公开(公告)号：US08598716B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US11210723

申请日：2005-08-24

申请人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer

发明人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： The present invention provides an apparatus having stacked semiconductor components. Two semiconductor components (21, 26) are arranged such that their contact regions (28, 22) are opposite one another. A contact-connection device (29) forms a short electrical connection between the two contact regions (28, 22). The contact regions (28, 22) are connected to external contact regions (36) of the apparatus via a rewiring (23).

摘要翻译： 本发明提供一种具有层叠半导体元件的装置。 两个半导体部件（21,26）被布置成使得它们的接触区域（28,22）彼此相对。 接触连接装置（29）在两个接触区域（28,22）之间形成短路电连接。 接触区域（28,22）经由重新布线（23）连接到设备的外部接触区域（36）。

公开(公告)号：US07274107B2

公开(公告)日：2007-09-25

申请号：US11038465

申请日：2005-01-21

申请人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Andreas Wolter

发明人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Andreas Wolter

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to semiconductor devices. According to the present invention a semiconductor device is described, comprising: a substrate for carrying a semiconductor chip on a first surface of said substrate; said semiconductor chip being punctually attached to said substrate on said first surface of said substrate via a single attachment point; and means for protecting said semiconductor chip on said first surface of said substrate at least protecting said semiconductor chip laterally.

摘要翻译： 本发明涉及半导体器件。 根据本发明，描述了一种半导体器件，包括：用于在所述衬底的第一表面上承载半导体芯片的衬底; 所述半导体芯片通过单个连接点准时地附接到所述基板的所述第一表面上的所述基板; 以及用于保护所述衬底的所述第一表面上的所述半导体芯片至少保护所述半导体芯片的装置。

公开(公告)号：US07247948B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US10836143

申请日：2004-04-30

申请人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer

发明人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device has a semiconductor substrate, at least a first and second rewiring device on a first surface of the semiconductor substrate for the provision of an electrical contact-connection of the semiconductor substrate, and a tapering, continuous opening from a first surface to a second, opposite surface of the semiconductor substrate. At least a third and fourth rewiring device is disposed on the second surface of the semiconductor substrate and a patterned metallization on the side areas of the opening for the separate contact-connection of the first and at least the second rewiring device.

摘要翻译： 半导体器件具有半导体衬底，至少第一和第二重新布线装置在半导体衬底的第一表面上，用于提供半导体衬底的电接触连接，以及从第一表面到第二表面的渐缩连续的开口 第二，半导体衬底的相对表面。 至少第三和第四重新布线装置设置在半导体衬底的第二表面上，并且在开口的侧面区域上形成图案化金属化，用于第一和第二重新布线装置的单独接触连接。

公开(公告)号：US07208345B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US11126392

申请日：2005-05-11

申请人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler

发明人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A first reconstituted wafer is formed, followed by a first redistribution layer. In parallel, a second reconstituted wafer is formed. The second reconstituted wafer is diced along a gap such that individualized embedded chips are formed having tilted sidewalls defining an angle of more than 90 degrees with respect to the active surface of the reconstituted wafer. The embedded chips are placed with the backside on an active surface of the first reconstituted wafer on the first redistribution layer. Afterwards, a second redistribution layer is formed on the active surface of the embedded chips and tilted sidewalls wherein the second redistribution layer connects contact pads of the second chips with the first redistribution layer.

摘要翻译： 形成第一重构晶片，随后是第一再分配层。 平行地，形成第二重构晶片。 第二重构​​晶片沿着间隙被切割，使得个别化的嵌入式芯片形成为具有相对于重构的晶片的有效表面限定大于90度的角度的倾斜侧壁。 将嵌入式芯片的背面放置在第一再分配层上的第一重构晶片的有效表面上。 之后，在嵌入式芯片的有源表面和倾斜的侧壁上形成第二再分配层，其中第二再分配层将第二芯片的接触焊盘与第一再分布层连接。

公开(公告)号：US20050250304A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US10642092

申请日：2003-08-15

申请人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

发明人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166

摘要： A method for fabricating an integrated circuit connection region includes application of a dielectric to an integrated circuit with a connection region, application of a corrodible metalization layer to the dielectric, application of a protection device to the metalization layer, and removal of the protection device in a region around the connection region.

摘要翻译： 一种用于制造集成电路连接区域的方法包括将电介质施加到具有连接区域的集成电路，向电介质施加可腐蚀金属化层，向金属化层施加保护装置，以及将保护装置移除到 连接区域周围的区域。

公开(公告)号：US06905954B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10634242

申请日：2003-08-05

申请人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

发明人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/498 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： The present invention provides a method for producing a semiconductor device, with the steps of: applying an interconnect level (11, 12) to a semiconductor substrate (10); structuring the interconnect level (12); and applying a solder layer (13) on the structured interconnect level (11, 12) in such a way that the solder layer (13) assumes the structure of the interconnect level (11, 12). The present invention likewise provides such a semiconductor device.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：向半导体衬底（10）施加互连电平（11,12）。 构造互连级别（12）; 以及将所述焊料层（13）施加在所述结构化互连层（11,12）上，使得所述焊料层（13）呈现所述互连层（11,12）的结构。 本发明同样提供了这种半导体器件。

公开(公告)号：US06664176B2

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US09944796

申请日：2001-08-31

申请人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Stefan Ruckmich ,  Barbara Vasquez

发明人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Stefan Ruckmich ,  Barbara Vasquez

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

摘要： A method for forming printed re-routing for wafer level packaging, especially chip size packaging. The method includes forming a contact layer on a semiconductor die, printing a conductive redistribution structure on the contact layer, and etching the contact layer of the die by using the conductive redistribution structure as a self-aligning mask.

摘要翻译： 用于形成用于晶片级封装的印刷重新布线的方法，特别是芯片尺寸封装。 该方法包括在半导体管芯上形成接触层，在接触层上印刷导电再分布结构，并通过使用导电再分布结构作为自对准掩模来蚀刻管芯的接触层。

公开(公告)号：US20120235298A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13482431

申请日：2012-05-29

申请人： Markus Brunnbauer ,  Harry Hedler ,  Thorsten Meyer

发明人： Markus Brunnbauer ,  Harry Hedler ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An electronic device or devices and method for producing a device is disclosed. One embodiment provides an integrated component, a first package body and a contact device. The contact device penetrates the package body.

摘要翻译： 公开了一种用于制造装置的电子装置或装置及方法。 一个实施例提供集成部件，第一包装体和接触装置。 接触装置穿透包装体。

公开(公告)号：US08188585B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US11837118

申请日：2007-08-10

申请人： Markus Brunnbauer ,  Harry Hedler ,  Thorsten Meyer

发明人： Markus Brunnbauer ,  Harry Hedler ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An electronic device or devices and method for producing a device is disclosed. One embodiment provides an integrated component, a first package body and a contact device. The contact device penetrates the package body.

摘要翻译： 公开了一种用于制造装置的电子装置或装置及方法。 一个实施例提供集成部件，第一包装体和接触装置。 接触装置穿透包装体。

公开(公告)号：US20110285030A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13195333

申请日：2011-08-01

申请人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler ,  Markus Brunnbauer

发明人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for producing chip packages is disclosed. In one embodiment, a plurality of chips is provided. The chips each have first pads. Second connection pads are applied on the wafer, wherein each second pad is electrically connected to a first pad.

摘要翻译： 公开了一种生产芯片封装的方法。 在一个实施例中，提供多个芯片。 每个芯片都有第一个焊盘。 第二连接焊盘被施加在晶片上，其中每个第二焊盘电连接到第一焊盘。