公开(公告)号：US4234367A

公开(公告)日：1980-11-18

申请号：US23112

申请日：1979-03-23

申请人： Lester W. Herron ,  Raj N. Master ,  Rao R. Tummala

发明人： Lester W. Herron ,  Raj N. Master ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： H05K3/46 ,  C03C10/00 ,  C03C27/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/52 ,  H05K1/00 ,  H05K1/03 ,  B32B31/24 ,  C03B32/00 ,  C04B39/00

CPC分类号： C03C10/0045 ,  C03C10/00 ,  C03C27/00 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/4867 ,  H01L2924/01078 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4676

摘要： The formation of sintered glass-ceramic substrates containing multi-level, interconnected thick-film circuit patterns of copper-based conductors obtained by firing in a controlled ambient of hydrogen and H.sub.2 O at temperatures below the melting point of copper.

摘要翻译： 形成烧结的玻璃 - 陶瓷衬底，其包含铜基导体的多层互连厚膜电路图案，其通过在低于铜熔点的温度下在受控环境的氢气和H 2 O中进行烧制获得。

公开(公告)号：US4504340A

公开(公告)日：1985-03-12

申请号：US517533

申请日：1983-07-26

申请人： Rao R. Tummala ,  Raj N. Master

发明人： Rao R. Tummala ,  Raj N. Master

IPC分类号： B41J2/425 ,  B41J2/32 ,  H01L49/02 ,  C03B29/00 ,  B32B31/00 ,  C04B33/34 ,  C04B37/00

CPC分类号： H01L49/02 ,  Y10T156/1041 ,  Y10T156/1056 ,  Y10T156/1057

摘要： A method for fabricating a molecular matrix print head for use in nonimpact electrolytic printers. Green ceramic sheets are stacked and laminated, then embossed with insulators and screened with ruthenium dioxide. The assembly is then co-sintered at less than 1000.degree. C. and the resulting structure smoothed by lapping and finished in a convention fashion.

摘要翻译： 一种制造用于非电解电解打印机的分子矩阵打印头的方法。 将绿色陶瓷片堆叠并层压，然后用绝缘体压花并用二氧化钌屏蔽。 然后将组件在小于1000℃下共烧结，并且所得到的结构通过研磨平整并以常规方式完成。

公开(公告)号：US20130270695A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13825815

申请日：2011-09-20

申请人： Pulugurtha Markondeya Raj ,  Nitesh Kumbhat ,  Venky Sundaraman ,  Rao R. Tummala ,  Xian Qin

发明人： Pulugurtha Markondeya Raj ,  Nitesh Kumbhat ,  Venky Sundaraman ,  Rao R. Tummala ,  Xian Qin

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4007 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： The various embodiments of the present invention provide a stress-relieving, second-level interconnect structure that is low-cost and accommodates TCE mismatch between low-TCE packages and PCBs. The various embodiments of the interconnect structure are reworkable and can be scaled to pitches from about 1 millimeter (mm) to about 150 micrometers (μm). The interconnect structure comprises at least a first pad, a supporting pillar, and a solder bump, wherein the first pad and supporting pillar are operative to absorb substantially all plastic strain, therefore enhancing compliance between the two electronic components. The versatility, scalability, and stress-relieving properties of the interconnect structure of the present invention make it a desirable structure to utilize in current two-dimensional and ever-evolving three-dimensional IC structures.

摘要翻译： 本发明的各种实施例提供了一种应力消除的二级互连结构，其低成本并且适应低TCE封装和PCB之间的TCE不匹配。 互连结构的各种实施例是可再加工的，并且可以缩放到约1毫米（mm）至约150微米（母体）的间距。 所述互连结构至少包括第一焊盘，支撑柱和焊料凸块，其中所述第一焊盘和支撑柱可操作以吸收基本上所有的塑性应变，从而提高所述两个电子部件之间的顺应性。 本发明的互连结构的多功能性，可扩展性和应力消除特性使其成为在目前的二维和不断发展的三维IC结构中使用的理想结构。

公开(公告)号：US4224627A

公开(公告)日：1980-09-23

申请号：US53147

申请日：1979-06-28

申请人： Jimmie L. Powell ,  Rao R. Tummala

发明人： Jimmie L. Powell ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： C03C3/062 ,  B41J2/135 ,  B41J2/16 ,  C03C3/066 ,  C03C3/074 ,  C03C3/078 ,  C03C3/085 ,  C03C3/17 ,  C03C3/19 ,  C03C4/00 ,  C03C8/24 ,  C03C3/10 ,  C03C3/08 ,  C03C3/16 ,  G01D15/18

CPC分类号： B41J2/1632 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  C03C3/066 ,  C03C3/074 ,  C03C3/0745 ,  C03C3/17 ,  C03C8/24 ,  C03C8/245

摘要： A seal glass for unitizing an array of glass nozzles of an ink jet printer. The seal glasses are corrosion resistant to alkaline and acidic inks, and have low softening points, medium high expansivities and anneal points and are compatible with the nozzle glasses.

