公开(公告)号：US07755578B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11598944

申请日：2006-11-14

申请人： Jae Yong Park ,  Kwang Jo Hwang ,  Jong Woo Park ,  Hee Dong Choi ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

发明人： Jae Yong Park ,  Kwang Jo Hwang ,  Jong Woo Park ,  Hee Dong Choi ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

IPC分类号： G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/10

CPC分类号： G09G3/3291 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0295 ,  G09G2320/043

摘要： An organic light emitting diode display device and a driving method are provided. The organic light emitting diode display device comprises a data driver that generates a plurality of reference data voltages that have a level proportional to a gray scale level of a digital data supplied from the timing controller. The data driver supplies the data voltages to the plurality of data lines and compensates for the data voltages in accordance with a magnitude of the feedback voltages from the plurality of pixels fed back through the plurality of feedback lines under control of the timing controller.

摘要翻译： 提供了一种有机发光二极管显示装置和驱动方法。 有机发光二极管显示装置包括数据驱动器，该数据驱动器产生具有与从定时控制器提供的数字数据的灰度级成比例的电平的多个参考数据电压。 数据驱动器将数据电压提供给多条数据线，并且在时序控制器的控制下，根据通过多条反馈线反馈的多个像素的反馈电压的大小补偿数据电压。

公开(公告)号：US07671530B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11641002

申请日：2006-12-19

申请人： Jae Yong Park ,  Kwang Jo Hwang ,  Jong Woo Park ,  Hee Dong Choi ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

发明人： Jae Yong Park ,  Kwang Jo Hwang ,  Jong Woo Park ,  Hee Dong Choi ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L27/3251

摘要： Provided are an organic electroluminescence display device and method of fabricating the same. An organic electroluminescence display device according to the present invention includes a first substrate; a plurality of data lines arranged in a first direction on the first substrate; a plurality of gate lines arranged in a second direction on the first substrate; a plurality of pixel regions defined by the gate lines and the data lines, wherein a first pixel line is defined as a line of the pixel regions arranged in the first direction and a second pixel line is defined as a line of the pixel regions arranged in the second direction; a thin film transistor in each pixel region; a plurality of first connecting lines electrically connecting the thin film transistors of the first pixel lines with each other; and a second connecting line electrically connecting the thin film transistor of at least one of the second pixel lines.

摘要翻译： 提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法。 根据本发明的有机电致发光显示装置包括第一基板; 在第一基板上沿第一方向布置的多条数据线; 在所述第一基板上沿第二方向布置的多个栅极线; 由栅极线和数据线限定的多个像素区域，其中第一像素线被定义为沿第一方向布置的像素区域的线，而第二像素线被定义为布置在其中的像素区域的线 第二个方向 每个像素区域中的薄膜晶体管; 将第一像素线的薄膜晶体管彼此电连接的多个第一连接线; 以及第二连接线，电连接至少一个第二像素线的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07999768B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11770483

申请日：2007-06-28

申请人： In Hwam Kim ,  Seung Chan Byun ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

发明人： In Hwam Kim ,  Seung Chan Byun ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

IPC分类号： G09G3/30 ,  G09G3/32

CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0271 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/0673

摘要： An organic light emitting diode display for changing a data corresponding to an image property to prevent a deterioration of a life span of an organic light emitting diode device and to improve a picture quality, and a driving method thereof are disclosed. In the method, digital data of an input image of a screen are analyzed to analyze an accumulated density distribution for each gray scale range of an image which to be displayed on the screen. The digital data of the input image is modulated to lower a tilt of a gamma curve corresponding to a pre-set high gray scale range among gamma curves of the input image if data belonged to the high gray scale range turned out to be dominant according to the analyzed result. The digital data of the input image is modulated to raise a tilt of a gamma curve corresponding to a specific gray scale range among gamma curves of the input image if data belonged to the specific gray scale is determined as a dominant of the digital data of the input image according to the analyzed result. And the modulated digital data is converted into an analog signal.

