公开(公告)号：WO2014171404A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/JP2014/060477

申请日：2014-04-11

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 盛田　浩介 ,  高本　尚英 ,  花園　博行 ,  福井　章洋

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08G59/62 ,  C08K3/00 ,  C09J7/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： C08L61/06 ,  C08G59/62 ,  C08L63/00 ,  C08L2203/206 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  C08L61/24

摘要： 　半導体素子と被着体との熱応答挙動の差を緩和することで部材の材質の利用可能性を確保しつつ、接続信頼性の高い半導体装置を製造可能な熱硬化性樹脂組成物及びこれを用いる半導体装置の製造方法を提供する。本発明は、エポキシ樹脂と、水酸基当量が２００ｇ／ｅｑ以上であるノボラック型フェノール樹脂とを含む半導体装置製造用の熱硬化性樹脂組成物である。前記ノボラック型フェノール樹脂は下記構造式で表わされる構造を含むことが好ましい。（式中、ｎは０～１２の整数である。）

摘要翻译： 一种热固性树脂组合物，其能够制造具有高连接可靠性的半导体器件，同时通过减轻半导体元件和被粘物的热响应特性的差异来确保元件的材料的可用性，以及使用该组合物的半导体器件制造方法 被提供。 该半导体装置制造用热固性树脂组合物含有羟基当量为200g / eq以上的环氧树脂和酚醛清漆型酚醛树脂。 上述酚醛清漆酚醛树脂优选含有结构式所示的结构。 （式中，n为0〜12的整数。）

公开(公告)号：WO2014160675A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/031668

申请日：2014-03-25

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： GANDHI, Jaspreet S. ,  ENGLAND, Luke G. ,  FAY, Owen R.

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3301 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81901 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

摘要： Semiconductor devices and device packages include at least one semiconductor die electrically coupled to a substrate through a plurality of conductive structures. The at least one semiconductor die may be a plurality of memory dice, and the substrate may be a logic die. An underfill material disposed between the at least one semiconductor die and the substrate may include a thermally conductive material. An electrically insulating material is disposed between the plurality of conductive structures and the underfill material. Methods of attaching a semiconductor die to a substrate, such as for forming semiconductor device packages, include covering or coating at least an outer side surface of conductive structures, electrically coupling the semiconductor die to the substrate with an electrically insulating material, and disposing a thermally conductive material between the semiconductor die and the substrate.

摘要翻译： 半导体器件和器件封装包括通过多个导电结构电耦合到衬底的至少一个半导体管芯。 所述至少一个半导体管芯可以是多个存储器管芯，并且所述衬底可以是逻辑管芯。 设置在至少一个半导体管芯和衬底之间的底部填充材料可以包括导热材料。 电绝缘材料设置在多个导电结构和底部填充材料之间。 将半导体管芯附着到诸如用于形成半导体器件封装的衬底的方法包括覆盖或涂覆导电结构的至少外侧表面，用电绝缘材料将半导体管芯电耦合到衬底，并且设置热 导电材料在半导体管芯和衬底之间。

公开(公告)号：WO2008108119A1

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/JP2008/051177

申请日：2008-01-28

申请人： 日東電工株式会社 ,  天野 康弘 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健

发明人： 天野 康弘 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健

IPC分类号： H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L23/3121 ,  C08G18/4045 ,  C08G18/6254 ,  C08L33/08 ,  C09J175/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 　ダイシング工程の際の接着性と、ピックアップ工程の際の剥離性との双方が良好となる様に制御したダイシング・ダイボンドフィルム及びその製造方法を提供する。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上にダイボンド層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイボンド層に於ける粘着剤層側の算術平均粗さＸ（μｍ）が０．０１５μｍ～１μｍであり、前記粘着剤層に於けるダイボンド層側の算術平均粗さＹ（μｍ）が０．０３μｍ～１μｍであり、前記ＸとＹの差の絶対値が０．０１５以上であることを特徴とする。  

摘要翻译： 提供了一种切割/芯片接合膜，其被控制为在切割步骤中具有优异的粘附性和在拾取步骤中具有优异的去除特性。 还提供了一种制造这种切割/芯片接合薄膜的方法。 切割/芯片接合膜在基材上具有粘合剂层，并且在粘合剂层上具有芯片接合层。 粘合剂层侧的芯片接合层的算术平均粗糙度X（μm）为0.015μm〜1μm，芯片接合层侧的粘合剂层的算术平均粗糙度Y（μm）为0.03μm〜1μm， 值X和Y之间的差的绝对值为0.015以上。

公开(公告)号：WO2004070827A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：PCT/JP2004/001157

申请日：2004-02-04

申请人： 千住金属工業株式会社 ,  藤本 公三 ,  安田 清和 ,  金 鍾珉

发明人： 藤本 公三 ,  安田 清和 ,  金 鍾珉

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/11 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29314 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0425 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 対向する電極等の端子間に優れた電気的接続を得るための端子間の接合方法、及び、該接合方法を用いた半導体装置の実装方法を提供する。半導体チップ20の電極パッド21と、電極パッド21に対応するように設けられた基板10上のランド11とを、導電性接着剤を介して対向するように配置する。その後、導電性接着剤に含まれる導電性粒子の融点よりも高く、かつ樹脂の硬化が完了しない温度に導電性接着剤を加熱して、導電性粒子同士を結合させる。さらに、導電性接着剤中の樹脂を完全に硬化させることによって、半導体チップ20と基板10とを固着する。