摘要翻译： 一种用于将喷墨打印机的玻璃喷嘴阵列组合的密封玻璃。 密封眼镜对碱性和酸性油墨具有耐腐蚀性，具有低软化点，中等高膨胀度和退火点，并与喷嘴眼镜兼容。

公开(公告)号：US3982918A

公开(公告)日：1976-09-28

申请号：US572036

申请日：1975-04-28

申请人： Rudolf G. Frieser ,  Jimmie L. Powell ,  Rao R. Tummala

发明人： Rudolf G. Frieser ,  Jimmie L. Powell ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： C03B1/00 ,  C03B5/00 ,  C03C3/074 ,  C03C6/00 ,  C03C8/10 ,  C03C8/24 ,  C03C27/00 ,  C03B9/00 ,  C03B5/16 ,  C03B23/20 ,  C03C3/00

CPC分类号： C03C27/00 ,  C03C3/0745 ,  C03C8/24

摘要： A copper oxide containing seal glass is formed by a controlled low temperature process which reduces the formation of seeds in the glass. In one embodiment the glass is prepared in two portions with the first portion containing the high melting oxides and the second portion containing the low melting oxides. The copper oxide is added to the second portion and the two portions are combined to form the seal glass at temperatures below about 800.degree.C which reduces the formation of Cu.sub.2 O crystals in the glass.

摘要翻译： 含铜氧化铜的密封玻璃通过控制的低温工艺形成，这减少了玻璃中种子的形成。 在一个实施方案中，玻璃制备成两部分，第一部分含有高熔点氧化物，第二部分含有低熔点氧化物。 将氧化铜加入到第二部分中，并且将两部分组合以在低于约800℃的温度下形成密封玻璃，这降低了玻璃中Cu2O晶体的形成。

公开(公告)号：US08536695B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13415503

申请日：2012-03-08

申请人： Fuhan Liu ,  Nitesh Kumbhat ,  Venkatesh Sundaram ,  Rao R. Tummala

发明人： Fuhan Liu ,  Nitesh Kumbhat ,  Venkatesh Sundaram ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/4763 ,  H05K1/00 ,  H05K1/03

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599

摘要： The various embodiments of the present invention provide a novel chip-last embedded structure, wherein an IC is embedded within a one to two metal layer substrate. The various embodiments of the present invention are comparable to other two-dimensional and three-dimensional WLFO packages of the prior art as the embodiments have similar package thicknesses and X-Y form factors, short interconnect lengths, fine-pitch interconnects to chip I/Os, a reduced layer count for re-distribution of chip I/O pads to ball grid arrays (BGA) or land grid arrays (LGA), and improved thermal management options.

摘要翻译： 本发明的各种实施例提供了一种新颖的芯片最后嵌入式结构，其中IC嵌入在一至两个金属层基板内。 本发明的各种实施例与现有技术的其它二维和三维WLFO封装相当，因为实施例具有类似的封装厚度和XY形状因子，短互连长度，到芯片I / O的精细间距互连， 用于将芯片I / O焊盘重新分配到球栅阵列（BGA）或焊盘阵列（LGA）的降低的层数，以及改进的热管理选项。

公开(公告)号：US5304517A

公开(公告)日：1994-04-19

申请号：US11577

申请日：1993-02-01

申请人： Jon A. Casey ,  Sylvia M. DeCarr ,  Srinivasa S. N. Reddy ,  Subhash L. Shinde ,  Vivek M. Sura ,  Rao R. Tummala

发明人： Jon A. Casey ,  Sylvia M. DeCarr ,  Srinivasa S. N. Reddy ,  Subhash L. Shinde ,  Vivek M. Sura ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： C03C14/00 ,  C04B35/195 ,  H01L23/08 ,  C03C8/18

CPC分类号： C03C14/004 ,  C03C2214/08 ,  C03C2214/20

摘要： A sintering process is described using a glass-ceramic slurry containing an alloy powder or flakes selected from a group of alloys consisting of:______________________________________ Fe--Cr Cu--Ti Fe--Cr--Ni Ag--Ti Cr--Al Nb--Al Ni--Cr Cu--Al Ni--Al Cu--Al--Cr Fe--Al ______________________________________ The slurry is molded and later is sintered in a steam atmosphere at a temperature of about 1000.degree. C. to yield a glass-ceramic substrate toughened against crack propagation and useful in the packaging of semi-conductor device chips.