摘要翻译： 一种有机发光二极管显示器，用于改变与图像特性相对应的数据，以防止有机发光二极管器件的使用寿命的恶化并提高图像质量，并提供其驱动方法。 在该方法中，分析屏幕的输入图像的数字数据，以分析要在屏幕上显示的图像的每个灰度范围的累积浓度分布。 调制输入图像的数字数据，以降低与输入图像的伽马曲线之间的预设高灰阶范围对应的伽马曲线的倾斜，如果属于高灰度范围的数据根据 分析结果。 如果属于特定灰度级的数据被确定为数字数据的主要位置，则输入图像的数字数据被调制以提高对应于输入图像的伽马曲线中的特定灰度范围的伽马曲线的倾斜 根据分析结果输入图像。 并且调制的数字数据被转换成模拟信号。

公开(公告)号：US20080001974A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11770483

申请日：2007-06-28

申请人： In Hwam KIM ,  Seung Chan Byun ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

发明人： In Hwam KIM ,  Seung Chan Byun ,  Sang Ho Yu ,  Jin Hyoung Kim

IPC分类号： G09G5/10

CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0271 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/0673

摘要： An organic light emitting diode display for changing a data corresponding to an image property to prevent a deterioration of a life span of an organic light emitting diode device and to improve a picture quality, and a driving method thereof are disclosed. In the method, digital data of an input image of a screen are analyzed to analyze an accumulated density distribution for each gray scale range of an image which to be displayed on the screen. The digital data of the input image is modulated to lower a tilt of a gamma curve corresponding to a pre-set high gray scale range among gamma curves of the input image if data belonged to the high gray scale range turned out to be dominant according to the analyzed result. The digital data of the input image is modulated to raise a tilt of a gamma curve corresponding to a specific gray scale range among gamma curves of the input image if data belonged to the specific gray scale is determined as a dominant of the digital data of the input image according to the analyzed result. And the modulated digital data is converted into an analog signal.

摘要翻译： 一种有机发光二极管显示器，用于改变与图像特性相对应的数据，以防止有机发光二极管器件的使用寿命的恶化并提高图像质量，并提供其驱动方法。 在该方法中，分析屏幕的输入图像的数字数据，以分析要在屏幕上显示的图像的每个灰度范围的累积浓度分布。 调制输入图像的数字数据，以降低与输入图像的伽马曲线之间的预设高灰阶范围对应的伽马曲线的倾斜，如果属于高灰度范围的数据根据 分析结果。 如果属于特定灰度级的数据被确定为数字数据的主要位置，则输入图像的数字数据被调制以提高对应于输入图像的伽马曲线中的特定灰度范围的伽马曲线的倾斜 根据分析结果输入图像。 并且调制的数字数据被转换成模拟信号。

公开(公告)号：US20120231626A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13415727

申请日：2012-03-08

申请人： SANG-HYEOB LEE ,  Sang Ho Yu ,  Kai Wu

发明人： SANG-HYEOB LEE ,  Sang Ho Yu ,  Kai Wu

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L27/10891

摘要： The invention provides a method of forming a film stack on a substrate, comprising performing a silicon containing gas soak process to form a silicon containing layer over the substrate, reacting with the silicon containing layer to form a tungsten silicide layer on the substrate, depositing a tungsten nitride layer on the substrate, subjecting the substrate to a nitridation treatment using active nitrogen species from a remote plasma, and depositing a conductive bulk layer directly on the tungsten nitride layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种在衬底上形成膜堆叠的方法，包括进行含硅气体保温工艺以在衬底上形成含硅层，与含硅层反应以在衬底上形成硅化钨层，沉积 氮化硅层，使用来自远程等离子体的活性氮物质进行氮化处理，并将导电体层直接沉积在氮化钨层上。

公开(公告)号：US20100003406A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12494901

申请日：2009-06-30

申请人： Hyman Lam ,  Bo Zheng ,  Hua Ai ,  Michael Jackson ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Hou Gong Wang ,  Salvador P. Umotoy ,  Sang Ho Yu

