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    GAS MIXING METHOD REALIZED BY BACK DIFFUSION IN A PECVD SYSTEM WITH SHOWERHEAD
    1.
    发明申请
    GAS MIXING METHOD REALIZED BY BACK DIFFUSION IN A PECVD SYSTEM WITH SHOWERHEAD 有权
    在具有淋浴的PECVD系统中通过反扩散实现的气体混合方法

    公开(公告)号：US20110053356A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12553007

    申请日：2009-09-02

    申请人： Xiesen Yang ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

    发明人： Xiesen Yang ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

    IPC分类号： H01L21/205

    CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods of forming a microcrystalline silicon layer on a substrate in a deposition chamber. In, one embodiment, the method includes flowing a processing gas into a diffuser region between a backing plate and a showerhead of the deposition chamber, flowing the processing gas through a plurality of holes in the showerhead and into a process volume between the showerhead and a substrate support in the deposition chamber, igniting a plasma in the process volume, back-flowing gas ions formed in the plasma through the plurality of holes in the showerhead and into the diffuser region, mixing the gas ions and the processing gas in the diffuser region, re-flowing the gas ions and processing gas through the plurality of holes in the showerhead and into the process volume, and depositing a microcrystalline silicon layer on the substrate.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及在沉积室中的衬底上形成微晶硅层的方法。 在一个实施例中，该方法包括将处理气体流入到沉积室的背板和喷头之间的扩散器区域中，使处理气体通过喷头中的多个孔流入喷头和喷淋头之间的过程体积 在沉积室中的基板支撑件，点燃处理体积中的等离子体，在等离子体中形成的回流气体离子通过喷头中的多个孔并进入扩散器区域，将气体离子和处理气体混合在扩散器区域 使气体离子和处理气体再次流过喷头中的多个孔并进入处理体积，并在基底上沉积微晶硅层。

    Gas mixing method realized by back diffusion in a PECVD system with showerhead
    2.
    发明授权
    Gas mixing method realized by back diffusion in a PECVD system with showerhead 有权
    在具有喷头的PECVD系统中通过反向扩散实现的气体混合方法

    公开(公告)号：US08026157B2

    公开(公告)日：2011-09-27

    申请号：US12553007

    申请日：2009-09-02

    申请人： Xiesen Yang ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

    发明人： Xiesen Yang ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H05H1/24

    CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods of forming a microcrystalline silicon layer on a substrate in a deposition chamber. In, one embodiment, the method includes flowing a processing gas into a diffuser region between a backing plate and a showerhead of the deposition chamber, flowing the processing gas through a plurality of holes in the showerhead and into a process volume between the showerhead and a substrate support in the deposition chamber, igniting a plasma in the process volume, back-flowing gas ions formed in the plasma through the plurality of holes in the showerhead and into the diffuser region, mixing the gas ions and the processing gas in the diffuser region, re-flowing the gas ions and processing gas through the plurality of holes in the showerhead and into the process volume, and depositing a microcrystalline silicon layer on the substrate.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及在沉积室中的衬底上形成微晶硅层的方法。 在一个实施例中，该方法包括使处理气体流动到沉积室的背板和喷头之间的扩散器区域中，使处理气体流过喷头中的多个孔并进入喷淋头和喷头之间的处理容积 在沉积室中的基板支撑件，点燃处理体积中的等离子体，在等离子体中形成的回流气体离子通过喷头中的多个孔并进入扩散器区域，将气体离子和处理气体混合在扩散器区域 使气体离子和处理气体再次流过喷头中的多个孔并进入处理体积，并在基底上沉积微晶硅层。

    REACTIVE SPUTTER DEPOSITION OF A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
    9.
    发明申请
    REACTIVE SPUTTER DEPOSITION OF A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM 审中-公开
    透明导电膜的反应性溅射沉积

    公开(公告)号：US20080153280A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US11614461

    申请日：2006-12-21

    申请人： Yanping Li ,  Yan Ye ,  Yong-Kee Chae ,  Tae Kyung Won ,  Ankur Kadam ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

    发明人： Yanping Li ,  Yan Ye ,  Yong-Kee Chae ,  Tae Kyung Won ,  Ankur Kadam ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/0073 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

    摘要： Methods for sputter depositing a transparent conductive oxide (TCO) layer are provided in the present invention. The transparent conductive oxide layer may be utilized as a back reflector in a photovoltaic device. In one embodiment, the method includes providing a substrate in a processing chamber, forming a first portion of a transparent conductive oxide layer on the substrate by a first sputter deposition step, and forming a second portion of the transparent conductive oxide layer by a second sputter deposition step.

    摘要翻译： 在本发明中提供溅射沉积透明导电氧化物（TCO）层的方法。 透明导电氧化物层可以用作光伏器件中的后反射器。 在一个实施例中，该方法包括在处理室中提供衬底，通过第一溅射沉积步骤在衬底上形成透明导电氧化物层的第一部分，以及通过第二溅射形成透明导电氧化物层的第二部分 沉积步骤。