公开(公告)号：US20120208319A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13453787

申请日：2012-04-23

申请人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L21/77 ,  B23K31/02 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A method of manufacturing a semiconductor package includes embedding a semiconductor chip in an encapsulant. First contact pads are formed on a first main face of the semiconductor package and second contact pads are formed on a second main face of the semiconductor package opposite the first main face. A diameter d in micrometers of an exposed contact pad area of the second contact pads satisfies d≧(8/25)x+142 μm, where x is a pitch of the second contact pads in micrometers.

摘要翻译： 制造半导体封装的方法包括将半导体芯片嵌入密封剂中。 第一接触焊盘形成在半导体封装的第一主面上，并且第二接触焊盘形成在与第一主面相对的半导体封装的第二主面上。 第二接触焊盘的暴露的接触焊盘区域的直径d（以微米为单位）满足d≥（8/25）×+142μm，其中x是以微米为单位的第二接触焊盘的间距。

公开(公告)号：US08183696B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12750946

申请日：2010-03-31

申请人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor package includes a semiconductor chip, an encapsulant embedding the semiconductor chip, first contact pads on a first main face of the semiconductor package and second contact pads on a second main face of the semiconductor package opposite to the first main face. The diameter d in micrometers of an exposed contact pad area of the second contact pads satisfies d≧(8/25)x+142 μm, wherein x is the pitch of the second contact pads in micrometers.

摘要翻译： 半导体封装包括半导体芯片，将半导体芯片嵌入的密封剂，在半导体封装的第一主面上的第一接触焊盘和与第一主面相对的半导体封装的第二主面上的第二接触焊盘。 第二接触焊盘的暴露的接触焊盘区域的直径d（以微米为单位）满足d≥（8/25）×+142μm，其中x是以微米为单位的第二接触焊盘的间距。

公开(公告)号：US20110241218A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12750946

申请日：2010-03-31

申请人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/78 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor package includes a semiconductor chip, an encapsulant embedding the semiconductor chip, first contact pads on a first main face of the semiconductor package and second contact pads on a second main face of the semiconductor package opposite to the first main face. The diameter d in micrometers of an exposed contact pad area of the second contact pads satisfies d≧(8/25)x+142 μm, wherein x is the pitch of the second contact pads in micrometers.

摘要翻译： 半导体封装包括半导体芯片，将半导体芯片嵌入的密封剂，在半导体封装的第一主面上的第一接触焊盘和与第一主面相对的半导体封装的第二主面上的第二接触焊盘。 第二接触焊盘的暴露的接触焊盘区域的直径d（以微米为单位）满足d≥（8/25）×+142μm，其中x是以微米为单位的第二接触焊盘的间距。

公开(公告)号：US08741690B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13453787

申请日：2012-04-23

申请人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A method of manufacturing a semiconductor package includes embedding a semiconductor chip in an encapsulant. First contact pads are formed on a first main face of the semiconductor package and second contact pads are formed on a second main face of the semiconductor package opposite the first main face. A diameter d in micrometers of an exposed contact pad area of the second contact pads satisfies d≧(8/25)x+142 μm, where x is a pitch of the second contact pads in micrometers.

摘要翻译： 制造半导体封装的方法包括将半导体芯片嵌入密封剂中。 第一接触焊盘形成在半导体封装的第一主面上，并且第二接触焊盘形成在与第一主面相对的半导体封装的第二主面上。 第二接触焊盘的暴露的接触焊盘区域的直径d（以微米为单位）满足d≥（8/25）×+142μm，其中x是以微米为单位的第二接触焊盘的间距。

公开(公告)号：US08878360B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13548705

申请日：2012-07-13

申请人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Sven Albers

发明人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Sven Albers

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/561 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A stacked semiconductor device and method of manufacturing a stacked semiconductor device are described. The semiconductor device may include a reconstituted base layer having a plurality of embedded semiconductor chips. A first redistribution layer may contact the electrically conductive contacts of the embedded chips and extend beyond the boundary of one or more of the embedded chips, forming a fan-out area. Another chip may be stacked above the chips embedded in the base layer and be electrically connected to the embedded chips by a second redistribution layer. Additional layers of chips may be included in the semiconductor device.

