公开(公告)号：US08072028B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12605933

申请日：2009-10-26

申请人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

发明人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811

摘要： A transistor component and method of forming a transistor component. One embodiment provides a semiconductor arrangement including a semiconductor body having a at least one first trench, a first field electrode arranged in the lower trench section of the at least one first trench and being insulated from the semiconductor body by a field electrode dielectric. A dielectric layer is formed on the first field electrode in the at least one first trench, including depositing a dielectric material on a first side of the semiconductor body and on the field plate at a higher deposition rate than on sidewalls of the at least one first trench.

摘要翻译： 晶体管元件及形成晶体管元件的方法。 一个实施例提供一种半导体装置，其包括半导体本体，该半导体本体具有至少一个第一沟槽，第一场电极，布置在至少一个第一沟槽的下沟槽部分中，并且通过场电极电介质与半导体本体绝缘。 在所述至少一个第一沟槽中的所述第一场电极上形成电介质层，包括在所述半导体主体的第一侧和所述场板上以比所述至少一个第一沟槽的侧壁更高的沉积速率沉积介电材料 沟。

公开(公告)号：US08889512B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13281829

申请日：2011-10-26

申请人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

发明人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811

摘要： A transistor component and method of forming a transistor component. One embodiment provides a semiconductor arrangement including a semiconductor body having a at least one first trench, a first field electrode arranged in the lower trench section of the at least one first trench and being insulated from the semiconductor body by a field electrode dielectric. A dielectric layer is formed on the first field electrode in the at least one first trench, including depositing a dielectric material on a first side of the semiconductor body and on the field plate at a higher deposition rate than on sidewalls of the at least one first trench.

摘要翻译： 晶体管元件及形成晶体管元件的方法。 一个实施例提供一种半导体装置，其包括半导体本体，该半导体本体具有至少一个第一沟槽，第一场电极，布置在至少一个第一沟槽的下沟槽部分中，并且通过场电极电介质与半导体本体绝缘。 在所述至少一个第一沟槽中的所述第一场电极上形成电介质层，包括在所述半导体主体的第一侧和所述场板上以比所述至少一个第一沟槽的侧壁更高的沉积速率沉积介电材料 沟。

公开(公告)号：US20120040505A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13281829

申请日：2011-10-26

申请人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

发明人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811

摘要： A transistor component and method of forming a transistor component. One embodiment provides a semiconductor arrangement including a semiconductor body having a at least one first trench, a first field electrode arranged in the lower trench section of the at least one first trench and being insulated from the semiconductor body by a field electrode dielectric. A dielectric layer is formed on the first field electrode in the at least one first trench, including depositing a dielectric material on a first side of the semiconductor body and on the field plate at a higher deposition rate than on sidewalls of the at least one first trench.

摘要翻译： 晶体管元件及形成晶体管元件的方法。 一个实施例提供一种半导体装置，其包括半导体本体，该半导体本体具有至少一个第一沟槽，第一场电极，布置在至少一个第一沟槽的下沟槽部分中，并且通过场电极电介质与半导体本体绝缘。 在所述至少一个第一沟槽中的所述第一场电极上形成电介质层，包括在所述半导体主体的第一侧和所述场板上以比所述至少一个第一沟槽的侧壁更高的沉积速率沉积介电材料 沟。

公开(公告)号：US20110095360A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12605933

申请日：2009-10-26

申请人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

发明人： Joachim Krumrey ,  Gerhard Noebauer ,  Martin Poelzl ,  Marc Probst

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811

摘要： A transistor component and method of forming a transistor component. One embodiment provides a semiconductor arrangement including a semiconductor body having a at least one first trench, a first field electrode arranged in the lower trench section of the at least one first trench and being insulated from the semiconductor body by a field electrode dielectric. A dielectric layer is formed on the first field electrode in the at least one first trench, including depositing a dielectric material on a first side of the semiconductor body and on the field plate at a higher deposition rate than on sidewalls of the at least one first trench.

摘要翻译： 晶体管元件及形成晶体管元件的方法。 一个实施例提供一种半导体装置，其包括半导体本体，该半导体本体具有至少一个第一沟槽，第一场电极，布置在至少一个第一沟槽的下沟槽部分中，并且通过场电极电介质与半导体本体绝缘。 在所述至少一个第一沟槽中的所述第一场电极上形成电介质层，包括在所述半导体主体的第一侧和所述场板上以比所述至少一个第一沟槽的侧壁更高的沉积速率沉积介电材料 沟。

公开(公告)号：US20070018338A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11489720

申请日：2006-07-20

申请人： Khalil Hosseini ,  Joachim Krumrey ,  Joachim Mahler ,  Gerhard Noebauer

发明人： Khalil Hosseini ,  Joachim Krumrey ,  Joachim Mahler ,  Gerhard Noebauer

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85805 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455

摘要： A connection element is arranged on a connection area of a semiconductor component. The connection element includes at least one bonding wire portion fixed on the connection area. The connection area is covered by an electrically conductive material, the fixed bonding wire portion being surrounded or embedded by the electrically conductive material.

