公开(公告)号：WO2009028484A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/JP2008/065164

申请日：2008-08-26

Applicant: 日東電工株式会社 ,  天野 康弘 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健 ,  高本 尚英

Inventor： 天野 康弘 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健 ,  高本 尚英

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00

CPC classification number: C09J133/08 ,  C09J7/35 ,  C09J7/385 ,  C09J11/04 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/249921 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 　接着シートが薄層化した場合にも、当該接着シートの有無を容易に識別することを可能にし、これにより製造装置のダウンタイムを短縮して、歩留まりの向上を可能にする半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。本発明の半導体装置製造用の接着シートは、半導体素子を被着体に接着させる半導体装置製造用の接着シートであって、波長域が２９０～４５０ｎｍの範囲内にある光を吸収又は反射させる顔料を含有することを特徴とする。

Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的粘合片，即使在粘合片变薄的情况下，也能够容易地区分粘合片的存在/不存在，从而可以缩短制造装置的停机时间 提高生产率，以及使用该粘合片的半导体器件制造方法。 用于制造半导体器件的粘合片将半导体元件粘合到物体上，其特征在于含有用于吸收或反射波长范围为290至450nm的光的颜料。

公开(公告)号：WO2008032367A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：PCT/JP2006/318055

申请日：2006-09-12

Applicant: 日東電工株式会社 ,  松村 健 ,  三隅 貞仁

Inventor： 松村 健 ,  三隅 貞仁

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/26 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に粘着剤層及びダイ接着用接着剤層が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記粘着剤層の厚みが１０～８０μｍであり、２３°Cに於ける貯蔵弾性率が１×１０ ４ ～１×１０ １０ Ｐａであることを特徴とする。  

Abstract translation: 本发明提供了一种切割/芯片接合薄膜，其包括在支撑基材上依次设置的支撑基材和压敏粘合剂层和用于模片粘合的粘合剂层。 切割/芯片接合薄膜的特征在于，粘合剂层的厚度为10〜80μm，23℃下的储能模量为1×10 4〜1×10 5， SUP> 10Pa。

公开(公告)号：WO2007094418A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：PCT/JP2007/052750

申请日：2007-02-15

Applicant: 日東電工株式会社 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健 ,  高本 尚英 ,  三木 翼

Inventor： 三隅 貞仁 ,  松村 健 ,  高本 尚英 ,  三木 翼

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/28 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: A process for semiconductor device production in which three-dimensional mounting through a spacer is conducted without necessitating a novel device for fixing the spacer to an adherend and by which semiconductor devices can be produced in high yield at low cost. The process for semiconductor device production employs an adhesive sheet serving as a spacer. The adhesive sheet serving as a spacer is one comprising a spacer layer having an adhesive layer on at least one side thereof. The process is characterized by comprising a step in which the adhesive sheet serving as a spacer is subjected to dicing to form a chip-form spacer having an adhesive layer and a step in which the spacer is fixed to an adherend through the adhesive layer.

Abstract translation: 在不需要用于将间隔物固定到被粘物上的新颖的装置的情况下进行通过间隔物的三维安装的半导体装置的制造方法，能够低成本地制造半导体装置。 半导体器件制造方法采用作为间隔物的粘合片。 用作间隔物的粘合片是在其至少一侧具有粘合剂层的间隔层。 该方法的特征在于包括以下步骤：将用作间隔物的粘合片进行切割以形成具有粘合剂层的芯片形隔离物和通过粘合剂层将间隔物固定到被粘物的步骤。

公开(公告)号：WO2008108119A1

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/JP2008/051177

申请日：2008-01-28

Applicant: 日東電工株式会社 ,  天野 康弘 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健

Inventor： 天野 康弘 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L23/3121 ,  C08G18/4045 ,  C08G18/6254 ,  C08L33/08 ,  C09J175/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 　ダイシング工程の際の接着性と、ピックアップ工程の際の剥離性との双方が良好となる様に制御したダイシング・ダイボンドフィルム及びその製造方法を提供する。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上にダイボンド層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイボンド層に於ける粘着剤層側の算術平均粗さＸ（μｍ）が０．０１５μｍ～１μｍであり、前記粘着剤層に於けるダイボンド層側の算術平均粗さＹ（μｍ）が０．０３μｍ～１μｍであり、前記ＸとＹの差の絶対値が０．０１５以上であることを特徴とする。  

Abstract translation: 提供了一种切割/芯片接合膜，其被控制为在切割步骤中具有优异的粘附性和在拾取步骤中具有优异的去除特性。 还提供了一种制造这种切割/芯片接合薄膜的方法。 切割/芯片接合膜在基材上具有粘合剂层，并且在粘合剂层上具有芯片接合层。 粘合剂层侧的芯片接合层的算术平均粗糙度X（μm）为0.015μm〜1μm，芯片接合层侧的粘合剂层的算术平均粗糙度Y（μm）为0.03μm〜1μm， 值X和Y之间的差的绝对值为0.015以上。

公开(公告)号：WO2006088180A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：PCT/JP2006/302948

申请日：2006-02-20

Applicant: 日東電工株式会社 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健

Inventor： 三隅 貞仁 ,  松村 健

IPC: H01L21/52 ,  C09J133/00 ,  C09J161/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C08L33/00 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/22 ,  C09J161/06 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1462 ,  Y10T428/2887 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/20752

Abstract: 　ボンディングパットの汚染に起因してワイヤーボンディングができなくなるのを防止し、かつ、基板、リードフレーム又は半導体素子等の被着体に反りが発生するのを防止して、歩留まりを向上させつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。本発明は、半導体素子１３を被着体１１上に接着シート１２を介して仮固着する仮固着工程と、加熱工程を経ることなく、接合温度８０～２５０°Cの範囲でワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有し、前記接着シート１２として、硬化前の貯蔵弾性率が８０～２５０°Cの温度範囲で１ＭＰａ以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて１ＭＰａ以上のものを使用することを特徴とする。

Abstract translation: 一种半导体器件制造方法，其中简化了制造步骤，同时通过防止由于焊盘污染引起的引线接合故障，并且防止诸如基板，引线框架和半导体元件的接合体翘曲而提高产量。 还提供了用于这种方法的粘合片和通过这种方法获得的半导体器件。 该方法的特征在于，具有临时接合步骤，用于通过粘合片（12）将半导体元件（13）临时粘合在待接合半导体元件的本体（11）上，并且引线接合步骤 在没有加热步骤的情况下在80-250℃的接合温度范围内进行导线焊接。 该方法的特征还在于，使用在温度范围内的任意温度下在80-250℃或1MPa以上的温度范围内硬化之前的储能弹性模量为1MPa以上的粘合片作为粘合片 （12）。