摘要翻译： 对叠层半导体器件及其制造方法进行说明。 半导体器件可以包括具有多个嵌入式半导体芯片的复原基底层。 第一再分配层可以接触嵌入式芯片的导电触点并且延伸超过一个或多个嵌入式芯片的边界，形成扇出区域。 另外的芯片可以堆叠在嵌入在基底层中的芯片之上，并通过第二再分布层与嵌入式芯片电连接。 芯片的附加层可以包括在半导体器件中。

公开(公告)号：US09056763B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14039157

申请日：2013-09-27

申请人： Christian Geissler ,  Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Mahnkopf ,  Andreas Augustin ,  Christian Mueller

发明人： Christian Geissler ,  Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Mahnkopf ,  Andreas Augustin ,  Christian Mueller

IPC分类号： H01L23/02 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81C1/00666 ,  B81B7/0054 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00349 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0154 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73277 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Stress buffer layers for integrated microelectromechanical systems (MEMS) are described. For example, a semiconductor package includes a substrate having first and second surfaces, the second surface having an array of external conductive contacts. A microelectromechanical system (MEMS) component is disposed above the first surface of the substrate. A buffer layer is disposed above the MEMS component, the buffer layer having a first Young's modulus. A mold compound is disposed above the buffer layer, the mold compound having a second Young's modulus higher than the first Young's modulus.

摘要翻译： 描述了用于集成微机电系统（MEMS）的应力缓冲层。 例如，半导体封装包括具有第一和第二表面的衬底，第二表面具有外部导电触点阵列。 微机电系统（MEMS）部件设置在基板的第一表面上方。 缓冲层设置在MEMS部件上方，缓冲层具有第一杨氏模量。 模具化合物设置在缓冲层上方，模塑料具有高于第一杨氏模量的第二杨氏模量。

公开(公告)号：US20140138827A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14164289

申请日：2014-01-27

申请人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Bernd Waidhas

发明人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Bernd Waidhas

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： According to various embodiments, a flip chip package structure is provided in which a redistribution layer (RDL) is disposed on a surface of both a semiconductor chip and one or more lateral extensions of the semiconductor chip surface. The lateral extensions may be made using, e.g., a reconstituted wafer to implement a fanout region lateral to one or more sides of the semiconductor chip. One or more electrical connectors such as solder bumps or copper cylinders may be applied to the RDL, and an interposer such as a PCB interposer may be connected to the electrical connectors. In this way, a relatively tight semiconductor pad pitch may be accommodated and translated to an appropriate circuit board pitch without necessarily requiring a silicon or glass interposer.

摘要翻译： 根据各种实施例，提供了一种倒装芯片封装结构，其中再分配层（RDL）设置在半导体芯片和半导体芯片表面的一个或多个侧向延伸部分的表面上。 横向延伸部可以使用例如重构的晶片来实现半导体芯片的一个或多个侧面的横向扇出区域。 可以将一个或多个电连接器（例如焊料凸块或铜圆筒）施加到RDL，并且诸如PCB插入器的插入件可以连接到电连接器。 以这种方式，可以容纳相对紧凑的半导体衬垫间距并将其转换成适当的电路板间距，而不需要硅或玻璃插入件。

公开(公告)号：US08076180B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12168255

申请日：2008-07-07

申请人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner

发明人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： Repairable semiconductor device and method. In one embodiment a method, provides a first body having a first semiconductor chip and a first metal layer. A second body includes a second semiconductor chip and a second metal layer. Metal of the first metal layer is removed. The first semiconductor chip is removed from the first body. The second body is attached to the first body. The first metal layer is electrically coupled to the second metal layer.

摘要翻译： 可修复的半导体器件和方法。 在一个实施例中，一种方法提供了具有第一半导体芯片和第一金属层的第一主体。 第二主体包括第二半导体芯片和第二金属层。 第一金属层的金属被去除。 第一半导体芯片从第一主体移除。 第二个身体连接到第一个身体。 第一金属层电耦合到第二金属层。

公开(公告)号：US20100001396A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12168255

申请日：2008-07-07

申请人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner

发明人： Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： Repairable semiconductor device and method. In one embodiment a method, provides a first body having a first semiconductor chip and a first metal layer. A second body includes a second semiconductor chip and a second metal layer. Metal of the first metal layer is removed. The first semiconductor chip is removed from the first body. The second body is attached to the first body. The first metal layer is electrically coupled to the second metal layer.

摘要翻译： 可修复的半导体器件和方法。 在一个实施例中，一种方法提供了具有第一半导体芯片和第一金属层的第一主体。 第二主体包括第二半导体芯片和第二金属层。 第一金属层的金属被去除。 第一半导体芯片从第一主体移除。 第二个身体连接到第一个身体。 第一金属层电耦合到第二金属层。

公开(公告)号：US10903166B2

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：US16060918

申请日：2016-01-28

申请人： Sanka Ganesan ,  Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner ,  Intel IP Corporation

发明人： Sanka Ganesan ,  Thorsten Meyer ,  Gerald Ofner

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/532 ,  H01L21/66 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065

摘要： Disclosed herein are integrated circuit (IC) packages, and related structures and techniques. In some embodiments, an IC package may include: a die; a redistribution structure, wherein the die is coupled to the redistribution structure via first-level interconnects and solder; a solder resist; and second-level interconnects coupled to the redistribution structure through openings in the solder resist.