20110037129A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：US12912522

    申请日：2010-10-26

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Chen-Nan Yeh ,  Yu-Rung Hsu

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Chen-Nan Yeh ,  Yu-Rung Hsu

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795

    摘要： A semiconductor device having multiple fin heights is provided. Multiple fin heights are provided by using multiple masks to recess a dielectric layer within a trench formed in a substrate. In another embodiment, an implant mold or e-beam lithography are utilized to form a pattern of trenches in a photoresist material. Subsequent etching steps form corresponding trenches in the underlying substrate. In yet another embodiment, multiple masking layers are used to etch trenches of different heights separately. A dielectric region may be formed along the bottom of the trenches to isolate the fins by performing an ion implant and a subsequent anneal.

    摘要翻译： 提供具有多个翅片高度的半导体器件。 通过使用多个掩模来在形成在衬底中的沟槽内凹入电介质层来提供多个翅片高度。 在另一个实施例中，使用植入模具或电子束光刻来形成光致抗蚀剂材料中的沟槽图案。 随后的蚀刻步骤在下面的衬底中形成对应的沟槽。 在另一个实施例中，使用多个掩模层来分别蚀刻不同高度的沟槽。 可以沿着沟槽的底部形成电介质区域，以通过执行离子注入和随后的退火来隔离散热片。