摘要翻译： 一种用于互连端子的方法，以便在诸如相对电极的端子之间建立良好的电连接以及使用互连方法安装半导体器件的方法。 半导体芯片（20）的电极焊盘（21）与对应于电极焊盘（21）的基板（10）上的焊盘（11）相对，其间插入导电粘合剂。 然后，将导电性粘接剂加热到比导电性粘合剂中所含的导电性粒子的熔点高的温度，并且树脂的固化未完成，导电性粒子融合在一起。 导电粘合剂中的树脂可以完全固化，从而将半导体芯片（20）固定到基板（10）上。

公开(公告)号：WO2016004565A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/CN2014/081724

申请日：2014-07-07

申请人： HONEYWELL INTERNATIONAL INC. ,  LIU, Ya Qun ,  ZENG, Liang ,  WANG, Hui ,  ZHANG, Bright ,  HUANG, Hong Min

发明人： LIU, Ya Qun ,  ZENG, Liang ,  WANG, Hui ,  ZHANG, Bright ,  HUANG, Hong Min

IPC分类号： C08K5/29 ,  C08K5/25 ,  C08K3/22 ,  B32B27/18

CPC分类号： C09K5/14 ,  C08K13/02 ,  C08K2201/001 ,  C08L23/0815 ,  C08L2201/08 ,  C08L2203/20 ,  C09K5/063 ,  C09K15/06 ,  C09K15/22 ,  C09K15/24 ,  C09K15/30 ,  G06F1/20 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1432 ,  H05K7/2039 ,  H01L2924/00

摘要： A thermal interface material includes at least one polymer,at least one thermally conductive filler; and at least one ion scavenger. In some embodiments, the ion scavenger is a complexing agent selected from the group consisting of : nitrogen containing complexing agents,phosphorus containing complexing agents, and hydroxyl carboxylic acid based complexing agents.

摘要翻译： 热界面材料包括至少一种聚合物，至少一种导热填料; 和至少一种离子清除剂。 在一些实施方案中，离子清除剂是选自以下的络合剂：含氮络合剂，含磷络合剂和基于羟基羧酸的络合剂。

公开(公告)号：WO2015093212A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/JP2014/080406

申请日：2014-11-17

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 平山　堅一

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06154 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014

摘要： 　入力バンプ領域と出力バンプ領域とに面積差を有するとともに非対称に配置されている電子部品においても熱圧着ヘッドによる圧力差を解消し接続信頼性を向上する。　回路基板１４への実装面２には、相対向する一対の側縁の一方側２ａに近接して出力バンプ３が配列された出力バンプ領域４が設けられ、一対の側縁の他方側２ｂに近接して入力バンプ５が配列された入力バンプ領域６が設けられ、出力バンプ領域４及び上記入力バンプ領域６は、異なる面積で、かつ実装面２において非対称に配置され、出力バンプ領域４又は入力バンプ領域６のうち、相対的に大面積である一方は、一対の側縁間の幅Ｗの４％以上の距離だけ、近接する一方又は他方の側縁２ａ，２ｂから内側に形成されている。

摘要翻译： 本发明的目的是消除由热压接头引起的压力差，即使在输入凸起区域和输出凸起区域具有不同的表面积并且不对称地设置的电子部件中，也提高连接的可靠性。 在用于安装到电路板（14）的一侧（2）上，在相对的一对边缘中的一侧（2a）附近设置输出凸起（3）的输出凸起区域（4），并且 在所述一对边缘的另一侧（2b）的附近设置有布置有输入凸块（5）的输入凸块区域（6）。 输出凸块区域（4）和输入凸块区域（6）具有不同的表面积，并且不对称地设置在用于安装的侧面（2）上。 在输出凸块区域（4）和输入凸块区域（6）中，表面积相对较大的区域从附近的一个或另一边缘（2a，2b）向内形成至少4％ 的一对边缘之间的宽度W。

公开(公告)号：WO2015046082A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/JP2014/074919

申请日：2014-09-19

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 福井　章洋 ,  高本　尚英 ,  花園　博行

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2021/60135 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29398 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/095 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/27 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68368 ,  H01L21/78

摘要： 　半導体チップのバンプ形成面にシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、実装用基板に、シート状樹脂組成物付きチップを、シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、半導体チップに形成されたバンプと実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、工程Ｃの後に、シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、工程Ｄの後に、工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、バンプと電極とを接合するとともに、シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを含む半導体装置の製造方法。