发明人： Hyman Lam ,  Bo Zheng ,  Hua Ai ,  Michael Jackson ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Hou Gong Wang ,  Salvador P. Umotoy ,  Sang Ho Yu

IPC分类号： C23C16/34

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32449 ,  Y10T137/87265

摘要： Embodiments of the invention provide apparatuses and methods for atomic layer deposition (ALD), such as plasma-enhanced ALD (PE-ALD). In some embodiments, a PE-ALD chamber is provided which includes a chamber lid assembly coupled with a chamber body having a substrate support therein. In one embodiment, the chamber lid assembly has an inlet manifold assembly containing an annular channel encompassing a centralized channel, wherein the centralized channel extends through the inlet manifold assembly, and the inlet manifold assembly further contains injection holes extending from the annular channel, through a sidewall of the centralized channel, and to the centralized channel. The chamber lid assembly further contains a showerhead assembly disposed below the inlet manifold assembly, a water box disposed between the inlet manifold assembly and the showerhead assembly, and a remote plasma system (RPS) disposed above and coupled with the inlet manifold assembly, and in fluid communication with the centralized channel.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了诸如等离子体增强型ALD（PE-ALD）的原子层沉积（ALD）的装置和方法。 在一些实施例中，提供了一种PE-ALD室，其包括与其中具有基板支撑件的室主体耦合的室盖组件。 在一个实施例中，室盖组件具有入口歧管组件，其包含围绕集中通道的环形通道，其中集中通道延伸穿过入口歧管组件，并且入口歧管组件还包含从环形通道延伸的注入孔， 集中通道侧壁，集中通道。 腔室盖组件还包括设置在入口歧管组件下方的喷头组件，设置在入口歧管组件和喷头组件之间的水箱，以及设置在入口歧管组件上方并与入口歧管组件耦合的远程等离子体系统（RPS） 与集中通道的流体通信。

公开(公告)号：US20090053426A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12201976

申请日：2008-08-29

申请人： JIANG LU ,  Hyoung-Chan Ha ,  Paul Ma ,  Seshadri Ganguli ,  Joseph F. Aubuchon ,  Sang Ho Yu ,  Murali K. Narasimhan

发明人： JIANG LU ,  Hyoung-Chan Ha ,  Paul Ma ,  Seshadri Ganguli ,  Joseph F. Aubuchon ,  Sang Ho Yu ,  Murali K. Narasimhan

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/76871 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873

摘要： Embodiments of the invention provide processes for depositing a cobalt layer on a barrier layer and subsequently depositing a conductive material, such as copper or a copper alloy, thereon. In one embodiment, a method for depositing materials on a substrate surface is provided which includes forming a barrier layer on a substrate, exposing the substrate to dicobalt hexacarbonyl butylacetylene (CCTBA) and hydrogen to form a cobalt layer on the barrier layer during a vapor deposition process (e.g., CVD or ALD), and depositing a conductive material over the cobalt layer. In some examples, the barrier layer and/or the cobalt layer may be exposed to a gas or a reagent during a treatment process, such as a thermal process, an in situ plasma process, or a remote plasma process.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了在阻挡层上沉积钴层并随后在其上沉积诸如铜或铜合金的导电材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种在衬底表面上沉积材料的方法，其包括在衬底上形成阻挡层，将衬底暴露于六羰基丁基乙炔二钴（CCTBA）和氢，以在气相沉积期间在阻挡层上形成钴层 工艺（例如，CVD或ALD），以及在钴层上沉积导电材料。 在一些实例中，阻挡层和/或钴层可以在诸如热处理，原位等离子体处理或远程等离子体处理的处理过程中暴露于气体或试剂。

公开(公告)号：US09129945B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US12730888

申请日：2010-03-24

申请人： Sang-Hyeob Lee ,  Sang Ho Yu ,  Wei Ti Lee ,  Seshadri Ganguli ,  Hyoung-Chan Ha ,  Hoon Kim

发明人： Sang-Hyeob Lee ,  Sang Ho Yu ,  Wei Ti Lee ,  Seshadri Ganguli ,  Hyoung-Chan Ha ,  Hoon Kim

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/321 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L23/485 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/4236 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention provides a method of forming a film stack on a substrate, comprising depositing a tungsten nitride layer on the substrate, subjecting the substrate to a nitridation treatment using active nitrogen species from a remote plasma, and depositing a conductive bulk layer directly on the tungsten nitride layer without depositing a tungsten nucleation layer on the tungsten nitride layer as a growth site for tungsten.

