半导体元件保护用压敏粘合片
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114763455A

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202111576736.X

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 提供一种半导体元件保护用压敏粘合片,其适当地保护半导体晶片而不会减少收率。半导体元件保护用压敏粘合片包括:压敏粘合剂层;和基材。该压敏粘合剂层的表面电阻率为1.0×1011Ω/□以下。在半导体元件保护用压敏粘合片的压敏粘合剂层和硅晶片彼此贴合、在50℃下静置24小时、并且剥离半导体元件保护用压敏粘合片之后,相对于硅晶片的贴合至该压敏粘合剂层的表面的全部元素含量,卤素元素比例为0.3原子%以下。

    粘合片
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112322204A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202010773237.9

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明提供可供于电子部件材料的固定的粘合片,该粘合片伸缩性优异,并且即使进行反复的伸缩操作,也能维持良好的伸缩性。本发明的粘合片具备:基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层,以伸长前的该粘合片为基准,在23℃的环境下、在施加张力而使该粘合片伸长150%的状态下保持5分钟并释放张力时的尺寸恢复率为80%以上。

    半导体保护用粘合带
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110938383A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201910906514.6

    申请日:2019-09-24

    Abstract: 本发明提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。本发明的半导体保护用粘合带具备:基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层,粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)

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