公开(公告)号：CN108511426A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201711289180.X

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘重希 ,  史朝文 ,  吴凯强 ,  张守仁

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/52

Abstract: 一种实施例封装包括：集成电路管芯，包封在包封体中；贴片式天线，位于所述集成电路管芯之上；以及介电特征，设置在所述集成电路管芯与所述贴片式天线之间。所述贴片式天线在俯视图中与所述集成电路管芯交叠。所述介电特征的厚度是根据所述贴片式天线的工作带宽。

公开(公告)号：CN107622994A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710438836.3

申请日：2017-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  普翰屏 ,  黄启铭 ,  潘信瑜 ,  吴凯强 ,  许森贵 ,  万厚德

IPC: H01L23/58

Abstract: 一种半导体装置结构包括一第一装置。半导体装置结构包括一导电部件位于第一装置上方。半导体装置结构包括一导电遮蔽层位于第一装置与导电部件之间。导电遮蔽层具有多个开口，且开口的最大宽度小于第一装置所产生的能量的波长。

公开(公告)号：CN106486464A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610603053.1

申请日：2016-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  吕俊麟 ,  吴凯强 ,  杨青峰 ,  陈颉彦 ,  王垂堂 ,  王彦评 ,  陈宪伟 ,  林韦廷

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/76895

Abstract: 本发明的实施例提供了一种包括半导体管芯的半导体器件。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。存在耦合至集成半导体封装件并且配置为用于该半导体封装件的接地端子的接触件。该半导体器件还具有基本封闭集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中，该EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径耦合于该接触件。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103199012A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210193607.7

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李东颖 ,  郭文晖 ,  张志豪 ,  张守仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/49 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种方法包括形成ESD二极管，包括实施外延生长以形成包含硅并且基本上不包含锗的外延区域。利用p型杂质掺杂该外延区域以形成p型区域，其中，该p型区域形成ESD二极管的阳极。本发明提供了IO ESD器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN101494200B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910002600.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 赵学柱 ,  安娜贝拉·费洛索 ,  于洪宇 ,  史蒂芬·库比塞克 ,  张守仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/513

Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二栅极堆叠结构的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。

公开(公告)号：CN101170127B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200710181741.4

申请日：2007-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 张守仁 ,  凯特·乔治·爱得恩 ,  于洪宇 ,  劳斯·安妮 ,  卫罗索·安那贝拉

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN100378981C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510117349.4

申请日：2005-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨青天 ,  张守仁 ,  曹敏 ,  米玉杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路晶片结构，包括一焊垫结构、一低介电常数层及主动电路。焊垫结构包含了一焊垫，一第一实心导电板，及一第二实心导电板。第一实心导电板位于焊垫的下方且与焊垫导通。第二实心导电板位于第一实心导电板下方。一低介电常数层或低介电常数层与二氧化硅层的组合位于焊垫结构下方。至少部分的主动电路位于焊垫结构的下方。本发明所述集成电路晶片，具有良好的结合能力，且其制程步骤相对于已知技术有较低的成本，以及其较易转换至设计规则。