摘要翻译： 连接元件布置在半导体部件的连接区域上。 连接元件包括固定在连接区域上的至少一个接合线部分。 连接区域由导电材料覆盖，固定的接合线部分被导电材料包围或嵌入。

公开(公告)号：US08581371B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US11489720

申请日：2006-07-20

申请人： Khalil Hosseini ,  Joachim Krumrey ,  Joachim Mahler ,  Gerhard Noebauer

发明人： Khalil Hosseini ,  Joachim Krumrey ,  Joachim Mahler ,  Gerhard Noebauer

IPC分类号： H01L39/00

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85805 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455

摘要： A connection element is arranged on a connection area of a semiconductor component. The connection element includes at least one bonding wire portion fixed on the connection area. The connection area is covered by an electrically conductive material, the fixed bonding wire portion being surrounded or embedded by the electrically conductive material.

摘要翻译： 连接元件布置在半导体部件的连接区域上。 连接元件包括固定在连接区域上的至少一个接合线部分。 连接区域由导电材料覆盖，固定的接合线部分被导电材料包围或嵌入。

公开(公告)号：US20080265320A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12019271

申请日：2008-01-24

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/063 ,  H03K17/567

摘要： A component arrangement including a MOS transistor having a field electrode is disclosed. One embodiment includes a gate electrode, a drift zone and a field electrode, arranged adjacent to the drift zone and dielectrically insulated from the drift zone by a dielectric layer a charging circuit, having a rectifier element connected between the gate electrode and the field electrode.

摘要翻译： 公开了一种包括具有场电极的MOS晶体管的部件布置。 一个实施例包括栅极，漂移区和场电极，其布置成与漂移区相邻并且通过介电层与漂移区介电绝缘，该充电电路具有连接在栅电极和场电极之间的整流元件。

公开(公告)号：US08120161B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US11733658

申请日：2007-04-10

申请人： Ralf Otremba ,  Lutz Goergens ,  Gerhard Noebauer ,  Tien Lai Tan ,  Erwin Huber ,  Marco Puerschel ,  Gilles Delarozee ,  Markus Dinkel

发明人： Ralf Otremba ,  Lutz Goergens ,  Gerhard Noebauer ,  Tien Lai Tan ,  Erwin Huber ,  Marco Puerschel ,  Gilles Delarozee ,  Markus Dinkel

IPC分类号： H01L27/88

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

摘要： A component includes a first semiconductor chip attached to a first carrier and second semiconductor chip attached to a second carrier. The first carrier has a first extension, which forms a first external contact element. The second carrier has a second extension, which forms a second external contact element. The first and the second carriers are arranged in such a way that the first and the second extension point in different directions.

摘要翻译： 组件包括附接到第一载体的第一半导体芯片和附接到第二载体的第二半导体芯片。 第一载体具有第一延伸部，其形成第一外部接触元件。 第二载体具有第二延伸部，其形成第二外部接触元件。 第一和第二载体以不同方向的第一和第二延伸点的方式布置。

公开(公告)号：US07709891B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US12019271

申请日：2008-01-24

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/063 ,  H03K17/567

摘要： A component arrangement. One embodiment includes a power semiconductor component having a drift zone arranged between a first and a second component zone. A drift control zone is arranged adjacent to the drift zone and is dielectrically insulated from the drift zone by a dielectric layer. A capacitive storage arrangement is coupled to the drift control zone. A charging circuit is coupled between the first component zone and the capacitive storage arrangement.

摘要翻译： 组件安排。 一个实施例包括具有布置在第一和第二组件区之间的漂移区的功率半导体组件。 漂移控制区域布置成与漂移区相邻并且通过介电层与漂移区介电绝缘。 电容存储装置耦合到漂移控制区。 充电电路耦合在第一组件区域和电容存储装置之间。

公开(公告)号：US20080251859A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11733658

申请日：2007-04-10

申请人： Ralf Otremba ,  Lutz Goergens ,  Gerhard Noebauer ,  Charlie Tan Tien Lai ,  Erwin Huber ,  Marco Puerschel ,  Gilles Delarozee ,  Markus Dinkel

发明人： Ralf Otremba ,  Lutz Goergens ,  Gerhard Noebauer ,  Charlie Tan Tien Lai ,  Erwin Huber ,  Marco Puerschel ,  Gilles Delarozee ,  Markus Dinkel

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/58 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

摘要： A component includes a first semiconductor chip attached to a first carrier and second semiconductor chip attached to a second carrier. The first carrier has a first extension, which forms a first external contact element. The second carrier has a second extension, which forms a second external contact element. The first and the second carriers are arranged in such a way that the first and the second extension point in different directions.

摘要翻译： 组件包括附接到第一载体的第一半导体芯片和附接到第二载体的第二半导体芯片。 第一载体具有第一延伸部，其形成第一外部接触元件。 第二托架具有第二延伸部，其形成第二外部接触元件。 第一和第二载体以不同方向的第一和第二延伸点的方式布置。