公开(公告)号：CN108074907A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711057372.8

申请日：2017-11-01

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 蔡丽娟 ,  彭勃澍 ,  何政霖 ,  李志成

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4682 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/096 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体衬底包含多层结构、组件和第一导电通孔。所述多层结构包含多个介电层和多个图案化导电层。所述图案化导电层中的最顶端图案化导电层嵌入于所述介电层中的最顶端介电层中。所述组件嵌入于所述多层结构中。所述第一导电通孔电连接到所述组件和所述图案化导电层中的一者。所述图案化导电层中的至少一者定位于在所述组件的顶部表面与所述组件的底部表面之间跨越的深度处。

公开(公告)号：CN107946280A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710477486.1

申请日：2017-06-16

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 邱盈达 ,  邱咏达 ,  陈道隆 ,  李志成 ,  洪志斌

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/498 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/5283

Abstract: 本发明提供一种一半导体封装，其包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒；一第二基板，其包括一第二互连结构，该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。

公开(公告)号：CN107546186A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710505745.7

申请日：2017-06-28

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 蔡丽娟 ,  李志成 ,  何政霖

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/492 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16

Abstract: 一种衬底包含：电介质层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一电路层；以及至少一个第二导电元件。所述第一电路层安置于邻近所述电介质层的所述第一表面，且包含至少一个迹线和连接到所述迹线的至少一个第一导电元件。所述第一导电元件不贯穿所述电介质层。所述第二导电元件贯穿所述电介质层。所述第二导电元件的上部表面的面积大体上等于所述第一导电元件的上部表面的面积。

公开(公告)号：CN105140198B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201410234083.0

申请日：2014-05-29

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成 ,  苏洹漳 ,  何政霖 ,  吴崇铭 ,  颜尤龙

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法。半导体衬底包含：第一图案化金属层、第二图案化金属层、第一电介质层、第二电介质层以及载体层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。第一电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间。第一电介质层包含至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。所述至少一个导通孔将第一图案化金属层电连接到第二图案化金属层。第二电介质层邻接于第一电介质层。第二电介质层包覆第二图案化金属层。第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层。载体层邻接于第二电介质层并具有多个第二开口。所述第二开口中的每一者的位置与所述第一开口中的每一者的位置实质上相对应。

公开(公告)号：CN104576620B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201310499364.4

申请日：2013-10-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成 ,  苏洹漳 ,  田兴国

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/13 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装结构，包括一第一基板、一第二基板、一第一电子元件、一第二电子元件、一绝缘材料以及一布线结构。第一基板具有至少一第一贯孔与一第一上表面。第二基板具有一第二上表面，第二基板配置于第一基板之下。第一电子元件配置于至少一第一贯孔内。第二电子元件配置于第一上表面，且第二电子元件的厚度小于第一电子元件的厚度。绝缘材料配置于第一上表面上且环绕第一电子元件与第二电子元件。布线结构配置于绝缘材料上，其中布线结构包括一图案化导电层，且图案化导电层电性连接第一电子元件与第二电子元件。

公开(公告)号：CN106158814A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510127293.4

申请日：2015-03-23

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 蔡丽娟 ,  李志成

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/186 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/007 ,  H05K3/34 ,  H05K2203/06 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置衬底和其制造方法。所述半导体装置衬底包括第一介电层、第二介电层和电子组件。所述第一介电层包括主体部分和从所述主体部分的第一表面突出的壁部分。所述壁部分具有末端。所述第二介电层具有第一表面和相对的第二表面。所述第二介电层的所述第一表面邻接于所述主体部分的所述第一表面。所述第二介电层围绕所述壁部分。所述壁部分的所述末端延伸超出所述第二介电层的所述第二表面。所述电子组件包括第一电触点和第二电触点。所述电子组件的至少一部分被所述壁部分围绕。

公开(公告)号：CN104465575A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310424623.7

申请日：2013-09-17

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 苏洹漳 ,  李志成 ,  颜尤龙 ,  何政霖

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括一基板、一芯片与一封装体。基板包括一介电膜与一电路图案。介电膜具有一介电开口。电路图案位于介电膜上。电路图案具有一上表面及一下表面。部分的上表面是形成对外电性连接的一第一接垫，部分的下表面自介电开口露出以形成对外电性连接的一第二接垫。第二接垫是自介电膜凹陷以形成一接垫凹口。芯片电性连接至第一接垫。封装体包覆芯片。

公开(公告)号：CN102026499B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200910174788.7

申请日：2009-09-14

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成

IPC: H05K3/40 ,  H05K3/46 ,  H05K1/02

Abstract: 一种基板结构的制造方法，包括以下的步骤。提供一基板，基板具有图案化后的一第一金属层、图案化后的一第二金属层与一通孔。然后，形成一第一介电层与一第二介电层于基板的一第一表面与相对应的一第二表面。接着，图案化第一介电层与第二介电层。然后，形成一第一走线层于图案化后的第一介电层的一表面，第一走线层埋入于图案化后的第一介电层中，且与第一介电层共平面。接着，形成一第二走线层于第二介电层的一表面上。

公开(公告)号：CN101888738B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910141414.5

申请日：2009-05-13

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40

Abstract: 本发明关于一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法。该内埋式基板包括一介电层及一线路层组件。该介电层具有一上表面及一容置槽。该线路层组件位于该容置槽内。该线路层组件具有一上表面、一化学镀铜层、一电镀铜层及一侧斜面。该上表面等高于或低于该介电层的上表面。该化学镀铜层具有钯(Pd)。该电镀铜层位于该化学镀铜层上。该侧斜面位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的槽壁处，且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的槽壁。藉此，该线路层组件的侧斜面，可避免已知技术中电子聚集于该线路层组件的尖角。

公开(公告)号：CN117855154A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311259621.7

申请日：2023-09-27

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 赖志信 ,  李志成 ,  杨韶纶 ,  卓维志

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包含衬底、包封物和电子组件。所述包封物安置在所述衬底之上，并且具有第一顶表面、第二顶表面和在所述第一顶表面和所述第二顶表面之间延伸的第一侧面。所述第一侧面的粗糙度小于或等于所述第二顶表面的粗糙度。所述电子组件安置在所述包封物的所述第二顶表面之上且电连接到所述衬底。