摘要翻译： 本发明提供了一种在衬底上形成膜堆叠的方法，包括在衬底上沉积氮化钨层，使用来自远程等离子体的活性氮物质对衬底进行氮化处理，并将导电体层直接沉积在钨上 氮化物层，而不在钨氮化物层上沉积钨成核层，作为钨的生长位置。

公开(公告)号：US08865594B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13415727

申请日：2012-03-08

申请人： Sang-Hyeob Lee ,  Sang Ho Yu ,  Kai Wu

发明人： Sang-Hyeob Lee ,  Sang Ho Yu ,  Kai Wu

IPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  C23C16/56 ,  H01L21/768 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L27/108

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L27/10891

摘要： The invention provides a method of forming a film stack on a substrate, comprising performing a silicon containing gas soak process to form a silicon containing layer over the substrate, reacting with the silicon containing layer to form a tungsten silicide layer on the substrate, depositing a tungsten nitride layer on the substrate, subjecting the substrate to a nitridation treatment using active nitrogen species from a remote plasma, and depositing a conductive bulk layer directly on the tungsten nitride layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种在衬底上形成膜堆叠的方法，包括进行含硅气体保温工艺以在衬底上形成含硅层，与含硅层反应以在衬底上形成硅化钨层，沉积 氮化硅层，使用来自远程等离子体的活性氮物质进行氮化处理，并将导电体层直接沉积在氮化钨层上。

公开(公告)号：US08642468B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13093710

申请日：2011-04-25

申请人： Seshadri Ganguli ,  Srinivas Gandikota ,  Yu Lei ,  Xinliang Lu ,  Sang Ho Yu ,  Hoon Kim ,  Paul F. Ma ,  Mei Chang ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu

发明人： Seshadri Ganguli ,  Srinivas Gandikota ,  Yu Lei ,  Xinliang Lu ,  Sang Ho Yu ,  Hoon Kim ,  Paul F. Ma ,  Mei Chang ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

摘要： Embodiments of the invention generally provide methods for depositing metal-containing materials and compositions thereof. The methods include deposition processes that form metal, metal carbide, metal silicide, metal nitride, and metal carbide derivatives by a vapor deposition process, including thermal decomposition, CVD, pulsed-CVD, or ALD. In one embodiment, a method for processing a substrate is provided which includes depositing a dielectric material having a dielectric constant greater than 10, forming a feature definition in the dielectric material, depositing a work function material conformally on the sidewalls and bottom of the feature definition, and depositing a metal gate fill material on the work function material to fill the feature definition, wherein the work function material is deposited by reacting at least one metal-halide precursor having the formula MXY, wherein M is tantalum, hafnium, titanium, and lanthanum, X is a halide selected from the group of fluorine, chlorine, bromine, or iodine, and y is from 3 to 5.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供沉积含金属材料及其组合物的方法。 所述方法包括通过包括热分解，CVD，脉冲CVD或ALD的气相沉积工艺形成金属，金属碳化物，金属硅化物，金属氮化物和金属碳化物衍生物的沉积工艺。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法，其包括沉积具有大于10的介电常数的介电材料，在电介质材料中形成特征定义，在功能定义的侧壁和底部上共同保存功函件材料 并且将金属浇注填充材料沉积在功函材料上以填充特征定义，其中通过使具有式MXY的至少一种金属卤化物前体反应沉积功函材料，其中M是钽，铪，钛和 镧，X是选自氟，氯，溴或碘的卤化物，y为3〜5。