公开(公告)号：WO2011046055A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：PCT/JP2010/067597

申请日：2010-10-06

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  大沼 郁雄 ,  大森 俊洋 ,  安藤 佳祐

Inventor： 石田　清仁 ,  貝沼　亮介 ,  大沼　郁雄 ,  大森　俊洋 ,  安藤　佳祐

IPC: C22C38/00 ,  C21D6/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  C22C38/08 ,  C22C38/58

CPC classification number: C22C38/04 ,  C21D1/26 ,  C21D6/001 ,  C21D6/005 ,  C21D2201/01 ,  C21D2211/004 ,  C21D2211/008 ,  C22C22/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/08

Abstract: 　25～42原子％のMnと、12～18原子％のAlと、5～12原子％のNiとを含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなるFe基形状記憶合金、及び25～42原子％のMnと、12～18原子％のAlと、5～12原子％のNiとを含有し、さらに0.1～5原子％のSi、0.1～5原子％のTi、0.1～5原子％のV、0.1～5原子％のCr、0.1～5原子％のCo、0.1～5原子％のCu、0.1～5原子％のMo、0.1～5原子％のW、0.001～1原子％のB及び0.001～1原子％のCからなる群から選ばれた少なくとも1種を合計で15原子％以下含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなるFe基形状記憶合金。

Abstract translation: 公开了一种含有25〜42原子％的Mn，12〜18原子％的Al，5〜12原子％的Ni，余量为铁和不可避免的杂质的铁形状记忆合金，以及含有25〜 Mn为12原子％，Al为12〜18原子％，Ni为5〜12原子％，合计为15原子％以下的选自含有0.1〜5原子％的Si，0.1 至5原子％的Ti，0.1至5原子％的V，0.1至5原子％的Cr，0.1至5原子％的Co，0.1至5原子％的Cu，0.1至5原子％的Mo，0.1至5 W的原子％，B为0.001〜1原子％，C为0.001〜1原子％，余量为铁和不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2009066704A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：PCT/JP2008/071043

申请日：2008-11-19

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  山田 靖 ,  八木 雄二 ,  高久 佳和 ,  大沼 郁雄 ,  石田 清仁 ,  渥美 貴司 ,  中川 郁朗 ,  白井 幹夫

Inventor： 山田 靖 ,  八木 雄二 ,  高久 佳和 ,  大沼 郁雄 ,  石田 清仁 ,  渥美 貴司 ,  中川 郁朗 ,  白井 幹夫

IPC: B23K35/14 ,  B23K35/28 ,  B23K35/40 ,  C22C18/04 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: C22C18/04 ,  B23K35/282 ,  B23K35/40 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/83205

Abstract: 　本発明の亜鉛系はんだ材料５５は、亜鉛系材料５０における表面の酸化膜５０１を除去した後に、又は表面に酸化膜５０１が存在しない状態で、前記酸化膜５０１よりもその酸化物が還元され易い金属を主成分とする被覆層５１を前記表面に設けてなる。また、本発明の接合体およびパワー半導体モジュールは、接合部に前記亜鉛系はんだ材料５５が用いられ、接合後には前記被覆層５１が消失している。

Abstract translation: 锌基焊料材料（55）包括锌基材料（50）和设置在锌基材料（50）的表面上的覆盖层（51）。 在锌基材料（50）的表面上除去氧化膜（501）之后，或者在表面上形成有锌基材料（50）的表面上的情况下，在锌基材料（50）的表面上设置覆盖层 的锌基材料（50）不含氧化膜（501）。 覆盖层（51）主要由比氧化膜（501）更容易还原氧化物的金属构成。 还提供了联合产品和功率半导体模块。 在联合制品和功率半导体模块中，锌基焊料材料（55）在其接合部位使用，并且在接合时，覆盖层（51）消失。

公开(公告)号：WO2007032293A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/JP2006/317939

申请日：2006-09-05

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  及川 勝成 ,  大沼 郁雄 ,  佐藤 順

Inventor： 石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  及川 勝成 ,  大沼 郁雄 ,  佐藤 順