摘要翻译： 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：将片状树脂组合物粘合到半导体芯片的凸块形成面上而制备具有片状树脂组合物的芯片的工序（A） 步骤（B），用于制备其上形成有电极的安装基板; 使用片状树脂组合物作为粘合面，将装载了片状树脂组合物的芯片粘贴到安装基板上的步骤（C），并使形成在半导体芯片上的凸块和形成在安装件上的电极 底物相互面对; 步骤（D），用于在步骤（C）之后加热和半固化片状树脂组合物; 和步骤（D）之后的步骤（D），使得片状树脂组合物固化，并且通过加热将凸起和电极接合到比步骤（D）中的加热期间所使用的温度更高的温度。

公开(公告)号：WO2014156930A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057696

申请日：2014-03-20

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 佐藤　大祐 ,  小高　良介 ,  斉藤　雅男

IPC分类号： H05K3/36 ,  C09J4/00 ,  C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  H01B5/16 ,  H01R43/00 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34

CPC分类号： C09J4/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K3/361 ,  H05K2203/0285 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： 　第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを接続させる回路部材の接続方法であって、前記第１の回路部材上に、ラジカル重合性物質と、有機過酸化物と、はんだ粒子とを含有する異方性導電フィルム、及び前記第２の回路部材を、この順で配置する配置工程と、前記第２の回路部材を押圧しつつ、前記異方性導電フィルムに超音波を印加して加熱する超音波印加工程とを含み、前記超音波印加工程における前記異方性導電フィルムの到達温度が、前記はんだ粒子の固相線温度以下であり、前記第１の回路部材の端子、及び前記第２の回路部材の端子の少なくともいずれかが、防錆剤による防錆処理がされている回路部材の接続方法である。

摘要翻译： 本发明是将第一电路部件的端子和第二电路部件的端子连接起来的电路部件的连接方法，所述电路部件的连接方法包括：放置步骤，在所述第一电路部件上， 按照所述顺序包括可自由基聚合材料，有机过氧化物和焊料颗粒的各向异性导电膜和第二电路部件; 以及超声波应用步骤，其在按压所述第二电路部件的同时向所述各向异性导电膜施加超声波并加热。 超声波涂布工序中的各向异性导电膜的温度小于或等于焊料粒子的固相线温度，第一电路部件的端子和/或第二电路部件的端子经受防锈 通过防锈剂加工。

公开(公告)号：WO2013121858A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/JP2013/051556

申请日：2013-01-25

申请人： デクセリアルズ株式会社 ,  相崎 亮太

发明人： 相崎　亮太

IPC分类号： H05K3/32 ,  H01L21/60 ,  H05K3/36

CPC分类号： H05K1/189 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/83905 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/10136 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00

摘要： 　導電性粒子（４）を含有する光硬化型の接着剤（１）を介して、基板（１２）上に電子部品（１８）を配置する工程と、電子部品（１８）の上から加熱するとともに加圧する工程と、加熱を停止し、加圧を続行する工程と、加圧を続行しながら、接着剤１に光を照射して硬化させる工程とを有する。低温で電子部品の接続を行うと共に、接着剤の硬化収縮を抑える。

摘要翻译： 本发明具有：将电子部件（18）配置在基板（12）上，由包含导电性粒子（4）的光固化型粘合剂（1）插入的工序。 从电子部件（18）上方施加热和压力的步骤; 停止加热并继续施加压力的步骤; 以及在粘合剂（1）上照射光使其固化并继续施加压力的步骤。 在低温下实现电子部件的连接，抑制粘合剂的固化收缩。

公开(公告)号：WO2013089199A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/JP2012/082413

申请日：2012-12-13

申请人： 旭化成イーマテリアルズ株式会社

发明人： 玉屋　英明 ,  大谷　章 ,  子松　時博

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01B5/16 ,  H01L21/56 ,  H01R11/01

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/602 ,  C09J2205/102 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27442 ,  H01L2224/27901 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 　接続前に接続部の検査が可能であり、接続に寄与する導電性粒子数を予測することが可能であり、かつ、接続時のアライメントマークの認識性に優れる異方導電性フィルム付き半導体チップ又はウェハの提供。　片面に複数の回路電極を有する半導体チップ又はウェハと、該回路電極を覆う異方導電性フィルムとを有する異方導電性フィルム付き半導体チップ又はウェハであって、該異方導電性フィルムは、絶縁性樹脂成分と導電性粒子とを含み、かつ、該異方導電性フィルムに含まれる全導電性粒子数の６０％以上が、該回路電極の平均高さよりも該異方導電性フィルムの表面側に存在することを特徴とする、前記異方導電性フィルム付き半導体チップ又はウェハ。

摘要翻译： 提供了具有附着的各向异性导电膜的半导体芯片或晶片，其中可以在连接之前检查连接部分，可以预测有助于连接的导电颗粒的数量，并且可以在连接期间容易地区分对准标记。 具有附着的各向异性导电膜的半导体芯片或晶片，具有在一个表面上具有多个电路电极的半导体芯片或晶片以及覆盖电路电极的各向异性导电膜，其中具有附着的各向异性导电膜的半导体芯片或晶片 其特征在于各向异性导电膜含有绝缘树脂组分和导电颗粒，并且各向异性导电膜中包含的不少于60％的导电颗粒进一步朝向各向异性导电膜的表面比平均高度 电路电极。