摘要翻译： 使用包含合金粉末或选自由以下组成的合金的薄片的玻璃 - 陶瓷浆料来描述烧结工艺：-Fe-CrCu-Ti-Fe-Cr-NiAg-Ti-Cr-AlNb-Al-Ni-CrCu -Al-Ni-AlCu-Al-Cr-Fe-Al-该浆料被模制，随后在约1000℃的温度下在蒸汽气氛中烧结，以产生增韧的抗裂纹扩展的玻璃陶瓷基体，并且可用于 半导体器件芯片的封装。

公开(公告)号：US4122460A

公开(公告)日：1978-10-24

申请号：US823253

申请日：1977-08-10

申请人： James N. Humenik ,  Jimmie L. Powell ,  Rao R. Tummala

发明人： James N. Humenik ,  Jimmie L. Powell ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： B41J2/135 ,  B41J2/16 ,  C03C3/076 ,  C03C3/087 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C4/20 ,  G01D15/18 ,  C03C13/00 ,  C03C27/00

CPC分类号： B41J2/1632 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  C03C3/076 ,  C03C3/087 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C4/20

摘要： The lifetime of multiple capillary nozzle assemblies embedded in a glass mass, of a multiple nozzle ink-jet printer, can be increased and the thermal and mechanical compatibility of the resulting package enhanced by fabrication of the nozzles from glass compositions comprised of SiO.sub.2, ZrO.sub.2, Na.sub.2 O, K.sub.2 O and MgO. Inclusion of ZrO.sub.2 as well as minor amounts of BaO, MgO, CaO, and Al.sub.2 O.sub.3 enhances the alkali resistance of the glass nozzles. Also, the high SiO.sub.2 content of the glasses combined with the presence of ZrO.sub.2, MgO, CaO, and Al.sub.2 O.sub.3 imparts an acid resistance to the nozzles.

摘要翻译： 可以增加嵌入在多喷嘴喷墨打印机的玻璃块中的多个毛细管喷嘴组件的寿命，并且通过从由SiO 2，ZrO 2，ZrO 2等组成的玻璃组合物制造喷嘴来增强所得包装的热和机械相容性， Na2O，K2O和MgO。 包含ZrO 2以及少量的BaO，MgO，CaO和Al 2 O 3可提高玻璃喷嘴的耐碱性。 此外，玻璃的高SiO 2含量与ZrO 2，MgO，CaO和Al 2 O 3的存在相结合，赋予喷嘴耐酸性。

公开(公告)号：US20120104603A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13383727

申请日：2010-07-13

申请人： Nitesh Kumbhat ,  Abhishek Choudhury ,  Venky Sundaraman ,  Rao R. Tummala

发明人： Nitesh Kumbhat ,  Abhishek Choudhury ,  Venky Sundaraman ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/305 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The various embodiments of the present invention provide fine pitch, chip-to-substrate interconnect assemblies, as well as methods of making and using the assemblies. The assemblies generally include a semiconductor having a die pad and a bump disposed thereon and a substrate having a substrate pad disposed thereon. The bump is configured to electrically interconnect at least a portion of the semiconductor with at least a portion of the substrate when the bump is contacted with the substrate pad. In addition, when the bump is contacted to the substrate pad, at least a portion of the bump and at least a portion of the substrate pad are deformed so as to create a non-metallurgical bond therebetween.

摘要翻译： 本发明的各种实施例提供细间距，芯片到衬底互连组件，以及制造和使用组件的方法。 组件通常包括具有管芯焊盘和设置在其上的凸块的半导体和其上设置有衬底焊盘的衬底。 凸起构造成当凸块与衬底焊盘接触时将半导体的至少一部分与衬底的至少一部分电互连。 此外，当凸块与衬底焊盘接触时，凸起的至少一部分和衬底焊盘的至少一部分变形，从而在它们之间产生非冶金结合。

公开(公告)号：US07556189B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11138011

申请日：2005-05-26

申请人： Ankur Aggarwal ,  Isaac Robin Abothu ,  Pulugurtha Markondeya Raj ,  Rao R. Tummala

发明人： Ankur Aggarwal ,  Isaac Robin Abothu ,  Pulugurtha Markondeya Raj ,  Rao R. Tummala

IPC分类号： H01L21/02 ,  B05D1/00

CPC分类号： H01L21/2885 ,  B23K35/007 ,  B23K35/262 ,  B23K35/34 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311

摘要： Nano-structured interconnect formation and a reworkable bonding process using solder films. Large area fabrication of nano-structured interconnects is demonstrated at a very fine pitch. This technology can be used for pushing the limits of current flip chip bonding in terms of pitch, number of I/Os, superior combination of electrical and mechanical properties as well as reworkability. Sol-gel and electroless processes were developed to demonstrate film bonding interfaces between metallic pads and nano interconnects. Solution-derived nano-solder technology is an attractive low-cost method for several applications such as MEMS hermetic packaging, compliant interconnect bonding and bump-less nano-interconnects.

摘要翻译： 纳米结构的互连结构和使用焊料薄膜的可再结合的焊接工艺。 纳米结构互连的大面积制造以非常细的间距示出。 该技术可用于推动当前倒装芯片接合的极限，其间距，I / O数量，电气和机械性能的优异组合以及可再加工性。 开发了溶胶 - 凝胶和无电工艺，以证明金属焊盘和纳米互连之间的膜结合界面。 解决方案衍生的纳米焊料技术是MEMS密封封装，兼容互连接合和无凸点纳米互连等多种应用的有吸引力的低成本方法。