IPC: C22C19/07 ,  C22F1/10 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/10 ,  C22C19/07

Abstract: 質量比でAl:0.1～10%,W:3.0～45%,Co:残部を基本組成とし、L1 2 型の金属間化合物〔Co 3 (Al,W)〕が分散析出したCo基合金である。Coの一部をNi,Ir,Fe,Cr,Re,Ruで、Al,Wの一部をNi,Ti,Nb,Zr,V,Ta,Hfで置換しても良い。金属間化合物〔Co 3 (Al,W)〕は融点が高く、マトリックスに対する格子定数ミスマッチも小さいので、Ni基合金に匹敵する高温強度,優れた組織安定性が付与されたCo基合金となる。

Abstract translation: 一种钴基合金，其碱性组成包括以质量比计为0.1-10％的Al，3.0-45％W和Co作为剩余部分，并且具有L1 / 2的金属间化合物 >类型[Co 3/3（Al，W）]。 Co的一部分可以用Ni，Ir，Fe，Cr，Re或Ru代替，而Al和W的一部分可以用Ni，Ti，Nb，Zr，V，Ta或Hf代替。 金属间化合物[Co 3 S（Al，W）]具有高熔点，并且该化合物和基体相对于晶格常数几乎不匹配。 因此，钴基合金可以具有与镍基合金相当的高温强度和优异的结构稳定性。

公开(公告)号：WO2012081573A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/JP2011/078786

申请日：2011-12-13

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  大沼 郁雄 ,  大森 俊洋 ,  宮本 隆史 ,  佐藤 宏樹

Inventor： 石田　清仁 ,  貝沼　亮介 ,  大沼　郁雄 ,  大森　俊洋 ,  宮本　隆史 ,  佐藤　宏樹

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C9/02 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01B1/026

Abstract: Ｎｉ：３．０～２９．５質量％、Ａｌ：０．５～７．０質量％、Ｓｉ：０．１～１．５質量％とを含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるＦＣＣ構造の銅合金であって、前記銅合金の母相中に、Ｓｉを含むＬ１ ２ 構造のγ'相を平均粒径が１００ｎｍ以下で析出させることで、高強度であっても加工性が優れ、かつ、高導電性を有し、また、その特性を制御することができる銅合金を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种具有FCC结构的铜合金，所述铜合金含有3.0〜29.5质量％的Ni，0.5〜7.0质量％的Al和0.1〜1.5质量％的Si，余量包含Cu和不可避免的杂质。 通过以平均粒径不大于100nm的方式析出含Si的L12结构的α' 在铜合金的母相中，铜合金即使在高温也具有优异的加工性，而且导电性高。 此外，可以控制这些特性。

公开(公告)号：WO2007091576A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：PCT/JP2007/052069

申请日：2007-01-31

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  及川 勝成 ,  大沼 郁雄 ,  大森 俊洋 ,  佐藤 順

Inventor： 石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  及川 勝成 ,  大沼 郁雄 ,  大森 俊洋 ,  佐藤 順

IPC: C22C5/04 ,  C22F1/14

CPC classification number: C22C5/04 ,  C22F1/14

Abstract: L1 2 型金属間化合物が分散析出したIr基合金であり、質量比でAl:0.1～9.0%,W:1.0～45%,Ir:残部を基本組成とし、Al:0.1～1.5%の成分系ではL1 2 型金属間化合物が、Al:1.5%を超え9.0%以下の成分系ではL1 2 型,B2型金属間化合物が分散析出している。Irの一部を元素X(Co,Ni,Fe,Cr,Rh,Re,Pd,Pt,Ru)で、Al,Wの一部を元素Z(Ni,Ti,Nb,Zr,V,Ta,Hf,Mo)で置換しても良い。L1 2 型金属間化合物[Ir 3 (Al,W)],[(Ir,X) 3 (Al,W,Z)]を分散析出させたIr基合金は融点が高く、L1 2 型金属間化合物[Ir 3 (Al,W)],[Ir,X) 3 (Al,W,Z)]のマトリックスに対する格子定数ミスマッチも小さいので、高温強度,組織安定性に優れたIr基合金となる。

Abstract translation: 一种铱基合金，其具有分散沉积的L1 / 2N型金属间化合物，其基本组成包括以质量比计为0.1-9.0％的Al，1.0-45％W和Ir 作为剩余部分。 含有0.1-1.5％Al的组分体系中分散有其中分散析出的L1 / 2S型金属间化合物。 含有1.5-9.0％（不包括1.5％）的Al的组分体系具有分散沉淀的L1 _{2 型和B2型金属间化合物。 可以用元素（X）（Co，Ni，Fe，Cr，Rh，Re，Pd，Pt或Ru）代替Ir的一部分，Al和W的一部分可以被元素（Z） Ni，Ti，Nb，Zr，V，Ta，Hf或Mo）。 包含L1 / 2型金属间化合物[Ir 3（Al，W）]和[（Ir，X）3]的铱基合金， 在其中分散沉淀的“（Al，W，Z）]具有高熔点。 L1 / 2型金属间化合物即[Ir 3（Al，W）]和[（Ir，X）3'之间的晶格常数不匹配， （Al，W，Z）]，基体较小，因此铱系合金的高温强度和结构稳定性优异。}

公开(公告)号：WO2008130012A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：PCT/JP2008/057539

申请日：2008-04-17

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  八木 雄二 ,  山田 靖 ,  中川 郁朗 ,  渥美 貴司 ,  白井 幹夫 ,  大沼 郁雄 ,  石田 清仁 ,  高久 佳和

Inventor： 八木 雄二 ,  山田 靖 ,  中川 郁朗 ,  渥美 貴司 ,  白井 幹夫 ,  大沼 郁雄 ,  石田 清仁 ,  高久 佳和

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205

Abstract: 　２つの部品の間を、Ｂｉ系はんだ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系はんだ材による被接合面にＣｕ層を備える。被接合部品である上記２つの部品は、半導体素子と絶縁部、又は絶縁部と放熱板の組み合わせである。絶縁部は、Ｃｕ／ＳｉＮｘ／Ｃｕの積層体で構成される。

Abstract translation: 提供了一种功率半导体模块，其中两个部件通过Bi基焊料材料接合。 在两个部件上通过Bi基焊料材料被粘合的表面上设置有Cu层。 两个部件，即待结合的部件，是半导体元件和绝缘部分的组合，或绝缘部分和散热器的组合。 绝缘部由Cu / Si / Nx / Cu的层叠体构成。

公开(公告)号：WO2002070762A1

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：PCT/JP2002/002028

申请日：2002-03-05

Applicant: 石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  大沼 郁雄

Inventor： 石田 清仁 ,  貝沼 亮介 ,  大沼 郁雄

IPC: C22C9/00

CPC classification number: C22C28/00 ,  B22F9/082 ,  B22F2998/10 ,  B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C21/00 ,  C22C30/02 ,  C22C38/16 ,  C22C38/20 ,  H01L2924/0002 ,  B22F3/10 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for manufacturing a member having a separation structure which comprises subjecting a melt of an alloy which separates into two phases having different compositions from each other in some range of the liquid state thereof, exhibits a DELTA T of 10 DEG C or more wherein DELTA T denotes the difference between the highest temperature Tc and the lowest temperature Td at which the separation into two phases is observed, and optionally exhibits the difference in volume percentages between the two phases of 5 % or more to a slip casting or to a spray cooling into a predetermined shape from a temperature of (the above Tc + 10 DEG C) or higher, to thereby form a separation structure comprising two regions having different compositions from each other.

Abstract translation: 一种具有分离结构的部件的制造方法，其特征在于，在液状态的一定范围内使分离成两相的两相的合金的熔融物呈现10℃以上的DELTA T， T表示最高温度Tc和观察分离成两相的最低温度Td之间的差异，并且任选地表现出两相之间的体积百分比差异为5％以上，与滑动铸造或喷雾冷却 从（上述Tc + 10℃）以上的温度成为规定形状，由此形成包含两个具有不同组成的区域的分离结构。